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1、31一種可控硅過零觸發電路的設計陳家新彭寧嵩(洛陽工學院計算機系河南471039可控硅作為大功率電子器件在工程中得到廣泛應用,其過零觸發控制方式由于對電網無污染,在許多調功設備中都采用這種觸發方式。市場上提供了幾種過零觸發的集成電路,由于沒有必要的保護,一旦電路出現故障,將危及與之相連接的其它設備,并沒有受到用戶的青睞,很多用戶自己研制可控硅控制電路。圖3所給出的可控硅觸發電路,采用了二級保護措施,經在多臺調功設備上使用,證明工作穩定,有很高的可靠性。圖1中DOPT1DOPT3為交流光耦,圖1中A 1、B 1、C 1各點的輸出波形如圖2所示。交流電壓過零時,光敏三極管截止,產生輸出負脈沖,輸出

2、點A 1的波形如圖2中U A 1所示:U A1經過施密特觸發器整形、反向后波形圖2中U B1所示:我們看到U A 1和U B1的脈沖均跨越過零點左右,如果直接作為發出脈沖,會導致可控硅結溫過快升高,影響器件壽命,為此,用一個電阻和一個電容構成一個單穩態移相電路,處理后的C 1點的同步輸出脈沖如圖2中U C1所示。圖3中,RW M 是占空比為0-100%的時間比例脈沖,經與同步脈沖相遇后,產生決定可控硅通斷的觸發脈沖,作為光控可控硅MC3061的輸出驅動大功率可控硅,控制可控硅的通斷,以調節負載功率。經過脈寬調制后負載的波形如圖2中UOUT 所示。為了對可控硅進行保護,光控可控硅支路串聯一個50 的電阻,和二陽極和門控段間并聯一個100 的電阻。陳家新等:一種可控硅過零觸發電路的設計圖1 過零同步脈沖檢測電路設計 應用32現代電子技術07/2000第7期(總第114期現代電子技術Mo rde rn Ele ct r

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