1、實(shí)驗(yàn)（二）存儲(chǔ)器實(shí)驗(yàn)1、 實(shí)驗(yàn)?zāi)康? 深入理解計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的功能，組成知識(shí)。2深入的學(xué)懂靜態(tài)存儲(chǔ)芯片的讀寫原理和用他們組成教學(xué)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的方法（即字，位擴(kuò)展技術(shù)），控制其運(yùn)行方式2、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.完成存儲(chǔ)器擴(kuò)展的實(shí)驗(yàn)，需要為擴(kuò)展內(nèi)存選擇一個(gè)地址，并注意讀寫和OE等控制的正確狀態(tài)。2.用監(jiān)控程序的D,E命令對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫，比較RAM，EEPROM，EPROM在讀寫上的異同。3.用A命令寫一段程序，對(duì)RAM進(jìn)行讀寫，用D命令查看結(jié)果是否正確。4.用A命令寫一段程序，對(duì)擴(kuò)展存儲(chǔ)器EEPROM進(jìn)行讀寫，用D命令查看結(jié)果是否正確，如果不正確，分析原因，改寫程序，重新運(yùn)行。3、實(shí)驗(yàn)步驟1.檢查FPG

2、A下方的插針要按下列要求短接：標(biāo)有“/MWR”“RD”的插針左邊兩個(gè)短接，標(biāo)有“/MRD”“GND”的插針右邊兩個(gè)短接，標(biāo)有ROMLCS和RAMLCS的插針短接。2.RAM（6116）支持即時(shí)讀寫，可直接用A、E命令向擴(kuò)展的存儲(chǔ)器輸入程序或改變內(nèi)存單元的值。RAM中的內(nèi)容在斷電后會(huì)消失，重新啟動(dòng)實(shí)驗(yàn)機(jī)后會(huì)發(fā)現(xiàn)內(nèi)存單元的值發(fā)生了改變。1>用E命令改變內(nèi)存單元的值并用D命令觀察結(jié)果。 <1>在命令行提示符狀態(tài)下輸入： E 2020 <2>在命令行提示符狀態(tài)下輸入： D2020 <3>斷電后重新啟動(dòng)教學(xué)實(shí)驗(yàn)機(jī)，用D命令觀察內(nèi)存單元20202023的值。 2&

3、gt;用A命令輸入一段程序，執(zhí)行并觀察結(jié)果。 <1>在命令行提示符狀態(tài)下輸入： A 2000 <2>在命令行提示符狀態(tài)下輸入： T 2000 <3>在命令行提示符狀態(tài)下輸入： G 2000 <4> 在命令行提示符狀態(tài)下輸入： R3. 將擴(kuò)展的ROM芯片（27或27系列的替代產(chǎn)品58C65芯片）插入標(biāo)有“EXTROMH”和“EXTROMP”的自鎖進(jìn)插座，要注意芯片插入的方向，帶有半圓形缺口的一方朝左插入。如果芯片插入方向不對(duì)，會(huì)導(dǎo)致芯片毀壞，然后鎖緊插座。4. 將擴(kuò)展芯片右邊的插針按下列方式短接：將EXTROMH芯片右上方的標(biāo)有“WE”“ALL”的

4、插針下面兩個(gè)短接，將他右邊標(biāo)有“TEC”“/CS”“FPGA”的三個(gè)插座左邊兩個(gè)短接，標(biāo)有XTROMLCS的插針短接，標(biāo)有“TEC”“OE”“GND”“FPGA”的四個(gè)指針上邊一排左邊的兩個(gè)短接。5. 在第四部中用戶可以將右側(cè)標(biāo)有“TEC”“/CS”“FPGA”的三個(gè)插針左邊兩個(gè)短接這表示擴(kuò)展的ROM的內(nèi)存地址是從4000H開始，可用空間是4000H5FFFH，用戶可在這個(gè)范圍內(nèi)輸入程序或改變內(nèi)存單元的值，也可以將這個(gè)插針斷開，將標(biāo)有/CS的圓孔針與標(biāo)有MEM/CS的一排圓孔針中的任意一個(gè)用導(dǎo)線相連；注意連接的地址范圍是多少，用戶可用的地址空間就是多少。6. 將標(biāo)有“DataBus15-8”和

5、“DataBus7-0”的數(shù)據(jù)總線的指示燈下方的插針短接；7. 將標(biāo)有“AdressBus15-8”和“AdressBus7-0”的數(shù)據(jù)總線的指示燈下方的插針短接；AT28C64B的讀寫操作和一般的RAM一樣，而其寫操作，需要一定的時(shí)間，大約為1毫秒。因此，需要編寫一延遲子程序，在對(duì)EEPROM進(jìn)行寫操作時(shí)，調(diào)用該子程序，以完成正確的讀寫。1）用E命令改變內(nèi)存單元的值并用D命令觀察結(jié)果。<1>在E命令改變內(nèi)存單元的值并用D命令觀察結(jié)果。E 5000屏幕將顯示： 5000 內(nèi)存單元原值：按如下形式鍵入：5000 原值：2424（按空格）原值：3636（按空格）原值：4848（按空格）

6、原值： 5050<2>在命令行提示符狀態(tài)下輸入： D 5000屏幕將顯示5000H507FH內(nèi)容單元的值，從5000開始的連續(xù)四個(gè)內(nèi)存單元的值一次為24243636 4848 5050.<3>斷電后重新啟動(dòng)，用D命令觀察看內(nèi)存單元50005003的值，會(huì)發(fā)現(xiàn)這四個(gè)單元的值沒有發(fā)生改變，說明EEPROM的內(nèi)容斷電后可保存。2）AT28C64B 存儲(chǔ)器不能直接用A命令出入程序，單字節(jié)的指令可能會(huì)寫進(jìn)去，雙字節(jié)指令的低位會(huì)出錯(cuò)（建議試一試），可將編寫好的程序用編程器寫入片內(nèi)；也可以將程序放到RAM（6116）中，調(diào)用延時(shí)子程序，訪問AT28C64B中的內(nèi)存地址。運(yùn)行主程序，在命令提示符下輸入： G 2000程序執(zhí)行結(jié)束后，在命令提示符下輸入