1、半導(dǎo)體景氣下行壓力下，設(shè)備環(huán)節(jié)主要看點(diǎn)在哪？市場擔(dān)憂半導(dǎo)體行業(yè)景氣度下行，國內(nèi)晶圓廠資本開支規(guī)劃放緩，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商業(yè)績增長面臨壓力。我們認(rèn)為國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商有望維持業(yè)績高增長，主要邏輯：1）國內(nèi)晶圓產(chǎn)能全球占比低，尤其在存儲領(lǐng)域，國內(nèi) DRAM、NAND Flash 廠商份額全球占比僅低個位數(shù)，存儲芯片標(biāo)準(zhǔn)化程度更高，依賴規(guī)模擴(kuò)張降低成本、提高競爭力，國內(nèi)以存儲廠商為代表的晶圓廠資本開支有望維持高水平。2）當(dāng)前階段國產(chǎn)設(shè)備廠商份額提升非線性，份額的加速提升將助力設(shè)備廠商業(yè)績高增長。看點(diǎn) 1：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場穿越周期，成長為核心屬性半導(dǎo)體是周期型行業(yè)，更是成長型行業(yè)。技術(shù)升級、產(chǎn)品創(chuàng)新

2、是半導(dǎo)體需求提升的直接驅(qū)動因素，在以 5G、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、醫(yī)療電子和安防電子等為主的新興應(yīng)用領(lǐng)域強(qiáng)勁需求的帶動下，半導(dǎo)體中長期需求樂觀，SUMCO 預(yù)計(jì) 2021-2025 年全球 12 英寸晶圓需求的復(fù)合增速將達(dá) 10.2%。圖 1：半導(dǎo)體中長期需求樂觀SUMCO、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向中國大陸擴(kuò)散，設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備等環(huán)節(jié)國產(chǎn)化配套空間廣闊。縱觀全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，經(jīng)歷了由美國向日本、向韓國和中國臺灣地區(qū)及中國大陸的幾輪產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。目前中國大陸正處于智能電動汽車、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等行業(yè)快速崛起的進(jìn)程中，已成為全球最重要的半導(dǎo)體應(yīng)用和消費(fèi)市場。歷史上第一次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到日本及第二

3、次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到韓國和中國臺灣地區(qū)都帶動了當(dāng)?shù)禺a(chǎn)業(yè)的發(fā)展、垂直化分工進(jìn)程的推進(jìn)和資源優(yōu)化配置。國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在縱深維度仍有廣闊發(fā)展空間，半導(dǎo)體專用設(shè)備行業(yè)有望迎來快速增長。圖 2：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向中國大陸擴(kuò)散數(shù)據(jù)來源：盛美上海招股書、中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場穿越周期，成長是最核心屬性。2012 年以來，盡管半導(dǎo)體行業(yè)存在周期性波動，但中國大陸半導(dǎo)體銷售額始終維持正增長，2012 年至今年均復(fù)合增長率達(dá) 30%以上。圖 3：成長是中國大陸半導(dǎo)體市場最核心屬性中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（十億美元）yoy3580%3060%2540%2020%150%105-20%0Wind、201120122013201

4、42015201620172018201920202021-40%國內(nèi)存儲產(chǎn)能占比低，投入確定性強(qiáng)。全球芯片制造產(chǎn)能中，存儲芯片占比超 30%，存儲芯片產(chǎn)線建設(shè)是半導(dǎo)體設(shè)備需求的主要來源之一。存儲芯片產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化程度高、規(guī)模效應(yīng)顯著，國內(nèi)在 Dram、3D NAND 領(lǐng)域份額占比僅低個位數(shù)，亟需在提升技術(shù)實(shí)力的同時擴(kuò)大產(chǎn)能提升競爭力，未來資本開支投入的確定性強(qiáng)。圖 4：21Q4 全球 NAND Flash 市場格局圖 5：2021 年全球 DRAM 市場格局英特爾, 6%其他, 3%其他, 6%美光, 23%三星, 44%SK海力士,28%美光, 11%西部數(shù)據(jù), 12%三星, 34%鎧俠, 2

5、0%SK海力士, 15%CFM 閃存市場、IC insight、國內(nèi)主要晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃明確。國內(nèi)晶圓代工龍頭廠商中芯國際目前中芯京城項(xiàng)目 2021 年開始建設(shè)，今年有望逐步進(jìn)入設(shè)備采購階段，中芯深圳、臨港廠區(qū)也于今年啟動建設(shè)，三條產(chǎn)線總投資超千億元。國內(nèi) NAND 存儲龍頭長江存儲及 DRAM 龍頭合肥長鑫處于二期廠房建設(shè)階段，兩家廠商三期項(xiàng)目總投資超 3000 億元，設(shè)備需求也將持續(xù)釋放。圖 6：國內(nèi)主要晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃項(xiàng)目投資金額設(shè)計(jì)產(chǎn)能項(xiàng)目進(jìn)度中芯國際中芯京城項(xiàng)目497 億元10 萬片/月12 英寸晶圓2021 年開始建設(shè)中芯深圳項(xiàng)目23.5 億美元4 萬片/月12 英寸晶圓2022 年開

6、始生產(chǎn)中芯臨港項(xiàng)目88.7 億美元10 萬片/月12 英寸晶圓2022 年正式啟動長江存儲國家存儲器基地項(xiàng)目1600 億元30 萬片/月2020 年 6 月二期開工合肥長鑫長鑫存儲內(nèi)存自主制造項(xiàng)目1500 億元36 萬片/月2021 年 6 月 2 期開工數(shù)據(jù)來源：相關(guān)公司官網(wǎng)及公告、國內(nèi)芯片制造產(chǎn)能占比預(yù)計(jì)持續(xù)提升，成長仍將是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場核心屬性。中國大陸在半導(dǎo)體制造方面保持強(qiáng)勁增長，預(yù)計(jì)中國大陸將在十年中增加全球 40%的新半導(dǎo)體制造能力。集微咨詢統(tǒng)計(jì)，目前大陸 12 英寸晶圓月產(chǎn)能約為 104 萬片，預(yù)計(jì) 2026 年底，總月產(chǎn)能將超過 276 萬片，提高 165%。圖 7：不同地

7、區(qū)芯片制造能力圖 8：中國大陸 12 英寸晶圓月產(chǎn)能預(yù)測中國大陸地區(qū)12英寸晶圓月產(chǎn)能（單位：萬片）276.387.7104.2300250200150100500202020212026ECabot Microelectronics、愛集微、看點(diǎn) 2：國產(chǎn)化率提升非線性，份額加速提升助力高增長國產(chǎn)化率提升為當(dāng)前設(shè)備核心增長邏輯，份額非線性加速提升帶來高增長。 中美貿(mào)易摩擦和設(shè)備禁令帶來的供應(yīng)鏈安全問題增長了國內(nèi)制造廠商使用國產(chǎn)化設(shè)備的意愿。2020 年中芯國際已被美國政府納入“實(shí)體清單”，2021 年 11 月，12 家中企被納入“實(shí)體清單”，有 7 家涉足半導(dǎo)體領(lǐng)域。以中芯國際為代表的國內(nèi)

8、晶圓廠在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域所面臨的斷供風(fēng)險越來越大，相關(guān)公司開始扶持本土供應(yīng)商，催化國內(nèi)集成電路設(shè)備等領(lǐng)域的布局，大面積國產(chǎn)替代興起。圖 9：半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率有望加速提升圖 10：華海清科 CMP 市場份額加速提升華海清科CMP業(yè)務(wù)收入-百萬元國內(nèi)市占率1800160014001200100080060040020002% 2%10%13%18%35%32%30%25%20%15%10%5%0%201720182019202020212022E數(shù)據(jù)來源：整理Wind、當(dāng)前階段國內(nèi)各家半導(dǎo)體設(shè)備廠商產(chǎn)品覆蓋度如何？在同一制程水平下，理解國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商產(chǎn)品覆蓋度的三個層次：1）已覆蓋設(shè)備環(huán)節(jié)；2

9、）環(huán)節(jié)內(nèi)細(xì)分品類覆蓋；3）單品類工藝覆蓋。覆蓋的設(shè)備環(huán)節(jié)即光刻、薄膜沉積、刻蝕等大類。細(xì)分品類覆蓋以薄膜沉積為例，薄膜沉積設(shè)備可分為 PVD、LPCVD、APCVD、PECVD 等細(xì)分類別，不同廠商覆蓋品類有所差異。對于某一個品類的設(shè)備，以 PECVD 為例，也需要滿足不同工藝的需求，比如 SiO2、SiN、SiON、BPSG 等工藝，工藝的覆蓋度也限制設(shè)備廠商的市場拓展。但限于工藝覆蓋數(shù)據(jù)多為非公開數(shù)據(jù)，本報告以下分析中各家設(shè)備廠商產(chǎn)品覆蓋度僅計(jì)算至細(xì)分品類覆蓋度。圖 11：理解半導(dǎo)體設(shè)備廠商市場覆蓋度的三個層次拓荊科技公告、整理僅從當(dāng)前時點(diǎn)的產(chǎn)品覆蓋來看，北方華創(chuàng)在集成電路前道領(lǐng)域產(chǎn)品覆蓋

10、最廣，其設(shè)備涵蓋刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗領(lǐng)域，其次是北京屹唐，覆蓋去膠、熱處理、刻蝕環(huán)節(jié)，盛美上海亦有多種產(chǎn)品覆蓋，涵蓋清洗、熱處理、薄膜沉積。 其余大多數(shù)企業(yè)目前專注于一個或兩個領(lǐng)域，深耕細(xì)分市場，持續(xù)提升所屬環(huán)節(jié)市場份額。圖 12：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商現(xiàn)有產(chǎn)品（前道設(shè)備）前道熱處理光刻刻蝕清洗離子注入薄膜沉積拋光去膠檢測與量測氧化爐RTP設(shè)備涂膠顯影光刻機(jī)干法刻蝕清洗機(jī)離子注入機(jī)PVDCVDALDCMP設(shè)備去膠機(jī)檢測設(shè)備量測設(shè)備北方華創(chuàng)中微公司盛美上海北京屹唐拓荊科技中科飛測精測電子芯源微至純科技華海清科凱世通數(shù)據(jù)來源：公司公告、依據(jù) Gartner 2021 年各類半導(dǎo)體前道設(shè)備市場規(guī)

11、模占比的數(shù)據(jù)進(jìn)行推算，以設(shè)備大類來計(jì)算，目前國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商產(chǎn)品覆蓋度最高的三家廠商為北方華創(chuàng)、中微公司及盛美上海，產(chǎn)品覆蓋度分別達(dá)到 51%、44%和 29%，拓荊科技由于卡位核心設(shè)備環(huán)節(jié)，產(chǎn)品市場覆蓋度按大類來看亦達(dá)到 22%。圖 13：前道制造設(shè)備投資占比-20212%2% 1%3%4%5%11%8%20%22%22%刻蝕設(shè)備薄膜沉積設(shè)備光刻機(jī)檢測設(shè)備清洗設(shè)備涂膠顯影設(shè)備CMP設(shè)備熱處理設(shè)備離子注入機(jī)去膠設(shè)備 其他Gartner、圖 14：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商前道市場覆蓋度（按設(shè)備大類計(jì)算）前道市場覆蓋度（按設(shè)備大類）51%44%29%25%22%11%11%9%5%3%2%60%50%

12、40%30%20%10%0%Gartner、相關(guān)公司官網(wǎng)、測算注：各公司覆蓋度=所覆蓋設(shè)備大類在前道設(shè)備市場規(guī)模占比的總和不同設(shè)備大類細(xì)分品類數(shù)量差異較大，國內(nèi)廠商覆蓋度亦有較大差異。上文口徑按照設(shè)備大類進(jìn)行計(jì)算，但由于每個環(huán)節(jié)的半導(dǎo)體設(shè)備內(nèi)亦有眾多細(xì)分，所以設(shè)備廠商當(dāng)前時點(diǎn)實(shí)際產(chǎn)品覆蓋度需要考慮到公司所做具體設(shè)備品類在所在環(huán)節(jié)中的市場規(guī)模占比。清洗、CMP、離子注入等環(huán)節(jié)產(chǎn)品細(xì)分品類相對較少，國內(nèi)部分廠商目前已達(dá)到較高的產(chǎn)品覆蓋度水平（圖 15 至純科技、華海清科、凱世通），達(dá)到 80%以上的水平，以檢測及量測設(shè)備為代表的細(xì)分產(chǎn)品分類眾多的設(shè)備大類，國內(nèi)相關(guān)廠商目前產(chǎn)品覆蓋度依然較低（圖 1

13、5 中科飛測、精測電子），細(xì)分產(chǎn)品覆蓋度僅 20%左右的水平。圖 15： 國內(nèi)各家半導(dǎo)體設(shè)備廠商在當(dāng)前涉足環(huán)節(jié)細(xì)分品類覆蓋度對比已覆蓋細(xì)分品類未覆蓋細(xì)分品類100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%相關(guān)公司官網(wǎng)及公告、測算注：細(xì)分品類市場占比數(shù)據(jù)來自與外發(fā)報告半導(dǎo)體前道設(shè)備研究框架已覆蓋細(xì)分品類占比=細(xì)分品類覆蓋度（圖 16）/設(shè)備大類覆蓋度（圖 14）細(xì)化至細(xì)分設(shè)備品類，北方華創(chuàng)、中微公司、北京屹唐產(chǎn)品覆蓋度國內(nèi)領(lǐng)先。進(jìn)一步考慮了細(xì)分品類的覆蓋度情況后，國內(nèi)覆蓋度前三位依次為北方華創(chuàng)、中微公司、北京屹唐，在半導(dǎo)體設(shè)備市場產(chǎn)品覆蓋度分別可以達(dá)到 30%、23%和 17%

14、。圖 16：國內(nèi)各前道設(shè)備廠商產(chǎn)品覆蓋度對比（按細(xì)分品類）前道市場覆蓋度（按細(xì)分品類）30%23%18%11%8%2%3%4%4%3%2%35%30%25%20%15%10%5%0%相關(guān)公司官網(wǎng)及公告、測算注：各廠商細(xì)分品類覆蓋度=所覆蓋設(shè)備大類市場占比*所覆蓋細(xì)分品類市場占比多維度探討國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的成長性國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商成長迅速。2018-2021 年，國內(nèi)主要半導(dǎo)體廠商營業(yè)收入實(shí)現(xiàn)增長，2021 年大部分企業(yè)實(shí)現(xiàn) 35%以上的營收增長。從 2021 年半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)營收來看，北方華創(chuàng)規(guī)模最大，實(shí)現(xiàn)營收 71 億元，中微公司次于北方華創(chuàng)，營收 31 億元。圖 17：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商

15、營業(yè)收入（單位：億元）圖 18：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商 2021 年半導(dǎo)體設(shè)備營業(yè)收入2018 2019 2020 2021120.0100.080.060.040.020.00.080250%2021年半導(dǎo)體設(shè)備營業(yè)收入（單位：億元）2021年半導(dǎo)體設(shè)備營收增速7060200%50150%4030100%2050%1000%Wind、Wind、看點(diǎn) 1：各設(shè)備廠商產(chǎn)品份額提升空間依然廣闊國內(nèi)半導(dǎo)體前道設(shè)備國產(chǎn)化率低，長期空間廣闊。半導(dǎo)體設(shè)備市場目前主要由國外廠商主導(dǎo)，行業(yè)呈現(xiàn)高度壟斷的競爭格局，半導(dǎo)體設(shè)備整體國產(chǎn)化率僅 10%左右，國內(nèi)企業(yè)成長空間廣闊。隨著中國對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高度重視，中國部分半

16、導(dǎo)體設(shè)備廠商經(jīng)過十年以上的技術(shù)研發(fā)和積累，在部分技術(shù)領(lǐng)域陸續(xù)取得突破。目前從國產(chǎn)廠商份額角度看，大致分為三個梯隊(duì)，第一梯隊(duì)為實(shí)現(xiàn)大部分國產(chǎn)化的領(lǐng)域，主要為去膠設(shè)備；第二個梯隊(duì)為實(shí)現(xiàn)小部分國產(chǎn)化的領(lǐng)域，主要包括清洗設(shè)備、CMP 設(shè)備、刻蝕設(shè)備，國產(chǎn)化率在 10-20%左右的水平；第三個梯隊(duì)為國產(chǎn)化起步階段的領(lǐng)域，主要包括薄膜沉積設(shè)備、離子注入設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備、檢測與量測設(shè)備，國產(chǎn)化率大多在低個位數(shù)水平。圖 19：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在國內(nèi)市場占有率圖 20：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在國內(nèi)細(xì)分市場占有率-2021國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場份額北方華創(chuàng)3.8%中微公司1.6%拓荊科技0.4%芯源微0.4%華海清科

17、0.4%萬業(yè)企業(yè)0.1%中科飛測0.2%精測電子0.1%盛美上海0.8%至純科技0.9%北方華創(chuàng)中微公司拓荊科技芯源微 華海清科萬業(yè)企業(yè)中科飛測精測電子北京屹唐盛美上海至純科技半導(dǎo)體設(shè)備 4%刻蝕設(shè)備 6%PECVD 6%前道涂膠顯影設(shè)備 2%CMP設(shè)備 18%離子注入機(jī) 3%檢測與量測設(shè)備 2%檢測與量測設(shè)備 1%清洗設(shè)備 14%清洗設(shè)備 9%干法去膠設(shè)備 90%0%20%40%60%80%100%Wind、Gartenr、整理測算Wind、Gartenr、整理測算部分設(shè)備環(huán)節(jié)市場空間相對較小，但份額提升空間更加廣闊。以涂膠顯影設(shè)備和離子注入設(shè)備為例，盡管該兩種設(shè)備分別僅占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場

18、的 4%和 2-3%左右，但較小的市場空間和較高的技術(shù)難度亦阻擋了強(qiáng)勁競爭對手的進(jìn)入，該兩部分設(shè)備環(huán)節(jié)市場 CR1 分別達(dá)到 87%、70%，國內(nèi)市場亦有望形成單一市場參與者占據(jù)大部分份額的局面。圖 21：全球涂膠顯影設(shè)備市場格局-2019圖 22：全球離子注入設(shè)備市場格局-201913%87%東京電子應(yīng)用材料10%20%70%Axcelis其他其他數(shù)據(jù)來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究、數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、看點(diǎn) 2：國內(nèi)廠商在手訂單充沛，國產(chǎn)化進(jìn)程快速推進(jìn)國內(nèi)半導(dǎo)體廠商在手訂單充沛，份額有望快速提升。由于半導(dǎo)設(shè)備生產(chǎn)交付、驗(yàn)收均需要 3-6 個月左右的時間周期，因此訂單反映到公司收入上一般需要 6-1

19、2 個月時間。合同負(fù)債情況可一定程度反映設(shè)備廠商在手訂單情況，存貨則可以一定程度反映設(shè)備廠商交付訂單的情況。從絕對值來看，2022Q1 北方華創(chuàng)合同負(fù)債 51 億元，存貨 97 億元，中微公司合同負(fù)債 15 億元，存貨 21 億元，表征訂單量充沛、且設(shè)備交付客戶等待驗(yàn)收的量亦十分樂觀。圖 23：22Q1 國內(nèi)主要半導(dǎo)體前道設(shè)備廠商合同負(fù)債和存貨對比（單位：億元）100908070605040302010097.1合同負(fù)債存貨50.921.015.012.97.810.84.316.88.417.310.00.84.412.72.5北方華創(chuàng) 中微公司 拓荊科技芯源微華海清科 精測電子 盛美上海

20、至純科技wind、看點(diǎn) 3：規(guī)模效應(yīng)明顯，隨業(yè)務(wù)放量盈利能力快速提升國內(nèi)廠商盈利能力提升空間大。成熟半導(dǎo)體設(shè)備廠商毛利率一般在 40-50%的區(qū)間，凈利率一般在 20-25%的區(qū)間。目前國內(nèi)廠商毛利率水平與海外廠商差距較小，但凈利率大多在 10%以下，與海外廠商差距明顯，主要系企業(yè)處于發(fā)展初期，研發(fā)投入大，且管理、銷售規(guī)模效益尚不明 顯。圖 24：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商毛利率-2021圖 25：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商扣非凈利率-202139% 43% 44%38%45%39%49% 43% 43%36%60%50%40%30%20%10%0%毛利率-2021扣非凈利率-202120%15%10%5%0

21、%-5%-10%-15%14%12%8%10%8%8%5%1%-11%Wind、Wind、半導(dǎo)體設(shè)備規(guī)模效益明顯，盈利能力有望快速提升。隨著企業(yè)經(jīng)營規(guī)模擴(kuò)大，規(guī)模效應(yīng)顯現(xiàn)，盈利能力有望進(jìn)一步提升。以起量較快且業(yè)務(wù)規(guī)模較大的中微公司為例，2021 上半年公司扣非凈利率僅 4.6%，但 2022 年上半年根據(jù)公司業(yè)績預(yù)告中位數(shù)計(jì)算公司扣非凈利率已達(dá)到 21.8%。圖 26：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商歸母凈利潤（單位：億元）圖 27： 中微、北方華創(chuàng)盈利能力大幅提升20182019202020211225%10820%615%410%25%0-20%2021H1扣非凈利率2022H1扣非凈利率（業(yè)績預(yù)告）中

22、微公司北方華創(chuàng)Wind、整理注：22H1 數(shù)據(jù)按照兩家公司披露業(yè)績預(yù)測的中位數(shù)計(jì)算Wind、整理看點(diǎn) 4：部分廠商向平臺化發(fā)展，成長空間進(jìn)一步打開國內(nèi)部分半導(dǎo)體設(shè)備廠商積極擴(kuò)展業(yè)務(wù)范圍，向平臺化方向發(fā)展。更廣泛的產(chǎn)品線覆蓋一方面可以使得集成電路設(shè)備制造企業(yè)為客戶提供更為全面、綜合的產(chǎn)品及服務(wù)，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的打包銷售；另一方面有利于擴(kuò)大規(guī)模，提高對上下游的議價能力。以盛美上海、萬業(yè)企業(yè)為代表的國內(nèi)設(shè)備企業(yè)積極拓展產(chǎn)品線，延伸至其他設(shè)備環(huán)節(jié)。拓荊科技、中微公司等當(dāng)前階段則深耕所處領(lǐng)域，進(jìn)一步拓展所處環(huán)節(jié)內(nèi)產(chǎn)品細(xì)分品類覆蓋。圖 28：各公司業(yè)務(wù)擴(kuò)展計(jì)劃數(shù)據(jù)來源：公司公告、整理以中微為例，在半導(dǎo)體領(lǐng)域，公

23、司積極開發(fā)升級設(shè)備，一方面根據(jù)先進(jìn)邏輯芯片和高密度存儲 DRAM 和 3D NAND 芯片的不同刻蝕需求、細(xì)分產(chǎn)品，開發(fā)不同的硬件特征，提高產(chǎn)品針對不同應(yīng)用的刻蝕性能；另一方面，積極提升高端關(guān)鍵制程的覆蓋率，完善工藝整合方案，在薄膜沉積設(shè)備研發(fā)方面，進(jìn)一步開發(fā) LPCVD、EPI 和 ALD 產(chǎn)品。在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，根據(jù)高端顯示應(yīng)用對于外延設(shè)備的新需求，重點(diǎn)開發(fā) Micro LED 應(yīng)用專用 MOCVD 設(shè)備，同時針對化合物半導(dǎo)體功率器件市場應(yīng)用的快速發(fā)展，開發(fā)硅基氮化鎵及碳化硅功率器件專用的外延設(shè)備，不斷豐富公司設(shè)備的產(chǎn)品線。外延發(fā)展方面，中微對外投資了檢測與量測設(shè)備領(lǐng)域睿勵儀器和薄膜沉積領(lǐng)域

24、的沈陽拓荊。圖 29：中微公司業(yè)務(wù)擴(kuò)展情況數(shù)據(jù)來源：公司公告、整理看點(diǎn) 5：布局泛半導(dǎo)體領(lǐng)域，降低半導(dǎo)體周期帶來的業(yè)績波動性國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商中，以北方華創(chuàng)為代表的廠商持續(xù)拓展泛半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域布局有助于降低半導(dǎo)體行業(yè)波動帶來的短期業(yè)績波動。北方華創(chuàng)作為國內(nèi)半導(dǎo)體高端工藝裝備龍頭，業(yè)務(wù)布局較廣，應(yīng)用范圍覆蓋泛半導(dǎo)體領(lǐng)域四大核心賽道：集成電路、顯示面板、LED、光伏，平臺化屬性明顯。除此之外，拓荊科技、芯源微、萬業(yè)企業(yè)也有多賽道布局，產(chǎn)品應(yīng)用范圍覆蓋集成電路、顯示面板、LED。圖 30：泛半導(dǎo)體領(lǐng)域核心賽道圖 31：國內(nèi)半導(dǎo)體廠商在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域布局?jǐn)?shù)據(jù)來源：整理數(shù)

25、據(jù)來源：整理多維度對比國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商技術(shù)競爭力國內(nèi) 20 余年來已積累眾多優(yōu)秀的國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商。國內(nèi)龍頭半導(dǎo)體設(shè)備廠商作為先進(jìn)入市場者，經(jīng)過十幾年的積累，目前在手訂單充沛，且已經(jīng)進(jìn)入國內(nèi)一流制造商的生產(chǎn)線，客戶需求相對穩(wěn)定，短期發(fā)展動力充足。另外，國內(nèi)龍頭設(shè)備廠商堅(jiān)持高研發(fā)投入，積極引進(jìn)培養(yǎng)技術(shù)人才，擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，有能力夯實(shí)長期競爭力，未來發(fā)展?jié)摿薮蟆D 32：國內(nèi)龍頭半導(dǎo)體設(shè)備廠商發(fā)展?jié)摿薮蟾鞴竟妗雽?dǎo)體設(shè)備廠商的技術(shù)水平難以通過單一維度指標(biāo)衡量，我們選取以下幾個維度做半導(dǎo)體設(shè)備廠商技術(shù)的對比：維度 1：產(chǎn)品制程覆蓋對比中國大陸設(shè)備廠商基本均可實(shí)現(xiàn) 28nm 及以上下游

26、應(yīng)用。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從 65nm 到 14nm、7nm 和 5nm 及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。萬業(yè)企業(yè)子公司凱世通離子注入平臺可覆蓋至 3nm 的應(yīng)用。北京屹唐 10nm 以下干法去膠設(shè)備已進(jìn)入生產(chǎn)產(chǎn)線。拓荊科技 PECVD 能夠達(dá)到 14nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。根據(jù) IC Insights，對于10 納米IC 產(chǎn)能，中國臺灣占比 63%，韓國持有剩余的 37%，而中國大陸目前集中在 10nm 制程以上的芯片制造，具備實(shí)現(xiàn)設(shè)備國產(chǎn)化的技術(shù)條件。圖 33：各公司主要業(yè)務(wù)技術(shù)節(jié)點(diǎn)圖 34：不同制程晶圓在不同地區(qū)產(chǎn)能占比（2020.12）主要業(yè)務(wù)節(jié)點(diǎn)

27、 中微公司刻蝕設(shè)備5nm拓荊科技PECVD14nm芯源微涂膠顯影設(shè)備28nm華海清科CMP 設(shè)備28nm萬業(yè)企業(yè)離子注入機(jī)3nm中科飛測缺陷檢測設(shè)備28nm精測電子半導(dǎo)體檢測設(shè)備28nm北京屹唐干法去膠設(shè)備10nm 以內(nèi)盛美上海單片清洗機(jī)14nm至純科技清洗設(shè)備28nm中國臺灣 韓國 日本 北美 中國大陸 歐洲 其他地區(qū)100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%10nm 20nm - 40nm - 0.18 - 0.18total各公司公告、整理IC Insights、10nm20nm40nm維度 2：參與國家重大科技專項(xiàng)情況國家科技重大專項(xiàng)是為了實(shí)現(xiàn)國家目標(biāo)，通過核心

28、技術(shù)突破和資源集成，在一定時限內(nèi)完成的重大戰(zhàn)略產(chǎn)品、關(guān)鍵共性技術(shù)和重大工程。刻蝕及沉積設(shè)備領(lǐng)域，北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技均承擔(dān)了多個國家重大專項(xiàng)的研發(fā)，積累了一批具備自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。芯源微、華海清科、中科飛測、盛美上海等廠商分別承擔(dān)了涂膠顯影、CMP、檢測及鍍銅等設(shè)備的重大專項(xiàng)。圖 35：國內(nèi)半導(dǎo)體前道設(shè)備廠商參與國家重大專項(xiàng)情況國家重大專項(xiàng)北方華創(chuàng)300mm 90/65nm 立式氧化爐/質(zhì)量流量控制器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化90/65 納米刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目65-45 納米 PVD 設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目45-22 納米 PVD 設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目32-22 納米柵刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目65nm

29、 超精細(xì)清洗設(shè)備研制與產(chǎn)業(yè)化45-32nm LPCVD 設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目65nm-45nm 銅互連清洗設(shè)備產(chǎn)業(yè)化28-14nm 原子層沉積系統(tǒng)（ALD）產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化14-7nm CuBS 多工藝腔室集成裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化14nm 立體柵等離子體刻蝕機(jī)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化國產(chǎn)集成電路裝備關(guān)鍵零部件量產(chǎn)應(yīng)用工程項(xiàng)目中微公司65-45nm 介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化32-22nm 介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化22-14 納米介質(zhì)刻蝕機(jī)開發(fā)及關(guān)鍵零部件國產(chǎn)化14-7 納米介質(zhì)刻蝕機(jī)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化刻蝕工藝零部件驗(yàn)證與應(yīng)用拓荊科技90-65nm 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用1x nm 3D NAND PECVD 研

30、發(fā)及產(chǎn)業(yè)化國家科技重大專項(xiàng)課題 A（ALD 相關(guān)）國家科技重大專項(xiàng)課題 B（先進(jìn)工藝 PECVD 相關(guān)）芯源微300mm 晶圓勻膠顯影設(shè)備研發(fā)凸點(diǎn)封裝涂膠顯影、單片濕法刻蝕設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化建設(shè)華海清科28 14nm 拋光設(shè)備及工藝、配套材料產(chǎn)業(yè)化 CMP 拋光系統(tǒng)研發(fā)與整機(jī)系統(tǒng)集成中科飛測20-14nm 晶圓缺陷光學(xué)在線檢測的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化盛美上海65-45nm 銅互連無應(yīng)力拋光設(shè)備研發(fā)20-14nm 銅互連鍍銅設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用相關(guān)公司公告、維度 3：專利積累對比國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商積極開展創(chuàng)新工作，經(jīng)過數(shù)十年的積累，申請獲得大量專利，其中北方華創(chuàng)專利數(shù)量達(dá)到 3300+件，中微和精測電子（目前以非

31、集成電路領(lǐng)域業(yè)務(wù)為主）的專利數(shù)量也超 1000 件。國內(nèi)其他半導(dǎo)體設(shè)備環(huán)節(jié)龍頭廠商亦具備 200-300 件左右專利積累。圖 36：國內(nèi)半導(dǎo)體前道設(shè)備廠商專利數(shù)量對比專利數(shù)量3300147211793473223152242172091743500300025002000150010005000統(tǒng)計(jì)截至?xí)r間：拓荊-22.3.8；中科飛測-22.6.9；屹唐-21.7.31；其余-2021 年末相關(guān)公司公告、維度 4：中國大陸以外地區(qū)客戶拓展情況中國大陸的晶圓廠受中美貿(mào)易摩擦影響，為了保障供應(yīng)鏈安全積極導(dǎo)入國產(chǎn)設(shè)備，而大陸以外地區(qū)廠商導(dǎo)入新供應(yīng)商更多基于技術(shù)、成本等商業(yè)因素考量，因此國內(nèi)設(shè)備廠商

32、導(dǎo)入大陸以外地區(qū)客戶的情況可作為衡量其技術(shù)能力的重要指標(biāo)。目前，國內(nèi)中微公司、芯源微、拓荊科技已切入國際領(lǐng)先晶圓廠供應(yīng)鏈體系，盛美上海也具備供貨海力士和美國客戶的技術(shù)能力，北京屹唐 2016年收購了美國半導(dǎo)體設(shè)備公司 Mattson，亦切入到眾多國際領(lǐng)先大客戶供應(yīng)鏈體系。圖 37：部分半導(dǎo)體設(shè)備廠商切入國際領(lǐng)先企業(yè)供應(yīng)鏈相關(guān)公司公告、維度 5：研發(fā)投入強(qiáng)度對比國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商堅(jiān)持高研發(fā)投入。 從研發(fā)投入的絕對值來看，北方華創(chuàng)處于絕對領(lǐng)先地位， 2021 年研發(fā)投入 29 億元，其次為中微公司，2021 年研發(fā)投入 7.3 億元。從研發(fā)投入占營收比例來看，拓荊科技研發(fā)投入占比最高，2021 年

33、達(dá)到 38%。圖 38：各公司 2021 年研發(fā)投入及占營收比例研發(fā)投入（億元）研發(fā)投入占營業(yè)收入比例35302520151050100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0% Wind、維度 6：核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)及研發(fā)人員配置國內(nèi)龍頭廠商積極引進(jìn)培養(yǎng)高水平人才。半導(dǎo)體設(shè)備為技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)，高水平的技術(shù)人才將驅(qū)動半導(dǎo)體設(shè)備廠商的發(fā)展。截至 2021 年末，北方華創(chuàng)研發(fā)人員 2044 人，其中碩博占比超過 65%；中微公司研發(fā)人員 415 人，碩博比例接近 50%；芯源微研發(fā)人員 217 人，碩博占比亦接近 50%。各公司重視人才引進(jìn)，中微公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)擁有在應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體

34、任職的經(jīng)歷；拓荊科技、萬業(yè)企業(yè)的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)分別擁有自美國諾發(fā)、AIBT；華海清科、中科飛測的核心技術(shù)人員則分別具有清華大學(xué)、KLA 及中科院微電子所任職經(jīng)歷。圖 39：各公司研發(fā)人員數(shù)量及結(jié)構(gòu)-2021圖 40：各公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)背景相關(guān)公司公告、整理相關(guān)公司公告、整理維度 7：產(chǎn)學(xué)研合作國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)積極與知名高校及科研院所展開合作研發(fā)。北方華創(chuàng)就第三代半導(dǎo)體、集成電路核心裝備控制軟件等技術(shù)與北京大學(xué)、清華大學(xué)、中科院微電子所展開研發(fā)合作。拓荊科技與復(fù)旦大學(xué)合作進(jìn)行 ACHM 工藝開發(fā)及 3D 結(jié)構(gòu)集成，同時與上游供應(yīng)商合作研究 PECVD 設(shè)備用陶瓷加熱盤的關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化，與下游企

35、業(yè)長江存儲、長鑫存儲共同承擔(dān)國家科技重大專項(xiàng)課題，進(jìn)項(xiàng) ALD、PECVD 相關(guān)的研究。華海清科和中科飛測則分別合作清華大學(xué)及中科院微電子所開展相關(guān)研發(fā)工作。圖 41：各公司合作研發(fā)情況公司合作單位合作領(lǐng)域北方華創(chuàng)北京大學(xué)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目清華大學(xué)集成電路核心裝備控制軟件中科院微電子所集成電路裝備關(guān)鍵技術(shù)、改善工藝性能、推動設(shè)備產(chǎn)品的市場化進(jìn)程拓荊科技復(fù)旦大學(xué)ACHM 工藝開發(fā)及 3D 結(jié)構(gòu)集成蘇州珂瑪PECVD 設(shè)備用陶瓷加熱盤的關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化長江存儲國家科技重大專項(xiàng)課題 A（ALD 相關(guān)）長鑫存儲國家科技重大專項(xiàng)課題 B（先進(jìn)工藝 PECVD 相關(guān)）華海清科清華大學(xué)委托清華進(jìn)行先進(jìn)拋光技術(shù)及工藝的基礎(chǔ)性論證、配合公司進(jìn)行工藝開發(fā)中科飛測中科院微電子所表面膜結(jié)構(gòu)三維光學(xué)測試儀課題項(xiàng)目；芯片封裝缺陷在線視覺檢測儀開發(fā)及應(yīng)用示范；極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝數(shù)據(jù)來源：公司公告、整理各廠商積