1、文檔來源為 :從網(wǎng)絡收集整理.word 版本可編輯.歡迎下載支持發(fā)信人:smallsheep(finalexamination),信區(qū):Pretest標題:微電子器件發(fā)信站:自由空間(MonJun2010:27:102005),站內(nèi)填空：一，已知af,aR,和IES,求Ics=(互易關系)二.bjtA和bjtBo一個集電極是N-,一個集電極是N+問：哪個飽和壓降大_，那個early電壓大_那個容易電流集邊_.哪個容易穿通電壓大哪個容易擊穿BVCBO.,三.發(fā)射結擴散電容應該包括那幾個時間常數(shù)的影響簡答：1 .陣口ft對Ic的特性有很大的相似之處，比如在小電流段都隨Ic的減小而減小，在大電流段都

2、隨Ic的增大而減小。請解釋原因2 .總結一下NN+結的作用。大題：1 .對于雜質(zhì)濃度分布為NAB(x)=NAB(0)exp(入x/WB)勺分布，用mollrose方法推出基區(qū)少子分布和渡越時間。2 .給了WB,WE,和其它一堆參數(shù)，求&a,hef.求IB，Ic，求幾模型參數(shù)，gm,go,gu.3 .畫圖，上升時間t0，t1，t2三點處的能帶圖，和少子分布圖總體來說很簡單。好像很多人都很得意，ft！發(fā)信人:willow(我要我的自由),信區(qū):Pretest標題:半導體器件-張莉發(fā)信站:自由空間(WedJun2321:38:402004),站內(nèi)A卷1。以下那些是由熱載流子效應引起的。6個選

3、項，待補充。2。何謂準靜態(tài)近似3。為了加快電路開關時間參數(shù)應如何選取。參數(shù)，電容，fT,beita,待補充4。CE律的參數(shù)變化，Vt,xSiO2,N,結深按照參數(shù)的變化規(guī)律下列效應將如何變化(1)摻雜濃度N引起：.5種效應，待補充。/sigh,我把N弄反了，5個空全錯(2)結深引起。3種效應，待補充。5?BJT高頻pai電路，及各參數(shù)意義簡答，(1)Vbs增加，nMOS,pMOS的Vt,gmb分別如何變化(2)場區(qū)注入的雜質(zhì)類型，作用，對小尺寸器件影響一個MOS管，柵接漏接高電位，襯底接源接地給了4個IdVds，Vfb,Na,求盡可能多的參數(shù)已知載流子速度v(y尸u*dV(y)/d(y),推導

4、Vds=Vdsat時的v(y),并作圖-發(fā)信人:wkgenius(我們都渴望一種溫存),信區(qū):Pretest標題:2003年春半導體器件試題發(fā)信站:自由空間(2003年07月02日18:12:53星期三),站內(nèi)信件1.6ev|1um|醬紫的pn結導帶底能帶分布問1:N還是P重摻雜，為何?問2：外加電壓正抑或負，為何？問3：求低摻雜邊摻雜濃度問4：畫場強分布，求最大場強，并畫0偏時的場強分布二.pnp正向放大區(qū)和反向放大加壓的問題，兩種情況下一些增益參數(shù)的變化，恩，題目太長樂。三.MOS和BJT飽和區(qū)的含義和機構(5 個，其四.tox減小對mos管一些效應的影響及原因，有截止頻率，亞閾值特性他的

5、三個記不清了，這個沒仔細看，亂答得:()五.MOS和BJTfT的產(chǎn)生機構(就是延遲項的含義)六求本征電流增益，注意Qb0=Gb*q就萬事大吉了七.給定基區(qū)分布，求基區(qū)傳輸延遲(理解了moll-ross方法就easy了)八關于MOS襯偏調(diào)制系數(shù)以及beta值等的運算，很簡單九一些基本概念的簡答，比較常規(guī)十.可夾斷型埋溝器件，Vgs=Vt,襯偏為0時的能帶圖*貼出來供ddmm們參考吧，題目有點活，關鍵在于考察對基礎知識的理解，平時作業(yè)一定要弄懂plus:光電專業(yè)的ddmm一定別選這個課阿，內(nèi)容超級多而且雜，很是很煩的，別重蹈我的覆轍發(fā)信人:XTR（M970）,信區(qū):Pretest標題:微電子器件與

6、電路（許軍老師）2009秋季期末考題發(fā)信站:自由空間（SatJan921:45:102010）,站內(nèi)第一次在pretest發(fā)題，為后面的幾門攢rp吧1 .填空（20分）（與上一年的是完全一樣的，cv過來而已）1 .在雙極型集成電路中不同BJT器件之間的隔離通常采用來實現(xiàn)，而埋層的作用則主要是,提高BJT電流增益的主要方法有,以及,若發(fā)射級摻雜濃度過高也會導致BJT放大倍數(shù)的下降，主要是由于效應造成的。2 .半導體晶體材料中載流子擴散系數(shù)主要取決于A.散射機制B.復合機制C雜質(zhì)濃度梯度D.表面復合速度3 .有效的降低NMOS晶體管的關態(tài)漏電流，可以采用下面哪種方法A.減小源漏之間的溝道長度B.降

7、低器件閾值電壓C提高襯底溝道區(qū)的摻雜濃度D.降低源漏區(qū)的摻雜濃度4 .硅PN結實驗表明小注入時，理論計算的I比實驗值小，其原因主要是理論計算忽略了A擴散區(qū)的產(chǎn)生電流B.勢壘區(qū)的產(chǎn)生電流C.擴散區(qū)復合電流D.勢壘區(qū)的復合電流5 .要有效的抑制雙極型晶體管的基區(qū)寬度調(diào)制效應，可以采用下面哪種方法A.減小基區(qū)摻雜濃度B.增大基區(qū)摻雜濃度C.增大收集區(qū)摻雜濃度D.減小基區(qū)寬度2 .（20分）一個NMOS器件，W=15lm,L=2am,Cox=6.9*10A（-8）F/cm2,保持VDS=0.1V不變，VGS=1.5V時，IDS=35aA;VGS=2.5V時，IDS=75aA。求心n和VT。3 .（20

8、分）采用N+摻雜的多晶硅柵極NMOS器件，P襯底摻雜濃度NA=3*10A16/cm3,（）ms=1.10V,NSS=1.0*10A11/cm2,VT0=0.65V。求tox和VBS=-3V時的VT。4 .（20分）影響硅雙極型晶體管高頻性能的主要因素有哪些？能否用兩個PN結二極管反向串聯(lián)起來形成NPN或PNP的結構來實現(xiàn)BJT的電流放大作用，為什么？5 .（20分）采用電阻作為負載的NMOS反相器，NMOS的W/L=4/1,心n=500cm2V-s,VT0=1.0V,Cox=1*10A（-7）F/cm2,R=10kQ,VDD=5V。（1）求Vin=0,2.5V,5V時對應的輸出電壓VOH,VO

9、M,VOL。（2）如果要使VOM=2.5V，應當如何調(diào)整R或W/L的值，說明設計方案并求出此時的VOH和VOL。發(fā)信人:arg（SaintBaby）,信區(qū):Pretest標題:微電子器件與電路期末-許軍老師-六字班發(fā)信站:自由空間（SatJan322:03:232009）,站內(nèi)一.填空（20分）1 .在雙極型集成電路中不同BJT器件之間的隔離通常采用來實現(xiàn)，而埋層的作用則主要是,提高BJT電流增益的主要方法有,以及,若發(fā)射級摻雜濃度過高也會導致BJT放大倍數(shù)的下降，主要是由于o2 .半導體晶體材料中載流子擴散系數(shù)主要取決于A.散射機制B.復合機制C雜質(zhì)濃度梯度D.表面復合速度3 .有效的降低N

10、MOS晶體管的關態(tài)漏電流，可以采用下面哪種方法A.減小源漏之間的溝道長度B.降低器件閾值電壓C提高襯底溝道區(qū)的摻雜濃度D.降低源漏區(qū)的摻雜濃度4 .硅PN結實驗表明小注入時，理論計算的I比實驗值小，其原因主要是理論計算忽略了A擴散區(qū)的產(chǎn)生電流B.勢壘區(qū)的產(chǎn)生電流C.擴散區(qū)復合電流D.勢壘區(qū)的復合電流5 .要有效的抑制雙極型晶體管的基區(qū)寬度調(diào)制效應，可以采用下面哪種方法A.減小基區(qū)摻雜濃度B.增大基區(qū)摻雜濃度C.增大收集區(qū)摻雜濃度D.減小基區(qū)寬度二一個硅PNP型BJT的發(fā)射區(qū)，基區(qū)與收集區(qū)的摻雜濃度分別為1e19,5e17和1e15,Xe=1um,Xb=0.7um，其中un=450，up=90，

11、載流子擴散長度為20um，忽略發(fā)射結空間電荷區(qū)的復合效應，計算該BJT的發(fā)射結注入效率，基區(qū)輸運系數(shù)以及晶體管電流放大倍數(shù)a和b.（20分）三.P襯底上制作的一個Al柵極MOS器件，tox=500A,Qss=1.5e11cm-2,假設fai（ms）=-0.85V,計算該器件零偏開啟電壓和VBS=2V下的閾值電壓.（20分）四.對于MOS功率器件，通常采用什么方法增大其電流驅(qū)動能力？對于BJT功率器件，通常采用什么方法增大其電流驅(qū)動能力？并簡要說明理由.（20分）五.一個有比電路（上拉網(wǎng)絡是R=10k,下面接一個NMOS）W/L=4/1,un=500,VT=1V,Cox=1e-7,R=10K，V

12、dd=5V（1）Vin=0V，2.5V，5V時，求出分別對應的輸出電壓（2）欲使Vom=2.5V,如何調(diào)整R或者W/L的值？給出你的設計方案，并求出對應情況下的Vol,Voh.（20分）許老師的考題真詭異發(fā)信人:hellow（hui）,信區(qū):Pretest標題:半導體器件-我剛剛重考過的發(fā)信站:自由空間（2001年06月01日18:43:19星期五）,站內(nèi)信件這門課的特點就是公式狂多，你記不住:（被砍的人最多了，我是其中一員。剛剛重考過，所以就告訴大家考過了什么，因為和去年的沒有區(qū)別，可能對大家的幫助比較大:)1 .p59,雙極晶體管外加電壓的正負特性2 .p60,圖2-8，會多少有些變化，自

13、己注意了，加能帶圖3 .p80,e-m方程，這次沒有考，不過很重要，呵呵4 .p82,疊加原理，考了3次，如果這次不考，說明你們點背5 .p82,互易關系，去年考了，今年沒有考6 .p116,解釋基區(qū)寬度調(diào)變效應，呵呵，有些難記，不過比著死悄悄，你知道應該選擇什么啦,這節(jié)的公式記牢了:)接下來的晚點再說，有事情了發(fā)信人:hellow(hui),信區(qū):Pretest標題:半導體器件(補充)發(fā)信站:自由空間(2001年06月02日12:28:49星期六),站內(nèi)信件p153-156，計算f-t,h-fe,f-beta，如果有兩道計算題，則肯定有這一道，主要公式是f-beta(p155,3-99),這

14、就牽涉到p156-p170關于傳輸時間的計算，我看得不士很懂，感覺理論性太強了:(p192，最高震蕩頻率，此概念連著2年都考了。p221，埋溝的概念和解解，96，97，此次重考都出了，我不明白有什么重要的，不過還是記了一下。p223，mos系統(tǒng)的能帶圖，如果此章出畫圖題，非這個莫屬，包括一些變形:Pp222-224，關于一些電壓的計算，不確定會是那個，但是公式是相同的。p224-234，閾電壓的計算，本章的計算只可能出這一個，而且老師也喜歡這個。p235，薩方程，不得不說，它太重要了，可能要你推導的說/pukeblood。p255，幾個跨導的計算，強調(diào)了好多次，可惜每次都沒有考，不知你們的運氣

15、如何。p258,V-a的計算，還有p119(2-312)計算V-a。剛才有人說zl可能要變題了，我認為不可能，因為教材完全沒有改變，只不過你們的封面好看了一些，這些點希望沒有時間復習的ddmm們切記，并且演算幾個題目，我不能給你保證說你肯定能過，起碼死的不會很抽象。祝大家推研順利！發(fā)信人:ogre(營養(yǎng)餅),信區(qū):Pretest標題:v6晶體管！發(fā)信站:FreeE&E(ThuJun1712:49:351999),轉(zhuǎn)信考慮到v6同學的心情，抓緊時間貼出此文：我們的晶體管是張莉講課，曹老出題，現(xiàn)在，將我們當年的一些試題貼在下面。由于時間已久，有點忘了，也記不清是期中題還是期末的題了，以下內(nèi)

16、容僅供參考。1畫出PNP管在飽和區(qū)、正向工作區(qū)、反向工作區(qū)的能級圖和載流子分布圖。注意，是PNP管，書上是NPN管。2 晶體管原理（中）的“第三章”（小信號模型及開關特性）中有一道大證明題，好象是推導雙極管的關斷時間和開啟時間。（中冊6877頁）3 MOS元件有一道計算題，完全是套用公式，比較簡單。（MOS是不是不考）4 畫小信號等效電路，并求各電容、各時間（tao_.），跟一道作業(yè)題很象。5 雙級元件的擊穿，主要考原理說明。6 求B（bei_ta），比較簡單，直接套公式。7 一些小題，主要考對基礎概念的理解和記憶。能記住的就只有這么多了，不知對大家有沒有幫助。著門課總的感覺是著重考基礎內(nèi)容，復習時不要太偏。（可以參考我很久以前在此版發(fā)的文章）發(fā)信人:wizard（冰兒）,信區(qū):Pretest標題:v6晶體管試題發(fā)信站:FreeE&E（SunJun