計算機系統(tǒng)訪問硬盤的速度往往遠遠慢于訪問內(nèi)存的速度，正因如此計算機的發(fā)明者才發(fā)明了內(nèi)存，由它作為CPU與硬盤之間的緩沖，由此計算機系統(tǒng)就形成了CPU，處理器緩存，內(nèi)存，硬盤這樣的四級存儲結(jié)構(gòu)。這并不是什么創(chuàng)舉，而是計算機科學(xué)家無可奈何的選擇。到目前為止硬盤性能低下的狀況并沒有得到什么改善，它在10年之前就已經(jīng)成為計算機系統(tǒng)的瓶頸了，雖然信息技術(shù)在10年內(nèi)的變化驚人，但是硬盤的瓶頸并沒有因為技術(shù)進步而消除，反而變的越來越嚴(yán)重。我們相信大家一定清楚這意味著什么，也許你使用頂級的雙核處理器，也擁有頂級的雙顯卡，但是系統(tǒng)啟動速度卻快不了多少，大型游戲漫長的加載過程也使玩家急不可耐，就連PhotoShop,OUTLOOK這樣的軟件也需要花費數(shù)秒的啟動時間，而不是我們想象的那樣一點就開。閃電頻道:外部設(shè)E-=^程序』原始數(shù)據(jù)!運行結(jié)果:i輸入翩出命奄閃電頻道:外部設(shè)E-=^程序』原始數(shù)據(jù)!運行結(jié)果:i輸入翩出命奄Flash閃存作為存儲家族中的一員，雖然在速度上還和DRAM相差很遠，但比起機械結(jié)構(gòu)，依靠磁性存儲的硬盤要快很多，而且它具備和硬盤一樣的掉電不丟失數(shù)據(jù)的特征，如果我們使用FLASH閃存取代硬盤作為主要的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備，上面的問題豈不可以得到解決?快速的讀取讓軟件啟動速度大大的加快，用戶可以行云流水般的流暢的操作電腦，這不僅僅是效率的提升，更是用戶對電腦使用上感受的提升，讓用戶使用電腦的時候保持輕松愉快的心情，這一美妙的設(shè)想并不遙遠，在06年3月份舉行的IDF技術(shù)論壇上，Intel就公布了其使用NAND閃存作為硬盤緩沖區(qū)的技術(shù)，這項技術(shù)被命名為“Robson”技術(shù)。

點29FQ4G08AAWBigFr|06H6K薩三J㈢?'⑴斜Robson模塊?閃存作為硬盤緩沖的技術(shù)可行性點29FQ4G08AAWBigFr|06H6K薩三J㈢?'⑴斜在介紹Robson技術(shù)之前，我們有必要進一步探討硬盤瓶頸以及使用Flash閃存作為緩沖的技術(shù)可行性。閃曲頻.:首ATA/33|ata/w叫.心&沁召133薄旎溷99200001020304硬盤接口發(fā)展在過去的10年中，作為計算機核心組件的處理器一直都精確的按照摩爾定律向前發(fā)展，芯片集成度每18個月翻一翻，處理器性能大幅度攀升，內(nèi)存技術(shù)和圖形技術(shù)的發(fā)展也是日新月異，尤其是圖形領(lǐng)域的技術(shù)革新遠快于處理器，然而并非所有部件都能保持如此高的發(fā)展速度，最典型的就是硬盤性能。在接口方

面，硬盤的技術(shù)提升還算積極，從ATA-33到ATA-66,ATA-100和ATA-133，再到現(xiàn)在的SATA150,SATA300標(biāo)準(zhǔn)，硬盤的接口傳輸速率提升了近10倍，當(dāng)前最新的SATA300標(biāo)準(zhǔn)可以提供300MB/S的接口傳輸速率，理論上傳輸1G的文件，只需要3.3秒，加載數(shù)據(jù)，啟動系統(tǒng)，開啟程序緩慢的情況將不可能發(fā)生。硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)然后上面只是美好的設(shè)想，真正決定硬盤性能高低的是內(nèi)部讀取性能，磁頭要獲取數(shù)據(jù)就必須在機械驅(qū)動下到達制定位置，通過磁場的作用產(chǎn)生反饋的電訊號，進而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的輸出，這種機械式的讀取方式，令硬盤無法快速提升其效能，如今7200轉(zhuǎn)硬盤平均讀取性能只有50M左右，而主流筆記本的5400轉(zhuǎn)硬盤僅僅為30M，很難令人滿意。再者，硬盤的機械結(jié)構(gòu)很難實現(xiàn)瞬時響應(yīng)，主流7200轉(zhuǎn)硬盤平均尋道時間在8—10毫秒左右，平均延遲時間在4毫秒左右，這樣總的讀寫延遲在12毫秒以上。而筆記本硬盤由于轉(zhuǎn)速更低，讀寫延遲時間要更長一些，這樣對于那些需要頻繁讀取數(shù)據(jù)的應(yīng)用而言，反應(yīng)慢，性能低下的硬盤無疑是非常嚴(yán)重的制約。Intel在介紹其Robson技術(shù)前列出這樣的數(shù)據(jù)：在過去的10年間，硬盤速度只保持2.5%左右的年平均增長率，累計到現(xiàn)在只有1.3倍左右的性能提升。但是同時，微處理器性能提升超過30倍，硬盤領(lǐng)域的技術(shù)革新遠遠落后于微處理器，這種不對等的發(fā)展造就的弊端就是計算機在數(shù)據(jù)存取時造成的明顯的數(shù)據(jù)瓶頸，進而嚴(yán)重拖慢了系統(tǒng)運行的速度。如果處理器需要數(shù)據(jù)，那么它首先搜索自己的緩存單元，這個過程處理器必須停步等待，如果緩存中沒有數(shù)據(jù)，處理器就必須從內(nèi)存中獲取，倘若內(nèi)存中依然沒有需要的數(shù)據(jù)，處理器就必須在速度緩慢的硬盤中尋找，這個過程往往需要耗費數(shù)秒的時間，對于頻率很高的處理器來說，區(qū)區(qū)幾秒的等待，就浪費了大量運算周期。實際使用中就是系統(tǒng)開機過程緩慢，程序加載速度緩慢，看起來不大不小的問題，卻嚴(yán)重影響了用戶的使用感受。NAND閃存以NAND型閃存作為硬盤的緩存區(qū)在技術(shù)上完全可行，首先，NAND閃存具有不揮發(fā)性，在掉電的情況下，閃存中的數(shù)據(jù)也可以永久保存，與磁性記錄的硬盤毫無二致，作為硬盤的緩存非常合適。其次，NAND閃存在速度上擁有絕對的優(yōu)勢，目前三星的“OneNAND”型閃存可以達到108M的平均讀取性能，雖然目前的7200轉(zhuǎn)硬盤的突發(fā)傳輸速率可以到達120M以上，但是其平均傳輸速率只有50M左右。僅為OneNAND閃存的一半，即使是傳統(tǒng)的NAND閃存的讀取速率也能達到36M左右，超過各品牌5400轉(zhuǎn)筆記本硬盤。而這些都基本是NAND閃存最基本的數(shù)據(jù)規(guī)格，如果采用內(nèi)存模組的多芯片，多傳輸通道設(shè)計，那么NAND的傳輸速度會有成倍的提升。在寫入方面，NAND/OneNAND閃存在7-10M范圍內(nèi)，這個指標(biāo)雖然比較低，但是在多通道設(shè)計下，閃存模塊同樣可以實現(xiàn)超越硬盤的寫入速度。如果能以高速NAND閃存來取代硬盤承擔(dān)主要的數(shù)據(jù)讀寫任務(wù)，那么數(shù)據(jù)操作性將大大加快，最直接的好處就是系統(tǒng)開機和程序加載時間將會大大縮短，這無疑將會給用戶帶來更好的使用感受。不過，要將這種想法變成現(xiàn)實還并不是那么容易，必須要面對以下兩個問題，其一，NAND閃存加速功能采用何種形式與系統(tǒng)連接。其二，如何在軟件上提供支持，令NAND閃存的讀寫優(yōu)先級別高于硬盤。?Robson技術(shù)：NAND擴展卡讓存儲加速Robson技術(shù)將會首先出現(xiàn)在代號為“SantaRosa”的第四代移動技術(shù)平臺中，這樣筆記本將成為Robson技術(shù)最早的受益者。在具體實現(xiàn)上Robson采用閃存加速卡+核心驅(qū)動的模式運作，擴展卡包含一塊NAND閃存，閃存容量可以在128M-4G之間，閃存的容量越大，容納的數(shù)據(jù)量就越大，加速效果越好，控制芯片則負(fù)責(zé)傳輸實際的數(shù)據(jù)讀寫動作，功能類似于PC系統(tǒng)中的內(nèi)存控制器，而它采用何種設(shè)計直接關(guān)系到閃存加速能達到什么樣的效果。

CrestlineChipsetRobsonModuleCrestlineChipsetRobsonModuleIntefsNANDTechnologyinSantaRosa我們知道，諸如USB接口的閃存盤以及各種閃存卡的讀寫速度都非常的慢，主要原因在于接口控制芯片的制約，令內(nèi)部的NAND閃存無法在最高性能的理想模式下工作，再加上這些設(shè)備對速度并沒有太高的要求，廠商一般都使用讀寫速度為17M/S的低速NAND閃存芯片，在這些因素的制約下，U盤和存儲卡自然就無法獲得高性能。但是Robson加速卡以性能為第一要務(wù)，除采用高速NAND閃存外，英特爾還將采用多通道總線，將多枚NAND芯片捆綁在一起并行讀寫，這樣就可以大幅度提高閃存模塊的讀寫效能，從NAND閃存現(xiàn)有性能指標(biāo)來看，并行讀寫的效果將極其驚人，若采用108M/S讀取速度規(guī)格的OneNAND閃存，且采用雙芯片并行讀寫的設(shè)計方案，那么Robson模塊將可獲得200M/S以上的讀取速率。作為對比，我們不妨看以下事實，若采用15000轉(zhuǎn)的SCSI硬盤構(gòu)成RAID0系統(tǒng)，平均讀速率大約可以在100-130MB/s左右，盡管英特爾還沒有完全公布Robson模塊的具體設(shè)計細節(jié)，但業(yè)界認(rèn)為它將會遠超過硬盤的讀寫速度。Robson接口控制芯片除了負(fù)責(zé)閃存讀寫的實際控制之外，還掌管模塊本身與系統(tǒng)的通訊。Robson并非采用專用于存儲的SATA-300接口，而是采用PCIExpress串行總線直接連接在南橋上，Robson將會采用小體積的MINIPCIExpress卡的形式存在，這種卡的外觀類似于迅馳平臺的3945abg無限網(wǎng)絡(luò)模塊。如果用戶嫌模塊中閃存容量不夠大，還可以自己更換規(guī)格更高的Robson加速卡。但是輕薄型的筆記本內(nèi)部空間可能沒有那么充裕，無法提供Robson加速卡的安裝位置，那么直接將Robson加速卡上的元件焊接在主板上，也許是個不錯的主意。

ICHxMww!島1?-PCI-Einterface-Mmicard-HalfMinicard?GMCHRcbsonDriverRobsoriOverviewPlatformNVdiskICHxMww!島1?-PCI-Einterface-Mmicard-HalfMinicard?GMCHRcbsonDriverRobsoriOverviewPlatformNVdiskcache:-ScalableCapacity-DrivermanagedOpC.由fiphhc，DRAMRobsonHW如果沒有驅(qū)動程序的支持，Robson加速卡就和一塊普通USB閃存盤沒有區(qū)別，倘若要實現(xiàn)加速功能，就要求系統(tǒng)在啟動程序和做各類數(shù)據(jù)操作時都將Robson作為第一選擇，顯然專門的驅(qū)動程序必不可少。英特爾表示Robson驅(qū)動將具有跨平臺性質(zhì)，除了WindowsVista以外，WindowsXP，MacOS以及Linux操作系統(tǒng)都將有對應(yīng)的Robson驅(qū)動，以保證該技術(shù)在各類操作平臺中都保證受益。驅(qū)動程序的主要功能就是將系統(tǒng)和應(yīng)用程序啟動所需的數(shù)據(jù)，預(yù)先加載到Robson加速卡中，閃存容量越大，就能容納越多的程序。ArthicrturtStHchti-RobsonArchitecture?NANDflashsolutiononPCI-ebus,ArthicrturtStHchti-RobsonArchitecture?NANDflashsolutiononPCI-ebus,InteldriverinterfacestoMicrosoftReadyBoost*andReadyDrive*?O-ROMhandlespredriverloadcachemanagement成蹄冷七，cn卜UKUM■W"■j--r-?.■?Supportson-motherboardandminicardsolutionsArwMW"TtfvAmupvz乳E麻M111WFMWwrrRcblonDiivMCTRL-OpecaGirtg這樣，當(dāng)用戶啟動操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序時，CPU將會通過PCIE總線直接從Robson加速卡中獲取數(shù)據(jù)，并將其加載到內(nèi)存中。因為Robson加速卡讀取響應(yīng)更快，數(shù)據(jù)傳輸率也就更高，加載等量數(shù)據(jù)所需要的時間也就更少，因此就能提高啟動速度。在數(shù)據(jù)寫入的時候，Robson驅(qū)動將Robson加速卡作為第一寫入目標(biāo)，數(shù)據(jù)首先被寫入到閃存中，如果閃存空間寫滿，系統(tǒng)會自動啟動硬盤，并將相應(yīng)的數(shù)據(jù)寫入。在這個過程中，硬盤可以長期處于休眠狀態(tài)，這不僅有利于大幅度降低系統(tǒng)的功耗，更可以降低硬盤的發(fā)熱量，提高筆記本使用舒適度，同時也可以大大延長硬盤的使用壽命，Robson加速卡的容量越大，可以容納的數(shù)據(jù)就越多，硬盤啟動的時間就越短，降低功耗的效果就越好。在操作系統(tǒng)和程序啟動方面，Robson技術(shù)的加速效果也是立竿見影，由于休眠的數(shù)據(jù)可以存儲在閃存芯片中，系統(tǒng)開機恢復(fù)到可以操作的狀態(tài)僅僅需要5秒鐘的時間。即便完全重新啟動，速度也比標(biāo)準(zhǔn)機型快的多，程序啟動方面，英特爾演示機型開啟AdobeReader費時5.4秒，而支持Robson技術(shù)的機型啟動僅僅需要0.4秒，用戶幾乎感覺不到任何停頓。使用Robson的筆記本（左）啟動速度明顯要快而在響應(yīng)速度上，Robson也具備很強的優(yōu)勢，在MobileMark測試中，Robson模塊在連續(xù)操作下的平均延時僅為2.6毫秒，這個數(shù)字遠遠低于常規(guī)的硬盤，低延遲能夠有效縮短CPU索取數(shù)據(jù)的等待，CPU的工作因此也變的更加有效率。而在功耗方面，Robson模塊的功耗僅僅為0.1瓦，而平臺的2.5英寸筆記本硬盤的平均功耗一般都在1-1.3瓦左右，實際運行時，Robson機型存儲系統(tǒng)的平均耗能為0.49瓦,這其中包括Robson模塊與間隔啟動的硬盤的功耗，而常規(guī)機型的平均耗能達到1.18瓦，英特爾表示，僅此一項技術(shù)就可以讓筆記本的使用時間多出20分鐘。日ypowersavings:wtienactiveRobsonsystemidlesooner1,BothActiveBisS#flno*2154WRo^Spn=J.4日ypowersavings:wtienactiveRobsonsystemidlesooner1,BothActiveBisS#flno*2154WRo^Spn=J.4神S^vmgb=.14W幽翎Me?I.MWRgqn=1P06WSavinge-1,44御RobsonWilhouRobson'12T)24Q3?04翎?D720fl<r._pennssEijnLcomxti3.BothFtfteBasfltint■=1.54WRolKcn-.94WSavinua=.*板的Electuear：uBeneritsRobsonPowerSavings廣屁w砒修saved(withmore:RM??..Morslov;powerstateswhenisle更快的系統(tǒng)和程序啟動速度，更長的電池使用時間，Robson技術(shù)將極大的提升用戶的使用體驗，同時將進一步增強英特爾移動平臺的競爭力，在英特爾的強力推動下，Robson有望在2007年獲得廣泛的應(yīng)用，這項極富實用意義的技術(shù)將無疑受到用戶的熱烈歡迎。雙通道的作用:雙通道內(nèi)存技術(shù)其實是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù)，它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用，在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長一倍。它最早被應(yīng)用于服務(wù)器和工作站系統(tǒng)中，后來為了解決臺式機日益窘迫的內(nèi)存帶寬瓶頸問題它又走到了臺式機主板技術(shù)的前臺。在幾年前，英特爾公司曾經(jīng)推出了支持雙通道內(nèi)存?zhèn)鬏敿夹g(shù)的i820芯片組，它與RDRAM內(nèi)存構(gòu)成了一對黃金搭檔，所發(fā)揮出來的卓絕性能使其一時成為市場的最大亮點，但生產(chǎn)成本過高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況，最后被市場所淘汰。由于英特爾已經(jīng)放棄了對RDRAM的支持，所以目前主流芯片組的雙通道內(nèi)存技術(shù)均是指雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)，而最早提供對雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)支持的是Intel的865系列芯片組，隨后的875、915、945、965、975X以及即將發(fā)布的P35、X38芯片組支持內(nèi)存雙通道。說白了，目前的主流芯片組都支持內(nèi)存雙通道。而AMD方面，nForce2芯片組曾經(jīng)引入了雙通道的概念，后來自K8時代的Socket939處理器才真正引入了雙通道的支持。由于目前AMD的處理器是內(nèi)部集成內(nèi)存控制器，因此支持雙通道與否與主板沒什么關(guān)系。其實，組建雙通道理論上可以成倍的提高內(nèi)存帶寬，帶來性能的大幅度提升。但實際上這個性能提升幅度是比較小的，特別是對于AMD平臺而言，由于處理器內(nèi)部集成了內(nèi)存控制器，因此對雙通道不是很敏感，組建與否，不會帶來很大的性能提升，一般來說可能提升5%左右的性能。而Intel方面則不一樣，Intel平臺對雙通道的依賴還是比較大的，一般來說可以帶來20%左右的性能提升。最后要指出的是，不管什么平臺，如果采用了集成顯卡，應(yīng)該盡量考慮用雙通道！雙核CPU與單核CPU有什么區(qū)別?雙核就是2個核心核心（Die）又稱為內(nèi)核，是CPU最重要的組成部分。CPU中心那塊隆起的芯片就是核心，是由單晶硅以一定的生產(chǎn)工藝制造出來的，CPU所有的計算、接受/存儲命令、處理數(shù)據(jù)都由核心執(zhí)行。各種CPU核心都具有固定的邏輯結(jié)構(gòu)，一級緩存、二級緩存、執(zhí)行單元、指令級單元和總線接口等邏輯單元都會有科學(xué)的布局。從雙核技術(shù)本身來看，到底什么是雙內(nèi)核？毫無疑問雙內(nèi)核應(yīng)該具備兩個物理上的運算內(nèi)核，而這兩個內(nèi)核的設(shè)計應(yīng)用方式卻大有文章可作。據(jù)現(xiàn)有的資料顯示，AMDOpteron處理器從一開始設(shè)計時就考慮到了添加第二個內(nèi)核，兩個CPU內(nèi)核使用相同的系統(tǒng)請求接口SRI、HyperTraort技術(shù)和內(nèi)存控制器，兼容90納米單內(nèi)核處理器所使用的940引腳接口。而英特爾的雙核心卻僅僅是使用兩個完整的CPU封裝在一起，連接到同一個前端總線上。可以說，AMD的解決方案是真正的“雙核”，而英特爾的解決方案則是“雙芯”。可以設(shè)想，這樣的兩個核心必然會產(chǎn)生總線爭搶，影響性能。不僅如此，還對于未來更多核心的集成埋下了隱患，因為會加劇處理器爭用前端總線帶寬，成為提升系統(tǒng)性能的瓶頸，而這是由架構(gòu)決定的。因此可以說，AMD的技術(shù)架構(gòu)為實現(xiàn)雙核和多核奠定了堅實的基礎(chǔ)。AMD直連架構(gòu)（也就是通過超傳輸技術(shù)讓CPU內(nèi)核直接跟外部I/O相連，不通過前端總線）和集成內(nèi)存控制器技術(shù)，使得每個內(nèi)核都自己的高速緩存可資遣用，都有自己的專用車道直通I/O,沒有資源爭搶的問題，實現(xiàn)雙核和多核更容易。而Intel是多個核心共享二級緩存、共同使用前端總線的，當(dāng)內(nèi)核增多，核心的處理能力增強時，就像現(xiàn)在北京郊區(qū)開發(fā)的大型社區(qū)一樣，多個社區(qū)利用同一條城市快速路，肯定要遇到堵車的問題。HT技術(shù)是超線程技術(shù)，是造就了PENTIUM4的一個輝煌時代的武器，盡管它被評為失敗的技術(shù)，但是卻對P4起一定推廣作用，雙核心處理器是全新推出的處理器類別；HT技術(shù)是在處理器實現(xiàn)2個邏輯處理器，是充分利用處理器資源，雙核心處理器是集成2個物理核心，是實際意義上的雙核心處理器。其實引用《現(xiàn)代計算機》雜志所比喻的HT技術(shù)好比是一個能用雙手同時炒菜的廚師，并且一次一次把一碟菜放到桌面;而雙核心處理器好比2個廚師炒兩個菜，并同時把兩個菜送到桌面。很顯然雙核心處理器性能要更優(yōu)越。按照技術(shù)角度PENTIUMD8XX系列不是實際意義上的雙核心處理器，只是兩個處理器集成，但是PENTIUMD9XX就是實際意義上雙核心處理器，而K8從一開始就是實際意義上雙核心處理器。雙核處理器（DualCoreProceor）：雙核處理器是指在一個處理器