DR性能檢測方法性能檢測所需設備與用具所需設備與用具包括：多功能X光機質量檢測儀；高對比度分辨率測試卡；低對比度分辨率模體；準直度檢測板；20mm鋁板；1mm銅板；1.5mm銅板；鉛板。性能檢測方法X射線管電壓指示的偏離確保設備完成X射線管預熱。設置檢測幾何條件：SID選擇100cm，設置光野范圍為10cm×10cm，中心線束與探測器垂直。檢測儀探頭置于射線中心位置，將鉛板放置在探頭下方用于保護探測器。設置臨床常用管電流時間積，分別在大小焦點條件下，對60kV、80kV、100kV、120kV各檔或最接近檔進行測量，每檔測量3次。根據式(A.1)計算管電壓測量的平均值與管電壓預設值的相對偏差。 Ev=Vi式中：Ev——管電壓測量相對偏差，Vi——管電壓測量的平均值，單位為千伏（kVV0——管電壓預設值，單位為千伏（kV輻射輸出量重復性確保設備完成X射線管預熱。幾何條件與“X射管電壓指示的偏離”條件保持一致。將檢測儀探頭置于射線中心位置，將鉛板放置在探頭下方用于保護探測器；設置管電壓為80kV或最接近檔，常用的曝光管電流時間積，無附加濾過。以相同條件曝光測量5次并記錄，其中空氣比釋動能值在檢測儀上讀取，曝光管電流時間積在設備上讀取，兩者相除得到每次輸出量的測量值。根據式(A.2)計算測量結果。 CV=1K(K式中：CV——變異系數，%；Ki——每次輸出量的測量值，單位為毫戈瑞每毫安秒（mGy/mAsK——n次輸出量測量值的平均值，單位為毫戈瑞每毫安秒（mGy/mAs）；n——輸出量的測量總次數。輸出量線性確保設備完成X射線管預熱。幾何條件與“X射管電壓指示的偏離”條件保持一致。將檢測儀探頭置于射線中心位置，將鉛板放置在探頭下方用于保護探測器。設置管電壓為80kV或最接近檔，常用的曝光管電流時間積，無附加濾過，進行5次曝光，測量并記錄每次曝光空氣比釋動能，計算平均值。以上一步曝光管電流為中間值，依次增加兩檔管電流，同時減少曝光時間，使得管電流時間積與上一步所選取的相同或相似；同樣的，依次減少兩檔管電流，同時增加曝光時間，進行曝光并記錄每次曝光空氣比釋動能（共計進行5檔曝光），計算相同曝光條件下的平均空氣比釋動能。根據式(A.3)計算各相鄰兩檔間的線性。 L12=K1式中：L12——相鄰兩檔輸出量線性度，%K1——1檔空氣比釋動能平均值，單位為毫戈瑞（mGyI1——1檔曝光管電流，單位為毫安（mAt1——1檔曝光時間，單位為秒（K2——與1檔相鄰檔的空氣比釋動能平均值，單位為毫戈瑞（mGyI2——與1檔相鄰檔的曝光管電流，單位為毫安（mA

t2——與1檔相鄰檔的曝光時間，單位為秒（s）有用線束的半值層確保設備完成X射線管預熱。幾何條件與“管電壓指示的偏離”條件保持一致。將檢測儀探頭置于射線中心位置，將鉛板放置在探頭下方用于保護探測器。設置管電壓為80kV或最接近檔，常用的曝光管電流時間積，無附加濾過，進行曝光，在檢測儀上直接讀取半值層。曝光時間的偏離確保設備完成X射線管預熱。幾何條件與“管電壓指示的偏離”條件保持一致。將檢測儀探頭置于射線中心位置，將鉛板放置在探頭下方用于保護探測器。設置管電壓為80kV或最接近檔，常用的曝光管電流檔，無附加濾過，分別選擇不同的曝光時間進行檢測，曝光時間應覆蓋＜100ms檔和≥100ms檔區間，重點檢測臨床常用時間檔，曝光時間從檢測儀直接讀出。每檔測量3次取平均值。根據式（A.4）計算曝光時間指示的偏離。 ET=Ti式中：ET——曝光時間偏離，%Ti——曝光時間測量平均值，單位為毫秒（T0——曝光時間設置值，單位為毫秒（AEC重復性確保設備完成X射線管預熱。移除濾線柵，調節SID為100cm（床）/180cm（胸片架），設置照射野覆蓋需要檢測的電離室（或全部電離室）。將20mm鋁板安裝在束光器出口。選定需要測試的電離室（或全部電離室），在自動條件下曝光。若設備沒有全自動曝光模式，設置管電壓為80kV或最接近檔，管電流時間積為默認值（或選擇200mA管電流值），共進行5次AEC曝光。根據式（A.5）計算管電流時間積讀數的重復性。 CV=1D式中：CV——變異系數，%；Di——每次曝光管電流時間積讀數值，單位為毫安秒（mAQUOTEKK——n次曝光管電流時間積讀數平均值，單位為毫安秒（mAs）；n——檢測總次數。AEC響應確保設備完成X射線管預熱。移除濾線柵，調節SID為100cm（床）/180cm（胸片架），設置照射野覆蓋需要檢測的電離室（或全部電離室）。將20mm鋁板安裝在束光器出口。檢測儀的探頭盡量接近探測器表面，探頭不要遮擋電離室，保證電離室只對穿過模體的射線響應。設置管電壓為80kV或最接近檔，選定要測試的電離室（或全部電離室）。進行AEC曝光，曝光5次，記錄對應的空氣比釋動能。在束光器出口加裝1.5mm銅板，重復上一步驟。根據式（A.6）計算兩次測量結果與平均值的相對偏差。 Ek=式中：EkK1——濾過條件為20mm鋁板時空氣比釋動能平均值，單位為微戈瑞（μGy）K2——濾過條件為20mm鋁板和1.5mm銅板時空氣比釋動能平均值，單位為微戈瑞（μGy）AEC電離室之間一致性確保設備完成X射線管預熱。移除濾線柵，設置SID100cm（床）/180cm（胸片架）。將照射野完全覆蓋住整個探測器，用1.0mm銅濾過板（或20mm鋁板）安裝在束光器出口。設置管電壓70kV，選定其中1個電離室，進行AEC曝光。記錄曝光后的管電流時間積，或在獲取的預處理圖像中央選取感興趣區域（regionofinterest，ROI）為10cm×10cm的區域，測量影像平均像素值。再分別選取其它任一電離室，重復上一步驟。根據式（A.7）計算測量結果。 Ed=式中：EdDi——第i個電離室AEC曝光的管電流時間積，單位為毫安秒（mAs）D——每個電離室AEC曝光的管電流時間積的平均值，單位為毫安秒（mAs）。探測器劑量指示（DDI）確保設備完成X射線管預熱。移除濾線柵，設置SID100cm（床）/180cm（胸片架）。將照射野完全覆蓋住整個探測器，用1.0mm銅濾過板（或20mm鋁板）安裝在束光器出口。把檢測儀探頭放置在胸片架/床表面位于探測器中心區域，選擇70kV手動模式進行曝光，選擇合適的管電流時間積，使得胸片架/床面入射空氣比釋動能約為10μGy。去除檢測儀探頭，選擇上一步確定的條件進行曝光，在上述相同的條件下重復曝光三次，如果該設備廠家提供了DDI與入射比釋動能換算關系的計算公式，則通過公式驗證。如果未提供計算公式，在獲取的每一幅預處理圖像中央選取ROI約為10cm×10cm的區域，用系統自帶像素測量工具測量影像平均像素值。如果系統不具備測量工具，也可將圖像導出通過第三方軟件測量平均像素值。信號傳遞特性（STP）確保設備完成X射線管預熱。移除濾線柵，設置SID100cm（床）/180cm（胸片架）。將照射野完全覆蓋住整個探測器，用1.0mm銅濾過板（或20mm鋁板）安裝在束光器出口。把檢測儀探頭放置在胸片架/床表面位于探測器中心區域。選擇70kV手動模式進行曝光，設置管電流時間積，使得胸片架/床面入射空氣比釋動能分別為1μGy、5μGy、10μGy、20μGy和30μGy。去除檢測儀，以上一步確定的條件分別進行曝光，獲取影像。在每一幅影像中央選取ROI為10cm×10cm面積，獲取平均像素值。以平均像素值為縱坐標，入射空氣比釋動能為橫坐標作圖，進行曲線擬合，計算相關系數的平方。探測器響應均勻性選取“探測器劑量指示（DDI）”參數檢測的預處理圖像中任選一幅，分別從影像的中央區域和四象限中央區選取5個ROI為4cm×4cm區域，記錄每個區域的平均像素值。根據“信號傳遞特性（STP）”計算的擬合曲線，以像素值為變量，計算對應的擬合劑量值。根據式(A.8)計算測量結果。 CV=1K15式中：CV——響應均勻性變異系數，%；K——5個ROI區域的平均擬合劑量值，單位為微戈瑞（μGy）；Ki——第i個ROI區域的擬合劑量值，單位為微戈瑞（μGy）高對比度分辨力確保設備完成X射線管預熱。移除濾線柵，設置SID100cm（床）/180cm（胸片架）。將高對比度分辨率測試卡置于探測器表面中心，并呈45°放置。選擇合適的曝光條件進行曝光。調整窗寬窗位，使分辨力最優化，從顯示器上讀出最大線對數。低對比度分辨力確保設備完成X射線管預熱。移除濾線柵，根據選用低對比度分辨力模體使用說明書，選擇管電壓，適當的濾過和SID（通常選為100cm）。把檢測儀探頭放置在胸片架/床表面位于探測器中心區域，選擇合適的管電流時間積，使得胸片架/床面入射空氣比釋動能約為5μGy。使用上一步確認的曝光條件進行曝光（或使用自動曝光模式）。根據