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文檔簡介

第三節磁表面存儲器4.3.1存儲原理與技術指標1.讀寫原理存儲介質:磁層讀/寫部件:磁頭(1)寫入在磁頭線圈中加入磁化電流(寫電流),并使磁層移動,在磁層上形成連續的小段磁化區域(位單元)。演示(2)讀出磁頭線圈中不加電流,磁層移動。當位單元的轉變區經過磁頭下方時,在線圈兩端產生感應電勢。讀出信號磁通變化的區域2.技術指標道密度:(1)記錄密度(2)存儲容量位密度:單位長度內的磁道數。磁道上單位長度內的二進制代碼數。非格式化容量:格式化容量:總位數用位密度計算。有效位數用扇區內的數據塊長度計算。(3)速度指標平均存取時間帶:平均等待時間盤:平均定位、平均旋轉時間衡量查找速度ms數據傳輸率衡量讀/寫速度b/s、B/s4.3.2磁盤存儲器適用于調用較頻繁的場合,常作為主存的直接后援。磁盤磁盤控制器磁盤驅動器+接口磁盤適配器盤片、磁頭定位系統、傳動系統1.組成(1)軟盤信息分布與尋址信息1)信息分布盤片:單片,雙面記錄。磁道:盤片旋轉一周,磁頭的作用區域。扇區:磁道上長度相同的區段。存放數據塊。各道容量相同,各道位密度不同,內圈位密度最高。驅動器號、圓柱面號、磁頭號、扇區號(記錄號)、交換量。2)尋址信息例:定長記錄格式2.記錄格式(磁道格式)選擇磁盤組選擇盤面選擇磁道選擇起始扇區磁道時間磁道索引脈沖間隔扇區1扇區2扇區n間隔扇區i標志區:標志信息、CRC校驗碼數據區:標志信息、CRC、數據字段

3.磁盤基本操作尋址操作尋道:磁頭徑向移動尋找扇區:盤片旋轉讀/寫操作串行讀/寫DMA方式傳送(1)(2)扇區數第四章復習提綱1.半導體存儲器邏輯設計(地址分配、片選邏輯、框圖)。3.磁盤信息分布、尋址信息、指標(速度、容量)。2.動態刷新(定義、刷新方式)。4.基本概念如:隨機存取、順序存取、直接存取、靜態M的存儲原理、動態M的存儲原理…等。第四章作業設計一半導體存儲器,其中ROM區4KB,選用ROM芯片(4K×4位/片);RAM區3KB,選用RAM芯片(2KB/片和

1K×4位/片)。地址總線A15~A0(低),雙向數據總線D7~D0(低),讀

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