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各種晶體管的導通條件及特性SCR,GTO,GTR,MOSFET,IGBT晶閘管晶閘管(SCR)(SCR)陽極Anode陰極kathode導通條件：A-K之間加正向電壓，G-K之間加正向電壓(門極G上加觸發脈沖)；特性：當陽極電流上升到擎住電流(使晶閘管由關斷到導通的最小電流)，即使門極G電壓信號消失，晶閘管仍可繼續導通關斷條件：晶閘管陽極電流小于維持電流(保持晶閘管導通的最小電流)G-Gate門極門極可關斷晶閘管門極可關斷晶閘管(GTO)(GTO)G-Gate門極陽極Anode陰極kathode電力晶體管電力晶體管(GTR)(GTR)基極baseC- collect集電極e- emitter發射極GTR在伏安特性區中只工作在飽和區和截止區導通：在基極b施加驅動信號關斷：在基極b去掉驅動信號電力場效應晶體管電力場效應晶體管(MOSFET)(MOSFET)S-Source源極D-Drain漏極G-Gate門極箭頭往里為N溝道，虛線為增強型，實線為耗盡型絕緣柵雙極晶體管（絕緣柵雙極晶體管（IGBTIGBT）

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