標準解讀
《GB/T 12962-2015 硅單晶》相比于《GB/T 12962-2005 硅單晶》,主要在以下幾個方面進行了調整和更新:
-
術語和定義:新版標準對硅單晶及相關術語進行了修訂和完善,以更準確地反映當前硅單晶技術和產品的特點。
-
技術要求:增加了對硅單晶的純度、晶體結構、幾何尺寸、表面質量等方面更嚴格或更具體的要求,以適應半導體行業對材料性能不斷提升的需求。
-
檢測方法:更新了多項檢測指標的測試方法,引入了更為先進和精確的檢測手段,確保測試結果的準確性和可重復性。例如,可能包括對元素雜質含量的分析方法進行了優化,以及對晶體缺陷檢測技術的改進。
-
質量分級:對硅單晶的質量等級劃分進行了調整,可能新增了更高等級的標準,或者對原有等級的指標要求進行了細化,以更好地滿足不同應用領域的需求。
-
標志、包裝、運輸和儲存:這部分內容也有所更新,提供了更加詳細的規定和建議,以確保硅單晶在流通和存儲過程中的品質不受損害。
-
規范性附錄:新標準可能增補或修改了規范性附錄內容,包含了更多參考數據、測試流程圖或具體操作指南,便于使用者理解和執行。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經官方授權發布的權威標準文檔。
....
查看全部
- 現行
- 正在執行有效
- 2015-12-10 頒布
- 2017-01-01 實施




文檔簡介
ICS29045
H82.
中華人民共和國國家標準
GB/T12962—2015
代替
GB/T12962—2005
硅單晶
Monocrystallinesilicon
2015-12-10發布2017-01-01實施
中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布
中國國家標準化管理委員會
中華人民共和國
國家標準
硅單晶
GB/T12962—2015
*
中國標準出版社出版發行
北京市朝陽區和平里西街甲號
2(100029)
北京市西城區三里河北街號
16(100045)
網址
:
服務熱線
:400-168-0010
年月第一版
20163
*
書號
:155066·1-53125
版權專有侵權必究
GB/T12962—2015
前言
本標準按照給出的規則起草
GB/T1.1—2009。
本標準代替硅單晶本標準與相比主要變化如下
GB/T12962—2005《》。GB/T12962—2005,:
增加了直徑小于或等于直拉硅單晶及要求見
———50.8mm(5.1.1);
增加了直徑區熔硅單晶及要求見
———200mm(5.1.1);
增加了對直拉硅單晶的載流子壽命要求見
———(5.2.1);
修訂了型區熔高阻硅單晶電阻率范圍的要求見
———n(5.2.1);
增加了摻雜比為的中子嬗變摻雜硅單晶的要求見
———F5(5.2.1);
修訂了摻雜比為的中子嬗變摻雜硅單晶的徑向電阻率變化及少數載流子壽命要求
———F10
見
(5.2.1);
修訂了氣相摻雜區熔硅單晶的直徑電阻率及少數載流子壽命等要求見
———、(5.2.1);
金屬含量要求中刪除了重摻雜直拉硅單晶的基硼基磷含量由供需雙方商定提供內容見
———“”“、”(
5.8);
取樣由文字描述改為表
———6;
增加了訂貨單內容見第章
———(9)。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準
(SAC/TC203)
化技術委員會材料分會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本標準起草單位有研新材料股份有限公司天津市環歐半導體材料技術有限公司浙江中晶科技
:、、
股份有限公司浙江省硅材料質量檢驗中心杭州海納半導體有限公司萬向硅峰電子股份有限公司浙
、、、、
江金瑞泓科技股份有限公司上海合晶硅材料有限公司中國有色金屬工業標準計量質量研究所廣東
、、、
泰卓光電科技股份有限公司
。
本標準主要起草人孫燕張果虎張雪囡黃笑容樓春蘭王飛堯朱興萍何良恩徐新華
:、、、、、、、、、
楊素心由佰玲李麗妍
、、。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為
:
———GB/T12962—1991、GB/T12962—1996、GB/T12962—2005。
Ⅰ
GB/T12962—2015
硅單晶
1范圍
本標準規定了硅單晶的牌號及分類要求檢驗方法檢驗規則標志包裝運輸貯存質量證明書
、、、、、、、、
和訂貨單或合同內容等
()。
本標準適用于直拉法懸浮區熔法包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜制備的直徑不大于的
、()200mm
硅單晶產品主要用于制作半導體元器件
。。
2規范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
非本征半導體材料導電類型測試方法
GB/T1550
硅單晶電阻率測定方法
GB/T1551
硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法
GB/T1553
硅晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
GB/T1554
半導體單晶晶向測定方法
GB/T1555
硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T1557
硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T1558
硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T4058
半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻率測試方法非接觸渦流法
GB/T6616
硅片徑向電阻率變化的測量方法
GB/T11073—2007
硅單晶拋光片
GB/T12964
溫馨提示
- 1. 本站所提供的標準文本僅供個人學習、研究之用,未經授權,嚴禁復制、發行、匯編、翻譯或網絡傳播等,侵權必究。
- 2. 本站所提供的標準均為PDF格式電子版文本(可閱讀打印),因數字商品的特殊性,一經售出,不提供退換貨服務。
- 3. 標準文檔要求電子版與印刷版保持一致,所以下載的文檔中可能包含空白頁,非文檔質量問題。
最新文檔
- 下學期安全工作計劃
- 安全隱患排除方案
- 美文朗讀班會課件
- 暑假防溺水安全教育方案
- 全國安全生產工作會議
- 國家安全生產標準
- 2025年安全生產條例
- 2025至2030中國綜藝節目行業運營態勢與投資前景調查研究報告
- 智能配電設備項目運營管理方案
- 2025至2030中國伺服系統行業產業運行態勢及投資規劃深度研究報告
- 新疆維吾爾自治區2024年普通高校招生單列類(選考外語)本科二批次投檔情況 (文史)
- 2023秸稈類生物質能源原料儲存規范第1部分:存放
- 2025-2030全球及中國電源行業市場現狀供需分析及市場深度研究發展前景及規劃可行性分析研究報告
- 工程款結清證明
- DB11 T 212-2009 園林綠化工程施工及驗收規范
- 《SLT 377-2025水利水電工程錨噴支護技術規范》知識培訓
- 屋面瓦拆除及安裝施工方案
- 全球高凈值人群的財富增長策略
- 2023年1月國家開放大學漢語言文學本科《古代詩歌散文專題》期末紙質考試試題及答案
- 2024-2025學年廣東省惠州市惠城區七年級(下)期末英語試卷
- 2025年房東租房合同模板電子版
評論
0/150
提交評論