1、全面教你認識內(nèi)存參數(shù)向您全面介紹了內(nèi)存參數(shù)內(nèi)存熱點jany 2010-4-28內(nèi)存這種小硬件是電腦系統(tǒng)中最重要的組件之一然而，對于入門級用戶來說，簡單的參數(shù)（如內(nèi)存類型、工作頻率和接口類型）印象可能非常模糊， 對于更小的內(nèi)存計時參數(shù)來說甚至更加混亂。對于高級玩家來說， 一些特定的內(nèi)存小參數(shù)設(shè)置足以影響超頻效果和整個系統(tǒng)的最終性能。如果你不想成為一個新手，你不必記住所有的參數(shù)和規(guī)格，但至少你有一個基本的理解，當(dāng)你真的需要使用它們時，你不會不知道什么時候你去查閱它們。內(nèi)存類型目前，桌面平臺上使用的內(nèi)存主要有三種:DDR1 、 DDR2 和 DDR3，其中 DDR 1 內(nèi)存已經(jīng)基本淘汰，DDR 2

2、和 DDR 3 是當(dāng)前主流。DDR1存儲器第一代 DDR 存儲器DDR 特別提款權(quán)是雙倍數(shù)據(jù)速率特別提款權(quán)的縮寫，意思是雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器DDR 存儲器是在SDRAM 存儲器的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，仍然使用SDRAM 生產(chǎn)系統(tǒng)。因此， 對于存儲器制造商來說，只需對制造普通軟件無線電存儲器的設(shè)備稍加改進，就可以實現(xiàn) DDR 存儲器的生產(chǎn)，從而有效降低成本。DDR2 存儲器第二代內(nèi)存DDR2 是第二代內(nèi)存產(chǎn)品它是在DDR 存儲器技術(shù)的基礎(chǔ)上改進的，因此它具有更快的傳輸速度（高達800 兆赫茲）、更低的功耗和更好的散熱性能。DDR3 存儲器第三代 DDR 存儲器DDR3相的工作電壓比DDR2

3、低，從DDR2的1.8V降至1.5V,具有更好的性能和省電性能。DDR2 的 4 位預(yù)讀升級為8 位預(yù)讀目前，DDR3 可以達到1600 兆赫的速度。由于目前最快的DDR2 內(nèi)存速度已提高到800兆赫/1066兆赫，第一批DDR3內(nèi)存模塊將從1333兆赫。三種類型的內(nèi)存從內(nèi)存控制器到內(nèi)存插槽不兼容即使在同時支持兩種內(nèi)存的組合主板上，兩種內(nèi)存也不能同時工作，只能使用一種內(nèi)存。存儲器 SPD 芯片存儲器SPD芯片SPD（串行存在檢測）:SPD是一個8引腳的電可擦可編程只讀存儲器，容量為 256 字節(jié)， 主要存儲存儲器的相關(guān)數(shù)據(jù)，如容量、 芯片制造商、存儲器模塊制造商、工作速度等。存儲模塊的內(nèi)容通常

4、由存儲模塊制造商編寫支持單刀雙擲的主板在啟動時自動檢測單刀雙擲中的數(shù)據(jù)，并相應(yīng)設(shè)置存儲器的工作參數(shù)啟動計算機后，主板BIOS將讀取SPD中的信息，主板北橋芯片組將根據(jù)這些參數(shù)信息自動配置相應(yīng)的內(nèi)存工作順序和控制寄存器，從而充分發(fā)揮內(nèi)存芯片的性能實現(xiàn)上述情況的前提是在基本輸入輸出系統(tǒng)設(shè)置界面中將內(nèi)存設(shè)置選項設(shè)置為“按單刀雙擲”。 當(dāng)主板無法從內(nèi)存模塊中檢測到SPD信息時，它只能提供更保守的配置在某種意義上，SPD 芯片是識別記憶品牌的重要標志如果SPD 中的參數(shù)值設(shè)置不正確，將不會優(yōu)化內(nèi)存，但會導(dǎo)致系統(tǒng)工作不穩(wěn)定甚至崩潰。因此，為了避免兼容性問題，許多普通內(nèi)存或兼容內(nèi)存制造商一般將內(nèi)存操作參數(shù)設(shè)

5、置在相對保守的SPD， 從而限制了內(nèi)存性能的充分發(fā)揮更有甚者，一些非法制造商使用特殊的讀寫設(shè)備來改變SPD信息，以欺騙計算機的檢測和獲取不一致的數(shù)據(jù)，從而欺騙消費者。XMP 技術(shù)支持 XMP 的內(nèi)存產(chǎn)品XMP 設(shè)置在基本輸入輸出系統(tǒng)英特爾至尊內(nèi)存配置文件（XMP）中，這是一項提高內(nèi)存性能的技術(shù)，類似于英偉達的SLI 內(nèi)存技術(shù)英特爾制定了英特爾至尊內(nèi)存配置文件 （英特爾XMP 規(guī)范），該文件將認證DDR3 內(nèi)存。芯片組將自動識別已通過認證的內(nèi)存模塊產(chǎn)品的指定品牌和指定型號，并通過提高數(shù)據(jù)吞吐量和帶寬等來提高其性能。英特爾公司表示，由于它主要用于未來的高端平臺，這項技術(shù)不會出現(xiàn)在 DDR2 內(nèi)存模

6、塊上，使用 “極限內(nèi)存 ”技術(shù)的第一個條件是使用DDR3 內(nèi)存。內(nèi)存控制器內(nèi)存控制器是計算機系統(tǒng)內(nèi)存內(nèi)部控制和內(nèi)存與中央處理器通過內(nèi)存控制器進行數(shù)據(jù)交換的重要組成部分內(nèi)存控制器決定了計算機系統(tǒng)可以使用的最大內(nèi)存容量、內(nèi)存庫數(shù)量、內(nèi)存類型和速度、內(nèi)存粒度數(shù)據(jù)的深度和寬度以及其他重要參數(shù)，也就是說，決定了計算機系統(tǒng)的內(nèi)存性能，因此極大地影響了計算機系統(tǒng)的整體性能。的早期內(nèi)存控制器集成在主板的北橋芯片中。傳統(tǒng)計算機系統(tǒng)的內(nèi)存控制器位于主板芯片組的北橋芯片中。為了與內(nèi)存交換數(shù)據(jù)，中央處理器需要經(jīng)歷“中央處理器-北橋-內(nèi)存-北橋-中央處理器”的五個步驟。在這種模式下，數(shù)據(jù)通過多級傳輸，數(shù)據(jù)延遲明顯較大，

7、從而影響計算機系統(tǒng)的整體性能。AMD的K8系列CPU（包括各種帶有插槽754/939/940和其他接口的處理器）內(nèi)部集成了一個內(nèi)存控制器。中央處理器和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)交換過程簡化為“中央處理器-內(nèi)存-中央處理器 ”三個步驟，省略了兩個步驟。與傳統(tǒng)的內(nèi)存控制器方案相比， 它明顯具有更低的數(shù)據(jù)延遲，這有助于提高計算機系統(tǒng)的整體性能AMD 率先將內(nèi)存控制器集成到臺式機平臺上的CPU英特爾新核心系列處理器中。它還將內(nèi)存控制器集成到中央處理器中。集成內(nèi)存控制器的優(yōu)點是可以有效地控制內(nèi)存控制器工作在與中央處理器內(nèi)核相同的頻率上，并且由于內(nèi)存和中央處理器之間的數(shù)據(jù)交換不需要通過北橋，因此可以有效地減少傳輸延遲

8、例如， 這就像將貨物倉庫直接移動到加工車間，這大大減少了原材料和成品在貨物倉庫和加工車間之間來回運輸所需的時間，并大大提高了生產(chǎn)效率。因此，系統(tǒng)的整體性能也得到了提高。內(nèi)存規(guī)格參數(shù)內(nèi)存性能規(guī)格標簽內(nèi)存頻率像中央處理器一樣，內(nèi)存也有自己的工作頻率。從某種程度上來說，內(nèi)存的主頻越高，表示內(nèi)存能夠達到的速度越快。存儲器的主頻率決定了存儲器能夠正常工作的最大頻率。目前，最流行的記憶頻率是DDR2-800和DDR3-1333。作為DDR2的替代品，DDR3存儲器的頻率已經(jīng)達到3000 兆赫。內(nèi)存容量內(nèi)存容量不僅是影響內(nèi)存價格的因素，也是影響整體系統(tǒng)性能的因素過去， 512 兆內(nèi)存仍然是視窗XP 平臺的主

9、流，1GB 已經(jīng)是一個大容量了。到目前為止，64 位系統(tǒng)已經(jīng)變得流行起來。越來越多的人使用帶有的視窗 Vista 和視窗7。如果沒有大約2GB 的內(nèi)存，可能無法保證操作的平穩(wěn)性。目前，單塊內(nèi)存的容量主要包括1GB和2GB。在高端，也有一塊罕見的4GB 超大容量內(nèi)存，工作電壓為。不同類型的存儲器正常工作所需的電壓不同。但是，每種類型的內(nèi)存都有自己的規(guī)格，這些規(guī)格超出了內(nèi)存的規(guī)格，很容易造成內(nèi)存損壞。DDR2存儲器的工作電壓通常約為 1.8V,而DDR3存儲器的 工作電壓約為1.6v 一些高頻存儲器需要在高于標準的電壓值下工作。 對于每種品牌和類型的內(nèi)存，這取決于制造商。只要它在允許的范圍內(nèi)浮動，

10、稍微增加內(nèi)存電壓有利于內(nèi)存超頻，但同時，發(fā)熱量大大增加，因此存在硬件損壞的風(fēng)險。存儲器定時參數(shù)基本輸入輸出系統(tǒng)存儲器定時設(shè)置TCL: CAS 延遲控制(TCL)通常，當(dāng)我們查找存儲器定時參數(shù)，如“8 -8-8-24”和其他數(shù)字序列時，上述數(shù)字序列的相應(yīng)參數(shù)是 “C-tRCD-tRP-tRAS'第一個"8是第一個參數(shù)，即CL 參數(shù)CAS 延遲控制(也稱為tc1、 CL、 CAS 延遲時間、CAS 延遲 )， CAS延遲是 地址控制器在內(nèi)存讀寫操作前的延遲 ” CAS控制接收指令和 執(zhí)行指令之間的時間因為CAS 主要控制十六進制地址，或內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最重要的參數(shù)，應(yīng)

11、該在穩(wěn)定的前提下設(shè)置得盡可能低。內(nèi)存根據(jù)行和列尋址。當(dāng)請求被觸發(fā)時，它最初是tRAS（激活預(yù)充電延遲）。預(yù)充電后，內(nèi)存真正開始初始化RAS 一旦激活了tRAS，RAS（行地址選通）就開始尋址所需的數(shù)據(jù)首先是行地址，然后是tRCD初始化，循環(huán)結(jié)束，然后通過CAS 訪問所需數(shù)據(jù)的確切十六進制地址從 CAS 開始到 CAS 結(jié)束的時間段是CAS 延遲。因此，CAS 是找到數(shù)據(jù)的最后一步，也是最重要的內(nèi)存參數(shù)。該參數(shù)控制存儲器在實際執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取指令之前必須等待多少個時鐘周期。 同時， 該參數(shù)還決定了在存儲器突發(fā)傳輸過程中完成第一部分傳輸所需的時鐘周期數(shù)該參數(shù)越小，內(nèi)存越快必須注意的是，有些內(nèi)存不能在低

12、延遲下運行，可能會丟失數(shù)據(jù)。此外，增加延遲會使內(nèi)存以更高的頻率運行，因此當(dāng)內(nèi)存需要超頻時，應(yīng)該嘗試增加CAS 延遲。該參數(shù)對內(nèi)存性能影響最大。在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS 值越低，內(nèi)存讀寫操作越快。存儲器標記tcd: ras 到 CAS 延遲該值是 “8 -8-8-24”存儲器定時參數(shù)中的第二個參數(shù)，即第二個“ 8” RAS到CAS延遲（也稱為:tRCD, RAS到CAS延遲，活動到CMD）,表示行到列尋址延遲時間，值越小，性能越好。當(dāng)讀取、寫入或刷新存儲器時，有必要在這兩個脈沖信號之間插入延遲時鐘周期在JEDEC規(guī)范中，它是第二個參數(shù)。減少這種延遲可以提高系統(tǒng)性能。如果您的內(nèi)存超頻性能不

13、好，您可以將此值設(shè)置為內(nèi)存的默認值，或者嘗試增加tRCD 值。trp:行預(yù)充電（TRP）該值是“8 -8-8-24”存儲器定時參數(shù)中的第三個參數(shù)，即第三個“ 8行預(yù)”充電定時（也稱為tRP、 RAS 預(yù)充電、預(yù)充電到活動）意味著存儲行地址控制器的延遲。預(yù)充電參數(shù)越小，存儲器讀寫速度越快。在激活另一行之前，TRP 用于設(shè)置RAS 所需的充電時間。tras: min ras活動時序該值是 “8 -8-8-24”存儲器時序參數(shù)中的最后一個參數(shù)，即“ 24最小”RAS激活時間（也稱為:tRAS、激活到預(yù)充電延遲、行激活時間、預(yù)充電等待狀態(tài)、行激活延遲、行預(yù)充電延遲、RAS 激活時間 ）表示 “從存儲器行有效到預(yù)充電的最短時間”。調(diào)整這個參數(shù)需要根據(jù)具體情況來決定， 一般來說我們最好把它設(shè)置在24 到 30 之間這個參數(shù)取決于實際情況，并不是說越大或越小越好。如果傳輸時間過長，系統(tǒng)會因不必要的等待而降低性能。減少 tRAS周期將導(dǎo)致激活的行地址更早進入非活動狀態(tài)。如果tRAS 的周期太短， 數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸可能由于缺少足夠的時間而無法完成，這可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或數(shù)據(jù)損壞。該值通常設(shè)置為CAS 延遲 +tRCD+2 個時鐘周期ddr2-ddr3 基本上已經(jīng)完成了 的更換