標準解讀

《GB/T 1550-1997 非本征半導體材料導電類型測試方法》這一標準相比于早前的《GB 1550-1979》和《GB 5256-1985》，主要在以下幾個方面進行了更新與調整：

  1. 標準整合與范圍擴展：《GB/T 1550-1997》對《GB 1550-1979》和《GB 5256-1985》的內容進行了整合，旨在提供一個統(tǒng)一且更全面的非本征半導體材料導電類型測試方法。它不僅涵蓋了原有的測試原理和方法，還可能納入了新的測試技術和材料類型，以適應半導體技術的發(fā)展。

  2. 測試方法細化與優(yōu)化：新標準在原有基礎上對測試方法進行了詳細說明和優(yōu)化，可能包括更精確的測量步驟、更嚴格的實驗條件控制以及對測試儀器精度的要求提升，以確保測試結果的準確性和可重復性。

  3. 技術指標更新：隨著半導體材料科學的進步，新材料和新工藝不斷涌現(xiàn)，《GB/T 1550-1997》對測試過程中的技術指標進行了相應的更新，包括但不限于測試電壓、電流密度范圍的調整，以及對測試環(huán)境（如溫度、濕度）的更嚴格規(guī)定。

  4. 安全與環(huán)保要求：考慮到實驗室操作的安全性和環(huán)境保護的需求，新標準可能增添了安全操作規(guī)程和環(huán)保要求，確保測試過程符合當時的安全及環(huán)保標準。

  5. 術語和定義的規(guī)范：為保持與國際標準的一致性，新標準可能對相關專業(yè)術語進行了修訂和完善，使得表述更加準確清晰，便于國內外交流與理解。

  6. 適用性增強：通過上述改進，新標準旨在增強其在不同類型的非本征半導體材料上的適用性，無論是用于科研還是工業(yè)生產，都能提供更為準確可靠的測試指導。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 1550-2018
  • 1997-06-03 頒布
  • 1997-12-01 實施
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ICS77.040.01直21中華人民共和國國家標準GB/T：1550—1997非本征半導體材料導電類型測試方法Standardmethodsformeasuringconduetivityypeofextrinsicsemiconductingmaterials1997-06-03發(fā)布1997-12-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1550-1997中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵郵政編碼：100045電話：63787337、637874471997年11月第一版2005年1月電子版制作書號：155066·1-14168版權專有侵權必究舉報電話：（010）68533533

GB/T1550-1997本標準等效采用美國試驗與材料協(xié)會STMF42—88《非本征半導體材料導電類型測試方法》，結合我國實際情況，對國家標準GB1550一79、GB5256—85進行修訂而成的,在技術內容上與ASTM標淮等效。為了滿足需要，本標準增加了“室溫電阻率大于400·cm的錯半導體材料導電類型的測定，探針采用鉛或石黑等材料制作,熱探針溫度高于室溫5C。在"引用標準”中,凡我國已有國家標準的，均用相應的國家標準代替ASTMF42-88中的"引用標本標準與GB1550—79、GB5256-85比較，增加了測試方法B——一冷探針法、方法D一一全類型系統(tǒng)測試方法·擴大了使用范圍，增加了干擾因素一章,這就使本標準更好地滿足國內半導體材料生產廠用戶對品鍵、品片的測試要求。本標準從生效之日起，代替GB1550-79、GB5256-85。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所歸口，本標準起草單位：峨嵋半導體材料廠。本標準主要起草人：陳永同、劉文魁、吳福立。

中華人民共和國國家標準GB/T1550-1997非本征半導體材料導電類型測試方法Standardmethodsformeasuringconductivitytypeofextrinsicsemiconductingmaterials1范圍1.1本標準規(guī)定了非本征半導體材料導電類型的測試方法本標準適用于非本征半導體材料導電類型的測定，其中較詳細地規(guī)定了錯和硅導電類型的測試方法。本標準方法能保證對均勾的同一導電類型的材料測得的可靠結果,對于非均勾試樣，可在其表面上測出不同導電類型區(qū)域。本標準方法不適用于分層結構試樣，如外延片的導電類型的測定，1.2本標準包括四種測試方法。1.2.1方法A——熱探針，熱電勢導電類型測試方法1.2.2方法B--冷探針，熱電勢導電類型測試方法。1.2.3方法C點接觸，整流導電類型測試方法。1.2.4方法D-全類型系統(tǒng)測試方法。方法D,整流導電類型測試方法。方法D。熱電勢導電類型測試方法1.3方法A,對室溫電阻率1000Q·cm以下的n型和p型硅，可給出可靠的測試結果1.4方法B,對室溫電阻率20·cm以下的n型和p型錯，室溫電阻率1000·cm以下的n型和p型硅，可給出可靠的測試結果。1.5方法C,對室溫電阻率1～1000Q·cm之間的n型和p型硅，可給出可靠的測試結果。而對于錯材料，此方法不宜采用。1.6方法D,，適用于室溫下電阻率0.1～1000·cm的n型和p型硅材料。17方法D,適用于室溫電阻率0.002～0.1Q·cm的n型和p型硅材料。1.8這些方法也可用于測定電阻率超過上述范圍的錯和硅材料，但對超出諸范圍的適用性未經實驗驗1.9如果用這些方法不能得到滿意的結果，建議采用GB4326中闌述的“霍耳效應測試方法"來測定試樣的導電類型。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構成為本標準的條文。本標準出版時，所示版本均為有效。所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列最新版本的可能性、GB/T1552一1995硅、錯單品電阻率測

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