1、內存外觀區別很直接：SDR：兩個缺口、單面 84 針腳、雙面 168 針腳DDR1：一個缺口、單面 92 針腳、雙面 184 針腳、左 52 右 40、內存顆粒長方形DDR2：一個缺口、單面 120 針腳、雙面 240 針腳、左 64 右 56、內存顆粒正方形、電壓 1.8VDDR3：一個缺口、單面 120 針腳、雙面 240 針腳、左 72 右 48、內存顆粒 正方形、電壓 1.5V安裝好 CPU 后，接下來就要開始安裝內存條了。在安裝內存條之前，可以在主板說明書上查閱主板可支持的內存類型、可以安裝內存的插槽數據、支持的最大容量等等。雖然這些都是很簡單的，但是你知道不同內存條是如何區分的嗎？

2、你知道 EDO RAM 內存為什么必須成對才能使用嗎？你知道 RDRAM 內存插槽的空余位置為何要插滿終結器才能使用嗎？這些都是安裝內存條所必須了解的。如果你還不知道，那么這篇文章就非常適合你。一、從外觀上識別內存從計算機誕生開始，內存型態的發展真可謂千變萬化。因此，下面先著重介紹內存的種類及其外觀，好讓大家對它們進行分辨，這也是大家在裝機過程中必須了解的。從內存型態上看，常見的內存有：FPM RAM、EDO RAM、SDRAM、DDR RAM、Rambus DRAM，如圖 1 所示。從外觀上看，它們之間的差別主要在于長度和引腳的數量，以及引腳上對應的缺口。FPM RAM 主要流行在 286、

3、386 時代，當時使用的是 30pin的 FPM RAM 內存，容量只有 1MB 或 2MB。而在 486 時代，及少數 586 電腦也使用 72pin 的 FPM RAM 內存。EDO RAM主要應用在 486、586 時代，也有 72pin 和 168pin 之分。從外形上看，30pin 的 FPM RAM 內存的長度最短，72pin 的 FPMRAM 和 EDO RAM 內存的長度稍長一些，而 168pin 和 EDORAM 內存與大家常見的 SDRAM 內存是基本一樣的。這幾種內存很容易就可以在長度和引腳的數量上區分開來。只不過這些內存如今基本上已經銷聲匿跡了。小提示：由于 EDO R

4、AM 與 FPM RAM 內存的內存數據寬度均為 32 位，而奔騰及其以別的數據總線寬度都是 64 位。因此，要想在奔騰及其以別的電腦中使用這些內存條，就必須同時使用二根同樣的內存條。成對的二根內存條最好是使用相同型號，且相同容量的內存條。大家最常見到的 SDRAM 內存具有 168 個引腳，引腳上有兩個不對稱的缺口。在 SDRAM 內存的兩側，還可以發現各有一個缺口。如果是 PC100/133 SDRAM，會在內存條上包含一個 8針的 SPD，這是識別 PC100/133 內存的一個必要條件和重要標志。但是大家也要注意，有 SPD不一定代表這條SDRAM內存就是 PC100/133，但如果沒

5、有則肯定不是。接下來，再來看看 DDR RAM 與SDRAM 有什么不同。從外形上看，DDR RAM 和傳統的 SDRAM 區別并不很大，它們的金手指具有相同的總長度。但是，DDR RAM 內存具有 184 個引腳，引腳上也只有一個小缺口。另外，在 DDR RAM 內存的兩側，各有兩個缺口。Rambus DRAM（也稱為 RDRAM）內存的引腳也跟 DDRRAM 內存一樣，采用 184 個引腳。但是它看上去和 SDRAM 和DDR RAM 是完全不一樣的。首選在 RDRAM 的外面著一層金屬罩，以減少電磁干擾。大家注意看它的引腳，在中間的兩個缺口附近沒有設計引腳，這兩個缺口也與 SDRAM 上

6、的兩個缺口是不一樣的哦。在 RDRAM 內存的兩側，各有一個缺口。小知識：SIMM、DIMM、RIMM不同的內存條必須安裝在主板上的內存插槽上。應用在臺式電腦的內存插槽主要有：SIMM、DIMM、RIMM，這些都會在主板的內存插槽邊上，以及主板說明書上標示出來。SIMM（Single In-Line Memory Module，單邊接觸內存模組）是 486 及其較早的 PC 機中常用的內存插槽。SIMM 內存插槽主要有兩種型態：30pin 和 72pin。30pin 的單面內存條是用來支持 8 位的數據處理量。72pin 的單面內存條是用來支持 32位的數據處理量。因此，例如一次可處理 64

7、位的英特爾奔騰系列的處理器，你需要 8 條 30pin 或 2 條 72pin 的內存條來支持它。在 486 以前，大多采用 30pin 的 SIMM 插槽，或者與 72pin的 SIMM 插槽并存；而在 Pentium 中，應用的 SIMM 接口，或者是與 DIMM 插槽并存。的則是 72pinDIMM(Dual In-Line Memory Module，雙邊接觸內存模組)內存插槽是指這種類型接口內存的插板的兩邊都有數據接口觸片，這種接口模式的內存通常為 84pin 或 92pin，但由于是雙邊的，所以一共有 842=168pin 或 922=184pin 接觸。DIMM內存插槽支持 64

8、 位數據傳輸，使用 3.3V 電壓。RIMM（Rambus In-Line Memory Module）內存插槽就是支持 Direct RDRAM 內存條的插槽。RIMM 有 184pin，資料的輸出方式為串行，與現行使用的 DIMM 模塊 168pin，并列輸出的架構有很大的差異。二、安裝內存條在安裝內存條之前，大家看看主板的說明書，看看主板支持哪些內存，可以安裝的內存插槽位置及可安裝的最大容量。不同內存條的安裝過程其實都是大同小意的，這里主要說明常見的SDRAM、DDR RAM、RDRAM 內存。STEP1：首先將需要安裝內存對應的內存插槽兩側的塑膠夾腳（通常也稱為“保險栓”）往外側扳動，

9、使內存條能夠所示。，如圖 2STEP2：拿起內存條，然后將內存條的引腳上的缺口對準內存插槽內的凸起（如圖 3 所示）；或者按照內存條的金手指邊上標示的1 的位置對準內存插槽中標示1 的位置。STEP3：最后稍微用點用力，垂直地將內存條插到內存插槽并壓緊，直到內存插槽兩頭的保險栓自動卡住內存條兩側的缺口，如圖 4 所示。小提示：在任何一塊支持RDRAM 的主板上，你都能夠看到RIMM內存插槽是成對出現。因為 RDRAM 內存條是不能夠一根單獨使用，它必須是成對的出現。RDRAM 要求 RIMM 內存插槽中必須都插滿，空余的 RIMM 內存插槽中必須插上傳接板（也稱“終結器”），這樣才能夠形成回路

10、，如圖 5 所示。時下國際內存顆粒價格一路走高，于是大量偽劣內存再次浮出水面，畢竟過高的價格差值成為他們鋌而走險的條、水貨條、山寨貨、甚至二手翻新條都出現在。所以打磨中關村市場內。這些偽劣內存的出現，不僅嚴重威脅著消費者的權益，更成為阻礙整個內存市場良性發展的一顆毒瘤。其實內存的生產門檻并不高，內存主要的部件就是 DRAM 顆粒和PCB 板，而 DRAM 顆粒是http/就最常用到的。下面尋修網內存市場集中比較典型的造假為何，希望對您今后？起到一定的幫助。理由其實很簡單利益。內存并不能算是一個新的話題，早在 SDRAM 內存占據主流市場的時代，就已經成為內存廠商和經銷商們最主要的獲利內存有什么

11、危害？。如果消費者不了劣質內存條，在使用過程中麻煩就會接踵而來，系統經常性藍屏死機、不規則重啟，有甚者顆粒燒毀并秧及電腦內的其他硬件，況下，又沒有非常嚴重。而且假條在產品質量極差的情，肯定會損害到消費者的利益。內存顆粒常見的方式有那些？目前最為常見的幾種修。以次充好，就是指主要有：以次充好、打磨、改字和翻商將一些壞掉但依舊可以利用的內存條經過特殊的處理，使其中一部分好的內存顆粒正常工作，然后將其再次拿到市場上按照全新產品出售。打磨也就是通常所說的REMARK，商將內存顆粒表面的字跡擦除，然后再重新標上金、Kingmax、現代等名牌的部分字母或者數字改寫。改字條就是將內存顆粒表面就是將回收到的“

12、”重新焊接在 PCB 電路板上當新品賣。這些內存往往因為生產簡陋，沒有經過出廠測試，所以質量根本沒有保證。哪些內存產品容易被仿造？者都有一個共性：只要那個品牌被消費者所青睞，他們就會伺機而動，瘋狂仿冒。金作為全球第一大獨立內存模組制造商，更是被者當成重點目標，這不但了金的利益，也嚴重危及到用戶權益。猜猜哪條是真的，哪條是？下圖真品內存為之前筆者拍的金2GB/667 筆記本內存顆粒特寫，采用和假金內存同樣的爾必達顆粒，從圖中可以清晰看出，真品內存顆粒印刷清晰，而假內存的顆粒則非常暗淡，對比非常鮮明。顆粒對比其實對于一款內存來說，PCB 電路板僅占內存成本的百分之十以內，而顆粒價格才是真正的“大頭

13、”。所以通常 PCB 基本均為正規代工廠制造，而顆粒則采用行話里的“白片”，就是業內所說的次品顆粒，價格非常便宜，但穩定性和兼容性很差。細節處對比（真品）從上面圖中可以看出兩處破綻，其中第一處就是金R 型商標的微縮字體印刷，在商標“R”的周圍應該清楚印著KINGSTON 英文，這里由于筆者的相機緣故不能清晰顯示出來，不過對照假內存胡亂瞎畫而言已經清晰很多了。細節處對比（假貨）內部的水印，假內存水印和 KINGSTON另外一點，請仔細看字體銜接處都有明顯的痕跡，明顯是后印上去的，這點在真金內存中是不會發現的。金“一分鐘正品鑒定”雖然金內存常年被假貨困擾，但是依然是內存行業的銷量冠軍，這說明大多數

14、消費者還是認可金內存的兼容性和穩定性。但是用戶在內存的時候一定要用筆者上述的方法仔細鑒定一番，然后在通過網上或者查詢方式鑒別，這樣到假貨的幾率就會大大減少。如果能夠直接去金那么就更放心了。內存散熱片里面不為人知的指定商家產品的話，其實，內存市場不光只是打磨顆粒內存，還存在一些“超頻”條。而這些超頻條多半會用馬甲散熱片作為掩飾，一旦馬甲被撕破，也隨即被揭穿。紅龍 DDR2-1066+內存2GB DDR2-800+紅龍上市還有沒有印象，當，就是每款內存都可以輕松超值不知道大家對時這款內存是DDR2-1066，雖然價格稍顯貴，但是超頻后的性價比非常高。為此，很多商家就到市場各個柜臺收集一些DDR2-

15、800 的內存，比如創見、金等等，然后在里面挑選一些超頻性能稍好的，再加上紅色威龍的殼子，就成為了名副其實的“紅龍”內存。這樣的好處就是通過低價的 DDR2-800 條子，加以就可以賣到比這高出好幾十的價格，利潤非常可觀。另外一條消息就是三星的大量 DDR3-1333 內存被收購，不知道大家對筆者的神條再現 三星 2GB 內存激超 DDR3-1800這篇文章還有沒有印象，這批三星金條體制非常好，所以很多商家就都拿他來做海盜船的內存，加上馬甲后就可以賣到 DDR3-1600或者更高的頻率，這樣的利潤相比誰看了都會留下口水。超頻前后內存帶寬/延時測試對比三星 2GB DDR3-1333 內存超頻測

16、試內存參數設置（整型帶寬）Float（浮點運算）延時CL=7 DDR3-1333(默認)7307732477CL=9 DDR3-1600(OC)8247822773CL=8 DDR3-1600(OC)8201825971CL=9 DDR3-1800(OC)9305929467海盜船 4GB DDR3-1600 內存雖然這些內存不是所謂的打磨內存，但是也屬于消費處購者，所以用戶在帶散熱片內存的時候一定要到指定的買，切忌不要到小柜臺炒貨，以免上當受騙。不同類型的防呆缺口缺口不同防呆缺口不同意味著不同類型的內存不能混用但同一類型不同頻率的內存可以混用只不過頻率高的內存會自動降頻至頻率低的內存的工作頻

17、率這樣會造能浪費.SDR 有 PC-100 和 PC-133DDR 有 226 333 400DDR2 有 533 667 800 1066DDR3 有 1066 1333 1600 2000 甚至更高支持內存類型是指主板所支持的具體內存類型。不同的主板所支持的內存類型是不相同的。早期的主板使用的內存類型主要有 FPM、EDO、，SDRAM、RDRAM，目前主板常見的有 DDR、DDR2內存。FPM 內存FPM 是 Fast Page Mode（快頁模式）的簡稱，是較早的PC 機普遍使用的內存，它每隔 3 個時鐘脈沖周期傳送一次數據。現在早就被淘汰掉了。EDO 內存EDO 是 Extended

18、 Data Out（擴展數據輸出）的簡稱，它取消了主板與內存兩個周期之間的時間間隔，每隔 2 個時鐘脈沖周期傳輸一次數據，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30，達到 60ns。EDO 內存主要用于 72 線的 SIMM 內存條，以及采用 EDO 內存的 PCI 顯示卡。這種內存流行在 486 以及早期的奔騰計算機系統中，它有 72 線和 168 線之分，采用 5V工作電壓，帶寬 32 bit，必須兩條或四條成對使用，可用于英特爾 430FX/430VX 甚至 430TX汰，只能在某些老爺機上見到。SDRAM 內存組主板上。目前也已經被淘SDRAM 是 Synchronous Dynamic

19、 Random AcsMemory（同步動態隨機器）的簡稱，是前幾年普遍使用的內存形式。SDRAM 采用 3.3v 工作電壓，帶寬 64 位，SDRAM將 CPU 與 RAM 通過一個相同的時鐘鎖在一起，使 RAM 和 CPU能夠共個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO 內存相比速度能提高 50。SDRAM 基于雙體結構，內含兩個交錯的陣列，當 CPU 從一個體或陣列數據時，另一個就陣列的緊密切換，已為讀寫數據做好了準備，通過這兩個效率就能得到成倍的提高。SDRAM 不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應用。SDRAM 曾經是長時間使用的主流內存，從 430TX組到 845組都支

20、持 SDRAM。但隨著DDR SDRAM 的普及，SDRAM 也正在慢慢退出主流市場。RDRAM 內存RDRAM 是Rambus Dynamic Random Acs Memory（器總線式動態隨機器）的簡稱，是 Rambus 公司開發接口設計的內存，它能在很高的頻率的具有系統帶寬、到范圍下通過一個簡單的總線傳輸數據，同時使用低電壓信號，在高速同步時鐘脈沖的兩邊沿傳輸數據。最開始支持 RDRAM 的是英特爾 820組，后來又有 840，850組等等。RDRAM 最初得到了英特爾的大力支持，但由于其高昂的價格以及 Rambus公司的專利限制，一直未能成為市場主流，其地位被相對廉價而性能同樣出色的

21、 DDR SDRAM 迅速取代，市場份額很小。DDR SDRAM 內存DDR SDRAM 是 Double Data Rate SynchronousDynamic Random Acs Memory（雙數據率同步動態隨機器）的簡稱，是由 VIA 等公司為了與 RDRAM 相抗衡而提出的內存標準。DDR SDRAM 是 SDRAM 的更新換代產品，采用 2.5v 工作電壓，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高 SDRAM 的速度，并具有比 SDRAM 多一倍的傳輸速率和內存帶寬，例如 DDR 266 與 PC 133 SDRAM 相比，工作頻率同樣是

22、133MHz，但內存帶寬達到了 2.12 GB/s，比 PC 133 SDRAM 高一倍。目前主流的芯片組都支持 DDR SDRAM，是目前最常用的內存類型。DDR2DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM 是由 JEDEC（電子設備工程聯合）進行開發的內存技術標準，它與上一代 DDR 內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但 DDR2 內存卻擁有兩倍于上一代 DDR 內存預能力（即：4bit 數據讀預取）。換句話說，DDR2 內存每個時鐘能夠以 4 倍外部總線的速度讀/寫數據，并且能夠以內部控制總線 4 倍的速度運行。D

23、DR2 內存的頻率此外，由于 DDR2 標準規定所有 DDR2 內存均采用 FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的 TSOP/TSOP-II 封裝形式，FBGA 封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為 DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR 的發展歷程，從第一代應用到個人電腦的 DDR200 經過DDR266、DDR333 到的雙通道DDR400 技術，第一代 DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度；隨著el 最新處理器技術的發展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的 DDR2 內存將是大勢所趨。DD

24、R2 與 DDR 的區別：在了解 DDR2 內存諸多新技術前，先讓DDR2 技術對比的數據。1、延遲問題：看一組 DDR 和從上表可以看出，在同等頻率下，DDR2 的實際工作頻率是 DDR 的兩倍。這得益于 DDR2 內存擁有兩倍于標準 DDR 內存的 4BIT 預能力。換句話說，雖然 DDR2 和 DDR 一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2 擁有兩倍于 DDR 的預系統命令數據的能力。也就是說，在同樣 100MHz 的工作頻率下，DDR 的實際頻率為200MHz，而 DDR2 則可以達到 400MHz。這樣也就出現了另一個問題：在同等工作頻率的 DDR

25、 和DDR2 內存中，后者的內存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 200和 DDR2-400 具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400 和DDR 400 具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是 DDR400 的工作頻率是 200MHz，而 DDR2-400 的核心工作頻率是 100MHz，也就是說 DDR2-400 的延遲要高于DDR400。2、封裝和發熱量：DDR2 內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于 DDR 的傳輸能力，而是在采用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2 可以獲得更快的頻率限制。DDR 內存通常采用 TSOP，突破標準 DDR 的

26、 400MHZ封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在 200MHz 上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩定性和頻率的難度。這也就是 DDR 的頻率很難突破 275MHZ 的原因。而DDR2 內存均采用FBGA 封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA 封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為 DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。DDR2 內存采用 1.8V 電壓，相對于 DDR 標準的 2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量，這一點的變化是意義的。DDR2 采用的新技術：除了以上所說的區別外，DDR2

27、 還引入了三項新的技術，它們是 OCD、ODT 和t CAS。OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II 通過 OCD 可以提高信號的完整性。DDR II 通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用 OCD 通過減少 DQ-DQS 的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。ODT：ODT 是內建的終結電阻器。知道使用 DDRSDRAM 的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比

28、和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2 可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用 DDR2 不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是 DDR 不能比擬的。t CAS：它是為了提高 DDR II 內存的利用效率而設定的。在t CAS 操作中，CAS 信號（讀寫/命令）能夠到 RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS 命令可以在附加延遲（AdditiveLatency）后面保持有效。原來的 tRCD（RAS

29、 到 CAS 和延遲）被 AL（Additive Latency）所取代，AL 可以在 0，1，2，3，4中進行設置。由于 CAS 信號放在了 RAS 信號后面一個時鐘周期，因此 ACT 和 CAS 信號永遠也不會產生碰撞。總的來說，DDR2 采用了諸多的新技術，改善了 DDR 的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。ECC 并不是內存類型，ECC（Error Correction Coding 或Error Checking and Correcting）是一種具有自動糾錯功能的內存，英特爾的 82430HX組就開始支持它，使用

30、該組的主板都可以安裝使用 ECC 內存，但由于 ECC 內存成本比較高，所以主要應用在要求系統運算可靠性比較高的商業電腦中，例如服務器/工作站等等。由于實際上器出錯的情況不會經常發生，而且普通的主板也并不支持 ECC 內存，所以一般的家用與辦公電腦也不必采用 ECC 內存。DDR，DDR2 和 DDR3嚴格的說 DDR 應該叫 DDR SDRAM，人們稱為 DDR，部分初學者也常看到 DDR SDRAM，就認為是 SDRAM。DDRSDRAM 是 Double Data Rate SDRAM 的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機器的意思。DDR 內存是在 SDRAM 內存基礎上發展而來的，仍然沿用 SDRAM 生產體系，因此對于內存廠商而言，只需對制造普通 SDRAM 的設備稍加改進，即可實現 DDR 內存的生產，可有效的降低成本。SDRAM 在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而 DDR 內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次次數