（8-1）電子技術(shù)

第八章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器數(shù)字電路部分docin/sundae_meng（8-1）電子技術(shù)第八章數(shù)字電路部分docin/s1（8-2）第八章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器§8.1概述§8.2只讀存儲(chǔ)器(ROM)§8.3讀寫存儲(chǔ)器(RAM)docin/sundae_meng（8-2）第八章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器§8.1概述§8.22（8-3）§8.1概述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是由半導(dǎo)體器件構(gòu)成的大規(guī)模集成電路,專門用來(lái)存放二進(jìn)制信息的,是任何數(shù)字電路不可缺少的一部分.docin/sundae_meng（8-3）§8.1概述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是由半導(dǎo)體器件構(gòu)成的大3（8-4）按所用半導(dǎo)體器件的不同,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為:1.雙極型-----工作速度快,在微機(jī)中作高速緩存2.MOS型-----功耗小,因而集成度高.用于大容量存儲(chǔ),如微機(jī)中的內(nèi)存條docin/sundae_meng（8-4）按所用半導(dǎo)體器件的不同,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為:1.雙極4（8-5）(Ultraviolet)1.只讀存儲(chǔ)器ReadOnlyMemory

按存取方式半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為:1)ROM2)PROM------programmable3)EPROMUVEPROM(Erasable)E2PROM(Electrically)信息可長(zhǎng)期保存,斷電也不丟失docin/sundae_meng（8-5）(Ultraviolet)1.只讀存儲(chǔ)器5（8-6）2.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RandomAccessMemoryRAM1)SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

(static)2)DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)存取器(Dynamic)任何時(shí)刻對(duì)任何單元都能直接寫入或讀出二進(jìn)制信息,斷電后信息就丟失。docin/sundae_meng（8-6）2.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RandomAccessM6（8-7）3.順序存取存儲(chǔ)器SequentialAccessMemorySAMFIFOFirstinFirstoutFILOFirstinLastout順序存取存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是先入先出或先入后出docin/sundae_meng（8-7）3.順序存取存儲(chǔ)器SAMFIFOFirst7（8-8）§8.2只讀存儲(chǔ)器(ROM)只讀存儲(chǔ)器在工作時(shí)其存儲(chǔ)內(nèi)容是固定不變的，因此，只能讀出，不能隨時(shí)寫入，所以稱為只讀存儲(chǔ)器。8.2.1ROM的基本結(jié)構(gòu)及工作原理ROM主要組成部分：

1.地址譯碼器

2.存儲(chǔ)矩陣

3.輸出電路。ReadOnlyMemory...docin/sundae_meng（8-8）§8.2只讀存儲(chǔ)器(ROM)只讀存儲(chǔ)器在工8（8-9）A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端輸出電路存儲(chǔ)矩陣字線位線簡(jiǎn)單的二極管ROM電路docin/sundae_meng（8-9）A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D9（8-10）000011111111111000000001地址A1A0D3D2D1D0內(nèi)容位線A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端字線輸入任意一個(gè)地址碼，譯碼器就可使與之對(duì)應(yīng)的某條字線為高電平，進(jìn)而從位線上讀出四位輸出數(shù)字量。docin/sundae_meng（8-10）00001111111111100000000110（8-11）+VCCW3W0W1W2D0D1D2D3有MOS管的單元存儲(chǔ)“0”；無(wú)MOS管的單元存儲(chǔ)“1”。下圖是使用MOS管的ROM矩陣：docin/sundae_meng（8-11）+VCCW3W0W1W2D0D1D2D3有MO11（8-12）固定ROM：在前面介紹的兩種存儲(chǔ)器中，其存儲(chǔ)單元中的內(nèi)容在出廠時(shí)已被完全固定下來(lái)，使用時(shí)不能變動(dòng)。

PROM：有一種可編程序的ROM，在出廠時(shí)全部存儲(chǔ)“1”，用戶可根據(jù)需要將某些單元改寫為“0”,然而只能改寫一次。ROM的類型docin/sundae_meng（8-12）固定ROM：在前面介紹的兩種存儲(chǔ)器中，其存儲(chǔ)單12（8-13）

若將熔絲燒斷，該單元?jiǎng)t變成“0”。顯然，一旦燒斷后不能再恢復(fù)。字線位線熔斷絲A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端docin/sundae_meng（8-13）若將熔絲燒斷，該單元?jiǎng)t變成“0”。顯13（8-14）

EPROM：一種可以改寫多次的ROM。它所存儲(chǔ)的信息可以用紫外線或X射線照射檫去（Erasable

），然后又可以重新編制信息。

存儲(chǔ)容量是ROM的主要技術(shù)指標(biāo)之一，它一般用[存儲(chǔ)字?jǐn)?shù)：2N].[輸出位數(shù)：M]來(lái)表示(其中N為存儲(chǔ)器的地址線數(shù))。例如：128(字).8(位)、1024(字)8(位)等等。.EPROM的結(jié)構(gòu)及工作原理可見《數(shù)字電子技術(shù)》P301（閻石主編）docin/sundae_meng（8-14）EPROM：一種可以改寫多次的ROM。它所14（8-15）PN+N+G1DSG2SIO2層SIMOS---迭柵注入MOS管G1控制極G2浮柵極符號(hào)docin/sundae_meng（8-15）PN+N+G1DSG2SIO2層SIMOS--15（8-16）當(dāng)S、D極間加以較高電壓（約+20~+25V)時(shí),將發(fā)生雪崩擊穿,如果同時(shí)在控制極加上高壓脈沖(幅度約+25V,寬度約50ms),一些速度較高的電子就能穿過(guò)SIO2層到達(dá)浮置柵極,行成注入電荷。注入了電荷的SIMOS管相當(dāng)于寫入了1，沒注入電荷的相當(dāng)于存入了0。SIMOS--StackedgateInjuntionMetalOxideSemiconductordocin/sundae_meng（8-16）當(dāng)S、D極間加以較高電壓（約+20~+25V)時(shí)16（8-17）字線位線注入了電子的0010Vccdocin/sundae_meng（8-17）字線位線注入了0010Vccdocin/sund17（8-18）8.2.2ROM的應(yīng)用舉例例1.

用于存儲(chǔ)固定的專用程序。例2.

利用ROM可實(shí)現(xiàn)查表或碼制變換等功能。查表功能－－例：查某個(gè)角度的三角函數(shù)碼制變換：地址——欲變換的編碼相應(yīng)ROM中的內(nèi)容——目的編碼地址碼——變量值（角度）“造表”相應(yīng)ROM中的內(nèi)容——函數(shù)值輸入地址(角度)輸出函數(shù)值“查表”docin/sundae_meng（8-18）8.2.2ROM的應(yīng)用舉例例1.用于存儲(chǔ)固18（8-19）例3.ROM在波形發(fā)生器中的應(yīng)用。ROMD/A計(jì)數(shù)器CP計(jì)數(shù)脈沖送示波器34A1A2A0D3D2D1D0D/A01000000000001111111111100000000000000000000001111111111124812963tuo0docin/sundae_meng（8-19）例3.ROM在波形發(fā)生器中的應(yīng)用。ROMD/19（8-20）tuo0ROMD/A計(jì)數(shù)器CP計(jì)數(shù)脈沖送示波器34uoA1A2A0D3D2D1D0D/A01000000000001111111111100000000000000000000001111111111124812963docin/sundae_meng（8-20）tuo0ROMD/A計(jì)數(shù)器CP計(jì)數(shù)脈沖送示波器320（8-21）P3271、用ROM構(gòu)成序列脈沖發(fā)生器2、用ROM構(gòu)成序列脈沖發(fā)生器3、用ROM構(gòu)成字符發(fā)生器docin/sundae_meng（8-21）P3271、用ROM構(gòu)成序列脈沖發(fā)生器2、用RO21（8-22）§8.3讀寫存儲(chǔ)器(RAM)讀寫存儲(chǔ)器又稱隨機(jī)存儲(chǔ)器——

RandomAccessMemory。讀寫存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是：在工作過(guò)程中，既可從存儲(chǔ)器的任意單元讀出信息，又可以把外界信息寫入任意單元，因此它被稱為隨機(jī)存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱RAM

。docin/sundae_meng（8-22）§8.3讀寫存儲(chǔ)器(RAM)讀寫存儲(chǔ)器又22（8-23）8.3.1SRAM的基本存儲(chǔ)單元WiDD符號(hào)VCCWiDDO/IR/W123T2T3T4T5T6QQT1字線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線docin/sundae_meng（8-23）8.3.1SRAM的基本存儲(chǔ)單元WiDD符號(hào)23（8-24）工作原理:O/IWiDDR/W123T2T3T4T5T6QT1字線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線VCCQVCCT2T1T3T4docin/sundae_meng（8-24）工作原理:O/IWiDDR/W123T2T324（8-25）工作原理:1.信息的基本存儲(chǔ)單元：由增強(qiáng)型NMOS管T1和T2、T3和T4構(gòu)成一個(gè)基本R-S觸發(fā)器。2.T5和T6是門控管，由字線Wi控制其導(dǎo)通或截止：

Wi＝1則導(dǎo)通，否則截止。docin/sundae_meng（8-25）工作原理:1.信息的基本存儲(chǔ)單元：由增強(qiáng)型25（8-26）3.門控管T5和T6導(dǎo)通時(shí)可以進(jìn)行“讀”或“寫”的操作。VCCWiDDO/IR/W123T2T3T4T5T6QQT1數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線字線如果數(shù)據(jù)線先被加上外來(lái)電壓，則執(zhí)行“寫”操作；反之，則執(zhí)行“讀”操作。docin/sundae_meng（8-26）3.門控管T5和T6導(dǎo)通時(shí)可以進(jìn)行“讀”或“寫26（8-27）VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1字線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線4.R/W的控制作用R/W=0時(shí)，三態(tài)門1、3接通，而門2處于高阻，使I/O信號(hào)得以經(jīng)過(guò)門1、3送到數(shù)據(jù)線上，以便寫入；R/W＝1時(shí)，門1、3處于高阻狀態(tài)，門2接通，將數(shù)據(jù)線上電位送到I/O，以便讀出。R/W123數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線docin/sundae_meng（8-27）VCCWiDDI/OR/W123T2T3T427（8-28）8.3.2單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元(DRAM)是目前所有大容量DRAM首選存儲(chǔ)單元,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單但需要配置靈敏恢復(fù)/讀出放大器破壞性讀出字線位線CSCBdocin/sundae_meng（8-28）8.3.2單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元(DRAM)是目前所28（8-29）W3W2W1W0地址譯碼器讀寫及輸入/輸出控制I/O1I/O0CSR/WA0A1D1D1D0D0存儲(chǔ)矩陣8.3.3存儲(chǔ)器的整體結(jié)構(gòu)docin/sundae_meng（8-29）W3W2W1W0地址譯碼器讀寫及輸入/輸出控29（8-30）工作原理:VCCT2T1T3T4DD列選線行選線docin/sundae_meng（8-30）工作原理:VCCT2T1T3T4DD列選線行選線30（8-31）64×64存儲(chǔ)矩陣D3D2D1D0D3D2D1D0I/O電路列地址譯碼A4A9A0A3A1A2docin/sundae_meng（8-31）64×64存儲(chǔ)矩陣D3D2D1D0D3D2D1D31（8-32）8.3.4RAM組件及其連接123456789181716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R/WRAM2114管腳圖2345678910232221201918171615A0A1D0A3A4A5A6A9A10CSGNDVCCD3D2D1D4RAM6116管腳圖A2A711112141324A8D5D6D7RDWRdocin/sundae_meng（8-32）8.3.4RAM組件及其連接123456732（8-33）一、擴(kuò)大RAM(如2114)的位數(shù)要達(dá)到這個(gè)目的方法很簡(jiǎn)單，只要把各片地址線對(duì)應(yīng)連接在一起，而數(shù)據(jù)線并行使用即可，示范接線如下圖：D7A9A0R/WCSD1D3D2D0A9A0R/WCSD1D3D2D0......D6D5D4D1D3D2D0...CSR/WA0A92114(1)2114(2)用(兩片2114)1024×4構(gòu)成1024×8docin/sundae_meng（8-33）一、擴(kuò)大RAM(如2114)的位數(shù)要達(dá)到這33（8-34）二、增加RAM(如2114)的字?jǐn)?shù)通過(guò)用1024×4(4片2114)構(gòu)成4096×4為例，介紹解決這類問(wèn)題的辦法。(1)訪問(wèn)4096個(gè)單元，必然有12

根地址線；(2)訪問(wèn)RAM2114，只需10

根地址線，尚余2根地址線；(3)設(shè)法用剩余的

2根地址線去控制4個(gè)2114的片選端。思路：docin/sundae_meng（8-34）二、增加RAM(如2114)的字?jǐn)?shù)通過(guò)用34（8-35）CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA9A0D2D1D0D324譯碼器A11A10A0A9D3D2D1D02114(1)2114(2)2114(3)2114(4)R/WY0Y3docin/sundae_meng（8-35）CSR/WA9A0D2D1D0D3CSR/WA935（8-36）A11A10選中片序號(hào)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元00112114(1)2114(2)2114(3)2114(4)0000~10231024~20472048~30713072~40950110docin/sundae_meng（8-36）A11A10選中片序號(hào)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元036（8-37）第八章結(jié)束電子技術(shù)數(shù)字電路部分docin/sundae_meng（8-37）第八章電子技術(shù)數(shù)字電路部分docin/sund37（8-38）電子技術(shù)

第八章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器數(shù)字電路部分docin/sundae_meng（8-1）電子技術(shù)第八章數(shù)字電路部分docin/s38（8-39）第八章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器§8.1概述§8.2只讀存儲(chǔ)器(ROM)§8.3讀寫存儲(chǔ)器(RAM)docin/sundae_meng（8-2）第八章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器§8.1概述§8.239（8-40）§8.1概述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是由半導(dǎo)體器件構(gòu)成的大規(guī)模集成電路,專門用來(lái)存放二進(jìn)制信息的,是任何數(shù)字電路不可缺少的一部分.docin/sundae_meng（8-3）§8.1概述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是由半導(dǎo)體器件構(gòu)成的大40（8-41）按所用半導(dǎo)體器件的不同,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為:1.雙極型-----工作速度快,在微機(jī)中作高速緩存2.MOS型-----功耗小,因而集成度高.用于大容量存儲(chǔ),如微機(jī)中的內(nèi)存條docin/sundae_meng（8-4）按所用半導(dǎo)體器件的不同,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為:1.雙極41（8-42）(Ultraviolet)1.只讀存儲(chǔ)器ReadOnlyMemory

按存取方式半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為:1)ROM2)PROM------programmable3)EPROMUVEPROM(Erasable)E2PROM(Electrically)信息可長(zhǎng)期保存,斷電也不丟失docin/sundae_meng（8-5）(Ultraviolet)1.只讀存儲(chǔ)器42（8-43）2.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RandomAccessMemoryRAM1)SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

(static)2)DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)存取器(Dynamic)任何時(shí)刻對(duì)任何單元都能直接寫入或讀出二進(jìn)制信息,斷電后信息就丟失。docin/sundae_meng（8-6）2.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RandomAccessM43（8-44）3.順序存取存儲(chǔ)器SequentialAccessMemorySAMFIFOFirstinFirstoutFILOFirstinLastout順序存取存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是先入先出或先入后出docin/sundae_meng（8-7）3.順序存取存儲(chǔ)器SAMFIFOFirst44（8-45）§8.2只讀存儲(chǔ)器(ROM)只讀存儲(chǔ)器在工作時(shí)其存儲(chǔ)內(nèi)容是固定不變的，因此，只能讀出，不能隨時(shí)寫入，所以稱為只讀存儲(chǔ)器。8.2.1ROM的基本結(jié)構(gòu)及工作原理ROM主要組成部分：

1.地址譯碼器

2.存儲(chǔ)矩陣

3.輸出電路。ReadOnlyMemory...docin/sundae_meng（8-8）§8.2只讀存儲(chǔ)器(ROM)只讀存儲(chǔ)器在工45（8-46）A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端輸出電路存儲(chǔ)矩陣字線位線簡(jiǎn)單的二極管ROM電路docin/sundae_meng（8-9）A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D46（8-47）000011111111111000000001地址A1A0D3D2D1D0內(nèi)容位線A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端字線輸入任意一個(gè)地址碼，譯碼器就可使與之對(duì)應(yīng)的某條字線為高電平，進(jìn)而從位線上讀出四位輸出數(shù)字量。docin/sundae_meng（8-10）00001111111111100000000147（8-48）+VCCW3W0W1W2D0D1D2D3有MOS管的單元存儲(chǔ)“0”；無(wú)MOS管的單元存儲(chǔ)“1”。下圖是使用MOS管的ROM矩陣：docin/sundae_meng（8-11）+VCCW3W0W1W2D0D1D2D3有MO48（8-49）固定ROM：在前面介紹的兩種存儲(chǔ)器中，其存儲(chǔ)單元中的內(nèi)容在出廠時(shí)已被完全固定下來(lái)，使用時(shí)不能變動(dòng)。

PROM：有一種可編程序的ROM，在出廠時(shí)全部存儲(chǔ)“1”，用戶可根據(jù)需要將某些單元改寫為“0”,然而只能改寫一次。ROM的類型docin/sundae_meng（8-12）固定ROM：在前面介紹的兩種存儲(chǔ)器中，其存儲(chǔ)單49（8-50）

若將熔絲燒斷，該單元?jiǎng)t變成“0”。顯然，一旦燒斷后不能再恢復(fù)。字線位線熔斷絲A1A0A1A0A1A0A1A0A1A0D3D2D1D0-VCC譯碼器K:輸出控制端docin/sundae_meng（8-13）若將熔絲燒斷，該單元?jiǎng)t變成“0”。顯50（8-51）

EPROM：一種可以改寫多次的ROM。它所存儲(chǔ)的信息可以用紫外線或X射線照射檫去（Erasable

），然后又可以重新編制信息。

存儲(chǔ)容量是ROM的主要技術(shù)指標(biāo)之一，它一般用[存儲(chǔ)字?jǐn)?shù)：2N].[輸出位數(shù)：M]來(lái)表示(其中N為存儲(chǔ)器的地址線數(shù))。例如：128(字).8(位)、1024(字)8(位)等等。.EPROM的結(jié)構(gòu)及工作原理可見《數(shù)字電子技術(shù)》P301（閻石主編）docin/sundae_meng（8-14）EPROM：一種可以改寫多次的ROM。它所51（8-52）PN+N+G1DSG2SIO2層SIMOS---迭柵注入MOS管G1控制極G2浮柵極符號(hào)docin/sundae_meng（8-15）PN+N+G1DSG2SIO2層SIMOS--52（8-53）當(dāng)S、D極間加以較高電壓（約+20~+25V)時(shí),將發(fā)生雪崩擊穿,如果同時(shí)在控制極加上高壓脈沖(幅度約+25V,寬度約50ms),一些速度較高的電子就能穿過(guò)SIO2層到達(dá)浮置柵極,行成注入電荷。注入了電荷的SIMOS管相當(dāng)于寫入了1，沒注入電荷的相當(dāng)于存入了0。SIMOS--StackedgateInjuntionMetalOxideSemiconductordocin/sundae_meng（8-16）當(dāng)S、D極間加以較高電壓（約+20~+25V)時(shí)53（8-54）字線位線注入了電子的0010Vccdocin/sundae_meng（8-17）字線位線注入了0010Vccdocin/sund54（8-55）8.2.2ROM的應(yīng)用舉例例1.

用于存儲(chǔ)固定的專用程序。例2.

利用ROM可實(shí)現(xiàn)查表或碼制變換等功能。查表功能－－例：查某個(gè)角度的三角函數(shù)碼制變換：地址——欲變換的編碼相應(yīng)ROM中的內(nèi)容——目的編碼地址碼——變量值（角度）“造表”相應(yīng)ROM中的內(nèi)容——函數(shù)值輸入地址(角度)輸出函數(shù)值“查表”docin/sundae_meng（8-18）8.2.2ROM的應(yīng)用舉例例1.用于存儲(chǔ)固55（8-56）例3.ROM在波形發(fā)生器中的應(yīng)用。ROMD/A計(jì)數(shù)器CP計(jì)數(shù)脈沖送示波器34A1A2A0D3D2D1D0D/A01000000000001111111111100000000000000000000001111111111124812963tuo0docin/sundae_meng（8-19）例3.ROM在波形發(fā)生器中的應(yīng)用。ROMD/56（8-57）tuo0ROMD/A計(jì)數(shù)器CP計(jì)數(shù)脈沖送示波器34uoA1A2A0D3D2D1D0D/A01000000000001111111111100000000000000000000001111111111124812963docin/sundae_meng（8-20）tuo0ROMD/A計(jì)數(shù)器CP計(jì)數(shù)脈沖送示波器357（8-58）P3271、用ROM構(gòu)成序列脈沖發(fā)生器2、用ROM構(gòu)成序列脈沖發(fā)生器3、用ROM構(gòu)成字符發(fā)生器docin/sundae_meng（8-21）P3271、用ROM構(gòu)成序列脈沖發(fā)生器2、用RO58（8-59）§8.3讀寫存儲(chǔ)器(RAM)讀寫存儲(chǔ)器又稱隨機(jī)存儲(chǔ)器——

RandomAccessMemory。讀寫存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是：在工作過(guò)程中，既可從存儲(chǔ)器的任意單元讀出信息，又可以把外界信息寫入任意單元，因此它被稱為隨機(jī)存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱RAM

。docin/sundae_meng（8-22）§8.3讀寫存儲(chǔ)器(RAM)讀寫存儲(chǔ)器又59（8-60）8.3.1SRAM的基本存儲(chǔ)單元WiDD符號(hào)VCCWiDDO/IR/W123T2T3T4T5T6QQT1字線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線docin/sundae_meng（8-23）8.3.1SRAM的基本存儲(chǔ)單元WiDD符號(hào)60（8-61）工作原理:O/IWiDDR/W123T2T3T4T5T6QT1字線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線VCCQVCCT2T1T3T4docin/sundae_meng（8-24）工作原理:O/IWiDDR/W123T2T361（8-62）工作原理:1.信息的基本存儲(chǔ)單元：由增強(qiáng)型NMOS管T1和T2、T3和T4構(gòu)成一個(gè)基本R-S觸發(fā)器。2.T5和T6是門控管，由字線Wi控制其導(dǎo)通或截止：

Wi＝1則導(dǎo)通，否則截止。docin/sundae_meng（8-25）工作原理:1.信息的基本存儲(chǔ)單元：由增強(qiáng)型62（8-63）3.門控管T5和T6導(dǎo)通時(shí)可以進(jìn)行“讀”或“寫”的操作。VCCWiDDO/IR/W123T2T3T4T5T6QQT1數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線字線如果數(shù)據(jù)線先被加上外來(lái)電壓，則執(zhí)行“寫”操作；反之，則執(zhí)行“讀”操作。docin/sundae_meng（8-26）3.門控管T5和T6導(dǎo)通時(shí)可以進(jìn)行“讀”或“寫63（8-64）VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1字線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線4.R/W的控制作用R/W=0時(shí)，三態(tài)門1、3接通，而門2處于高阻，使I/O信號(hào)得以經(jīng)過(guò)門1、3送到數(shù)據(jù)線上，以便寫入；R/W＝1時(shí)，門1、3處于高阻狀態(tài)，門2接通，將數(shù)據(jù)線上電位送到I/O，以便讀出。R/W123數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線docin/sundae_meng（8-27）VCCWiDDI/OR/W123T2T3T464（8-65）8.3.2單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元(DRAM)是目前所有大容量DRAM首選存儲(chǔ)單元,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單但需要配置靈敏恢復(fù)/讀出放大器破壞性讀出字線位線CSCBdocin/sundae_meng（8-28）8.3.2單管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元(DRAM)是目前所65（8-66）W3W2W1W0地址譯碼器讀寫及輸入/輸出控制I/O1I/O0CSR/WA0A1D1D1D0D0存儲(chǔ)矩陣8.3.3存儲(chǔ)器的整體結(jié)構(gòu)docin/sundae_meng（8-29）W3W2W1W0地址譯碼器讀寫及輸入/輸出控66（8-67）工作原理:VCCT2T1T3T4DD列選線行選線docin/sundae_meng（8-30）工作原理:VCCT2T1T3T4DD列選線行選線67（8-68）64×64存儲(chǔ)矩陣D3D2D1D0D3D2D1D0I/O電路列地址譯碼A4A9A0A3A1A2docin/sundae_meng（8-31）64×64存儲(chǔ)矩陣D3D2D1D0D3D2D1D68（8-69）8.3.4RAM組件及其連接1234