一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)32022/12/21一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)32022/12/16一PECVD1PECVD：PlasmaEnhanceChemicalVapourDeposition等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等離子體：由于物質(zhì)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇，相互間的碰撞就會(huì)使氣體分子產(chǎn)生電離，這樣的物質(zhì)就會(huì)變成自由運(yùn)動(dòng)并由相互作用的電子、正離子和中性粒子組成混合物的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)即第四態(tài).PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3PECVD：PlasmaEnhanceChemical2工作原理：CentrothermPECVD系統(tǒng)是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發(fā)生器直接裝在鍍膜板中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3。這些氣體作用于存儲(chǔ)在硅片上的氮化硅。可以根據(jù)改變硅烷對(duì)氨氣的比率，來得到不同的折射指數(shù)。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3工作原理：CentrothermPECVD系統(tǒng)是一組利用3技術(shù)原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。PECVD的原理3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2↑一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3技術(shù)原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放4Si3N4的認(rèn)識(shí):Si3N4膜的顏色隨著它的厚度的變化而變化，其理想的厚度是75—80nm之間，表面呈現(xiàn)的顏色是深藍(lán)色，Si3N4膜的折射率在2.0—2.5之間為最佳，與酒精的折射率相乎，通常用酒精來測其折射率。Si3N4的優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)良的表面鈍化效果高效的光學(xué)減反射性能（厚度折射率匹配）低溫工藝（有效降低成本）反應(yīng)生成的H離子對(duì)硅片表面進(jìn)行鈍化.PECVD的原理及作用

一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3Si3N4的認(rèn)識(shí):PECVD的原理及作用一PECVD原理及5物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)：結(jié)構(gòu)致密，硬度大能抵御堿、金屬離子的侵蝕介電強(qiáng)度高耐濕性好PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)：PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)6Si3N4膜的作用:減少光的反射:良好的折射率和厚度可以促進(jìn)太陽光的吸收。防氧化:結(jié)構(gòu)致密保證硅片不被氧化。PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3Si3N4膜的作用:PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)7PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)晶片裝載區(qū)爐體特氣柜真空系統(tǒng)控制系統(tǒng)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)晶片裝載區(qū)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)38PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)39晶片裝載區(qū)：槳、LIFT、抽風(fēng)系統(tǒng)、SLS系統(tǒng)。槳：由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防變形等性能。作用是將石墨舟放入或取出石英管。LIFT：機(jī)械臂系統(tǒng)，使舟在機(jī)械臂作用下在小車、槳、儲(chǔ)存區(qū)之間互相移動(dòng)。抽風(fēng)系統(tǒng)：位于晶片裝載區(qū)上方，初步的冷卻石墨舟和一定程度的過濾殘余氣體SLS系統(tǒng)：軟著落系統(tǒng)，控制槳的上下，移動(dòng)范圍在2—3厘米PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3晶片裝載區(qū)：槳、LIFT、抽風(fēng)系統(tǒng)、SLS系統(tǒng)。PECVD設(shè)10爐體：石英管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)石英管：爐體內(nèi)有四根石英管，是鍍膜的作業(yè)區(qū)域，耐高溫、防反應(yīng)。加熱系統(tǒng)：位于石英管外，有五個(gè)溫區(qū)。PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3爐體：石英管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECV11PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)冷卻系統(tǒng)：是一套封閉的循環(huán)水系統(tǒng)，位于加熱系統(tǒng)的金屬外殼，四進(jìn)四出并有一個(gè)主管道，可適量調(diào)節(jié)流量大小。冷卻系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn):沒有消耗凈室空氣不同管間無熱干涉爐環(huán)境的溫度沒有被熱空氣所提升空氣運(yùn)動(dòng)（通風(fēng)裝置）沒有使房間污染噪音水平低一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)冷卻系統(tǒng)：一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)312冷卻系統(tǒng)示意圖一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3冷卻系統(tǒng)示意圖一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)313特氣柜：MFC氣動(dòng)閥

MFC：氣體流量計(jì)（NH3CF4SiH4O2N2）SiH41.8slmNH310.8slmCF43.6slmO23slmN215slm

氣動(dòng)閥：之所以不用電磁閥是因?yàn)殡姶砰y在工作時(shí)容易產(chǎn)生火花，而氣動(dòng)閥可以最大程度的避免火花。PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3特氣柜：MFC氣動(dòng)閥PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)14真空系統(tǒng)真空泵：每一根石英管配置一組泵，包括主泵和輔助泵。蝶閥：可以根據(jù)要求控制閥門的開關(guān)的大小，來調(diào)節(jié)管內(nèi)氣壓的PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3真空系統(tǒng)PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)315控制系統(tǒng)

CMI:是Centrotherm研發(fā)的一個(gè)控制系統(tǒng)，其中界面包括Jobs（界面）、System（系統(tǒng)）、Catalog（目錄）、Setup（軟件）、Alarms（報(bào)警）、Help（幫助）.Jobs:機(jī)器的工作狀態(tài)。System:四根管子的工作狀態(tài)，舟的狀態(tài)以及手動(dòng)操作機(jī)器臂的內(nèi)容。Datalog:機(jī)器運(yùn)行的每一步。

PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3控制系統(tǒng)PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)316PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)Setup:舟的資料的更改，工藝內(nèi)容的更改，使用權(quán)限的更改，LIFT位置的更改，CMS安區(qū)系統(tǒng)（安裝的感應(yīng)器將監(jiān)控重要系統(tǒng)的運(yùn)行情況，而一旦不受管的計(jì)算機(jī)的控制，CMS將會(huì)發(fā)生作用，所有的錯(cuò)誤信息也都會(huì)在CIM上得以簡潔的文本方式顯示出來）的更改等。Alarms：警報(bào)內(nèi)容Help:簡要的說了一下解除警報(bào)以及其他方面的方法CESAR:控制電腦，每一個(gè)系統(tǒng)都安裝了CESAR控制電腦及CESAR控制軟件，此控制電腦獨(dú)立于主電腦系統(tǒng)中。一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)Setup:舟的資料的更改，工藝內(nèi)容的17CESAR控制電腦示意圖運(yùn)行順序控制控制界面數(shù)據(jù)資料記錄溫度特氣真空晶片裝載一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3CESAR控制電腦示意圖運(yùn)行順序控制控制界面數(shù)據(jù)資料記錄溫度18一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)319一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)320一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)321一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)322一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)323一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)324一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)325一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)326一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)327一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)328一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)329演講完畢，謝謝聽講!再見，seeyouagain2022/12/21一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3演講完畢，謝謝聽講!再見，seeyouagain202230一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)32022/12/21一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)32022/12/16一PECVD31PECVD：PlasmaEnhanceChemicalVapourDeposition等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等離子體：由于物質(zhì)分子熱運(yùn)動(dòng)加劇，相互間的碰撞就會(huì)使氣體分子產(chǎn)生電離，這樣的物質(zhì)就會(huì)變成自由運(yùn)動(dòng)并由相互作用的電子、正離子和中性粒子組成混合物的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)即第四態(tài).PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3PECVD：PlasmaEnhanceChemical32工作原理：CentrothermPECVD系統(tǒng)是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發(fā)器的系列發(fā)生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發(fā)生器直接裝在鍍膜板中間發(fā)生反應(yīng)。所用的活性氣體為硅烷SiH4和氨NH3。這些氣體作用于存儲(chǔ)在硅片上的氮化硅。可以根據(jù)改變硅烷對(duì)氨氣的比率，來得到不同的折射指數(shù)。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3工作原理：CentrothermPECVD系統(tǒng)是一組利用33技術(shù)原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。PECVD的原理3SiH4+4NH3→Si3N4+12H2↑一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3技術(shù)原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放34Si3N4的認(rèn)識(shí):Si3N4膜的顏色隨著它的厚度的變化而變化，其理想的厚度是75—80nm之間，表面呈現(xiàn)的顏色是深藍(lán)色，Si3N4膜的折射率在2.0—2.5之間為最佳，與酒精的折射率相乎，通常用酒精來測其折射率。Si3N4的優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)良的表面鈍化效果高效的光學(xué)減反射性能（厚度折射率匹配）低溫工藝（有效降低成本）反應(yīng)生成的H離子對(duì)硅片表面進(jìn)行鈍化.PECVD的原理及作用

一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3Si3N4的認(rèn)識(shí):PECVD的原理及作用一PECVD原理及35物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)：結(jié)構(gòu)致密，硬度大能抵御堿、金屬離子的侵蝕介電強(qiáng)度高耐濕性好PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)：PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)36Si3N4膜的作用:減少光的反射:良好的折射率和厚度可以促進(jìn)太陽光的吸收。防氧化:結(jié)構(gòu)致密保證硅片不被氧化。PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3Si3N4膜的作用:PECVD的原理一PECVD原理及設(shè)備結(jié)37PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)晶片裝載區(qū)爐體特氣柜真空系統(tǒng)控制系統(tǒng)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)晶片裝載區(qū)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)338PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)339晶片裝載區(qū)：槳、LIFT、抽風(fēng)系統(tǒng)、SLS系統(tǒng)。槳：由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防變形等性能。作用是將石墨舟放入或取出石英管。LIFT：機(jī)械臂系統(tǒng)，使舟在機(jī)械臂作用下在小車、槳、儲(chǔ)存區(qū)之間互相移動(dòng)。抽風(fēng)系統(tǒng)：位于晶片裝載區(qū)上方，初步的冷卻石墨舟和一定程度的過濾殘余氣體SLS系統(tǒng)：軟著落系統(tǒng)，控制槳的上下，移動(dòng)范圍在2—3厘米PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3晶片裝載區(qū)：槳、LIFT、抽風(fēng)系統(tǒng)、SLS系統(tǒng)。PECVD設(shè)40爐體：石英管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)石英管：爐體內(nèi)有四根石英管，是鍍膜的作業(yè)區(qū)域，耐高溫、防反應(yīng)。加熱系統(tǒng)：位于石英管外，有五個(gè)溫區(qū)。PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3爐體：石英管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECV41PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)冷卻系統(tǒng)：是一套封閉的循環(huán)水系統(tǒng)，位于加熱系統(tǒng)的金屬外殼，四進(jìn)四出并有一個(gè)主管道，可適量調(diào)節(jié)流量大小。冷卻系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn):沒有消耗凈室空氣不同管間無熱干涉爐環(huán)境的溫度沒有被熱空氣所提升空氣運(yùn)動(dòng)（通風(fēng)裝置）沒有使房間污染噪音水平低一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)冷卻系統(tǒng)：一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)342冷卻系統(tǒng)示意圖一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3冷卻系統(tǒng)示意圖一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)343特氣柜：MFC氣動(dòng)閥

MFC：氣體流量計(jì)（NH3CF4SiH4O2N2）SiH41.8slmNH310.8slmCF43.6slmO23slmN215slm

氣動(dòng)閥：之所以不用電磁閥是因?yàn)殡姶砰y在工作時(shí)容易產(chǎn)生火花，而氣動(dòng)閥可以最大程度的避免火花。PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3特氣柜：MFC氣動(dòng)閥PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)44真空系統(tǒng)真空泵：每一根石英管配置一組泵，包括主泵和輔助泵。蝶閥：可以根據(jù)要求控制閥門的開關(guān)的大小，來調(diào)節(jié)管內(nèi)氣壓的PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3真空系統(tǒng)PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)345控制系統(tǒng)

CMI:是Centrotherm研發(fā)的一個(gè)控制系統(tǒng)，其中界面包括Jobs（界面）、System（系統(tǒng)）、Catalog（目錄）、Setup（軟件）、Alarms（報(bào)警）、Help（幫助）.Jobs:機(jī)器的工作狀態(tài)。System:四根管子的工作狀態(tài)，舟的狀態(tài)以及手動(dòng)操作機(jī)器臂的內(nèi)容。Datalog:機(jī)器運(yùn)行的每一步。

PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)3控制系統(tǒng)PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)一PECVD原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)346PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu)Setup:舟的資料的更改，工藝內(nèi)容的更改，使用權(quán)限的更改，LIFT位置的更改，CMS安區(qū)系統(tǒng)（安裝的感應(yīng)器將監(jiān)控重要系統(tǒng)的運(yùn)行情況，而一旦不受管的計(jì)算機(jī)的控制，CMS將會(huì)發(fā)生作用，所有的錯(cuò)誤信息也都會(huì)在