1、第第9 9章章 電力電子器件應用的共性問題電力電子器件應用的共性問題 9.1 9.1 電力電子器件的驅動電力電子器件的驅動 9.2 9.2 電力電子器件的保護電力電子器件的保護 9.3 9.3 電力電子器件的串聯使用和并聯使電力電子器件的串聯使用和并聯使用用 本章小結本章小結9.1 電力電子器件的驅動電力電子器件的驅動 9.1.1 電力電子器件驅動電路概述電力電子器件驅動電路概述 9.1.2 晶閘管的觸發電路晶閘管的觸發電路 9.1.3 典型全控型器件的驅動電路典型全控型器件的驅動電路 9.1.1 電力電子器件驅動電路概述電力電子器件驅動電路概述驅動電路驅動電路 是電力電子主電路與控制電路之間

2、的接口。是電力電子主電路與控制電路之間的接口。 良好的驅動電路使電力電子器件工作在較理想的開良好的驅動電路使電力電子器件工作在較理想的開關狀態，縮短開關時間，減小開關損耗。關狀態，縮短開關時間，減小開關損耗。 對裝置的運行效率、可靠性和安全性都有重要的意對裝置的運行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。義。 一些保護措施也往往設在驅動電路中，或通過驅動一些保護措施也往往設在驅動電路中，或通過驅動電路實現。電路實現。驅動電路的基本任務驅動電路的基本任務 按控制目標的要求給器件施加開通或關斷的信號。按控制目標的要求給器件施加開通或關斷的信號。 對半控型器件只需提供開通控制信號；對全控型器對半控型器件

3、只需提供開通控制信號；對全控型器件則既要提供開通控制信號，又要提供關斷控制信號。件則既要提供開通控制信號，又要提供關斷控制信號。9.1.1 電力電子器件驅動電路概述電力電子器件驅動電路概述驅動電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣隔離環節，一般采用光隔驅動電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣隔離環節，一般采用光隔離或磁隔離。離或磁隔離。 光隔離一般采用光耦合器光隔離一般采用光耦合器 光耦合器由發光二極管和光敏晶體管組成，封裝在一個外殼內。光耦合器由發光二極管和光敏晶體管組成，封裝在一個外殼內。 有普通、高速和高傳輸比三種類型。有普通、高速和高傳輸比三種類型。 磁隔離的元件通常是脈沖變壓器磁隔

4、離的元件通常是脈沖變壓器 當脈沖較寬時，為避免鐵心飽和，常采用高頻調制和解調的方法。當脈沖較寬時，為避免鐵心飽和，常采用高頻調制和解調的方法。 ERERERa)b)c)UinUoutR1ICIDR1R1圖圖9-1 光耦合器的類型及接法光耦合器的類型及接法a) 普通型普通型 b) 高速型高速型 c) 高傳輸比型高傳輸比型 9.1.1 電力電子器件驅動電路概述電力電子器件驅動電路概述驅動電路的分類驅動電路的分類 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質，可以將電力電子器件分為電流驅動型和電信號的性質，可以將電力電子器件分為電流驅動型和電

5、壓驅動型兩類。壓驅動型兩類。 晶閘管的驅動電路常稱為觸發電路。晶閘管的驅動電路常稱為觸發電路。 驅動電路具體形式可為分立元件的，但目前的趨勢是采驅動電路具體形式可為分立元件的，但目前的趨勢是采用專用集成驅動電路。用專用集成驅動電路。 雙列直插式集成電路及將光耦隔離電路也集成在內雙列直插式集成電路及將光耦隔離電路也集成在內的混合集成電路。的混合集成電路。 為達到參數最佳配合，首選所用器件生產廠家專門為達到參數最佳配合，首選所用器件生產廠家專門開發的集成驅動電路。開發的集成驅動電路。9.1.2 晶閘管的觸發電路晶閘管的觸發電路IIMt1t2t3t4圖圖9-2理想的晶閘管觸發脈沖電流波形理想的晶閘管

6、觸發脈沖電流波形t1t2脈沖前沿上升時間（脈沖前沿上升時間（1s）t1t3強脈沖寬度強脈沖寬度IM強脈沖幅值強脈沖幅值3IGT5IGT）t1t4脈沖寬度脈沖寬度I脈沖平頂幅值脈沖平頂幅值1.5IGT2IGT） 晶閘管的觸發電路晶閘管的觸發電路 作用：產生符合要求的門極觸發脈沖，作用：產生符合要求的門極觸發脈沖，保證晶閘管在需要的時刻由阻斷轉為導通。保證晶閘管在需要的時刻由阻斷轉為導通。 晶閘管觸發電路往往還包括對其觸發時晶閘管觸發電路往往還包括對其觸發時刻進行控制的相位控制電路。刻進行控制的相位控制電路。 觸發電路應滿足下列要求觸發電路應滿足下列要求 觸發脈沖的寬度應保證晶閘管可靠導觸發脈沖的

7、寬度應保證晶閘管可靠導通，比如對感性和反電動勢負載的變流器通，比如對感性和反電動勢負載的變流器應采用寬脈沖或脈沖列觸發。應采用寬脈沖或脈沖列觸發。 觸發脈沖應有足夠的幅度，對戶外寒觸發脈沖應有足夠的幅度，對戶外寒冷場合，脈沖電流的幅度應增大為器件最冷場合，脈沖電流的幅度應增大為器件最大觸發電流的大觸發電流的35倍，脈沖前沿的陡度也倍，脈沖前沿的陡度也需增加，一般需達需增加，一般需達12A/s。 觸發脈沖應不超過晶閘管門極的電壓、觸發脈沖應不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額，且在門極伏安特性的可電流和功率定額，且在門極伏安特性的可靠觸發區域之內。靠觸發區域之內。 應有良好的抗干擾性能、溫度穩

8、定性應有良好的抗干擾性能、溫度穩定性及與主電路的電氣隔離。及與主電路的電氣隔離。 9.1.2 晶閘管的觸發電路晶閘管的觸發電路圖圖9-3 常見的晶閘管觸發電路常見的晶閘管觸發電路常見的晶閘管觸發電路常見的晶閘管觸發電路 由由V1、V2構成的脈沖放大環構成的脈沖放大環節和脈沖變壓器節和脈沖變壓器TM和附屬電路構和附屬電路構成的脈沖輸出環節兩部分組成。成的脈沖輸出環節兩部分組成。 當當V1、V2導通時，通過脈沖導通時，通過脈沖變壓器向晶閘管的門極和陰極之變壓器向晶閘管的門極和陰極之間輸出觸發脈沖。間輸出觸發脈沖。 VD1和和R3是為了是為了V1、V2由導由導通變為截止時脈沖變壓器通變為截止時脈沖變

9、壓器TM釋放釋放其儲存的能量而設的。其儲存的能量而設的。 為了獲得觸發脈沖波形中的為了獲得觸發脈沖波形中的強脈沖部分，還需適當附加其它強脈沖部分，還需適當附加其它電路環節。電路環節。 9.1.3 典型全控型器件的驅動電路典型全控型器件的驅動電路OttOuGiG圖圖9-4 推薦的推薦的GTO門極電壓電流波形門極電壓電流波形電流驅動型器件的驅動電路電流驅動型器件的驅動電路 GTO和和GTR是電流驅動型器是電流驅動型器件。件。 GTO 開通控制與普通晶閘管相開通控制與普通晶閘管相似，但對觸發脈沖前沿的幅值和似，但對觸發脈沖前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整個導陡度要求高，且一般需在整個導通期間施加

10、正門極電流，使通期間施加正門極電流，使GTO關斷需施加負門極電流，對其幅關斷需施加負門極電流，對其幅值和陡度的要求更高。值和陡度的要求更高。 GTO一般用于大容量電路一般用于大容量電路的場合，其驅動電路通常包括開的場合，其驅動電路通常包括開通驅動電路、關斷驅動電路和門通驅動電路、關斷驅動電路和門極反偏電路三部分，可分為脈沖極反偏電路三部分，可分為脈沖變壓器耦合式和直接耦合式兩種變壓器耦合式和直接耦合式兩種類型。類型。 幅值需達陽極電流幅值需達陽極電流的的1/3左右，陡度需左右，陡度需達達50A/s，強負脈，強負脈沖寬度約沖寬度約30s，負，負脈沖總寬約脈沖總寬約100s 施加約施加約5V的負偏

11、的負偏壓，以提高抗干壓，以提高抗干擾能力。擾能力。9.1.3 典型全控型器件的驅動電路典型全控型器件的驅動電路圖圖9-5 典型的直接耦合式典型的直接耦合式GTO驅動電路驅動電路 直接耦合式驅動電路直接耦合式驅動電路 可避免電路內部的相互干擾可避免電路內部的相互干擾和寄生振蕩，可得到較陡的脈和寄生振蕩，可得到較陡的脈沖前沿；缺點是功耗大，效率沖前沿；缺點是功耗大，效率較低。較低。 電路的電源由高頻電源經二電路的電源由高頻電源經二極管整流后提供，極管整流后提供，VD1和和C1提提供供+5V電壓，電壓，VD2、VD3、C2、C3構成倍壓整流電路提供構成倍壓整流電路提供+15V電壓，電壓，VD4和和C

12、4提供提供-15V電壓。電壓。 V1開通時，輸出正強脈沖；開通時，輸出正強脈沖；V2開通時，輸出正脈沖平頂部開通時，輸出正脈沖平頂部分；分； V2關斷而關斷而V3開通時輸出負開通時輸出負脈沖；脈沖；V3關斷后關斷后R3和和R4提供門提供門極負偏壓。極負偏壓。 9.1.3 典型全控型器件的驅動電路典型全控型器件的驅動電路tOibGTR 開通的基極驅動電流應使其處于準飽和導開通的基極驅動電流應使其處于準飽和導通狀態，使之不進入放大區和深飽和區。通狀態，使之不進入放大區和深飽和區。 關斷時，施加一定的負基極電流有利于減關斷時，施加一定的負基極電流有利于減小關斷時間和關斷損耗，關斷后同樣應在基射小關斷

13、時間和關斷損耗，關斷后同樣應在基射極之間施加一定幅值極之間施加一定幅值6V左右的負偏壓。左右的負偏壓。 GTR的一種驅動電路的一種驅動電路 包括電氣隔離和晶體管放大電路兩部分。包括電氣隔離和晶體管放大電路兩部分。 VD2和和VD3構成貝克箝位電路，是一種抗構成貝克箝位電路，是一種抗飽和電路，可使飽和電路，可使GTR導通時處于臨界飽和狀態；導通時處于臨界飽和狀態； C2為加速開通過程的電容，開通時為加速開通過程的電容，開通時R5被被C2短路，這樣可以實現驅動電流的過沖，并增短路，這樣可以實現驅動電流的過沖，并增加前沿的陡度，加快開通。加前沿的陡度，加快開通。 驅動驅動GTR的集成驅動電路中，的集

14、成驅動電路中，THOMSON公公司的司的UAA4002和三菱公司的和三菱公司的M57215BL較為常較為常見。見。圖圖9-6 理想的理想的GTR基極驅動電流波形基極驅動電流波形V D1AVV S0V+10V+15VV1V D2V D3V D4V3V2V4V5V6R1R2R3R4R5C1C2圖圖9-7 GTR的一種驅動電路的一種驅動電路 9.1.3 典型全控型器件的驅動電路典型全控型器件的驅動電路圖圖9-8 電力電力MOSFET的一種驅動電路的一種驅動電路電壓驅動型器件的驅動電路電壓驅動型器件的驅動電路 電力電力MOSFET和和IGBT是電壓驅動型器件。是電壓驅動型器件。 為快速建立驅動電壓，要

15、求驅動電路具有為快速建立驅動電壓，要求驅動電路具有較小的輸出電阻。較小的輸出電阻。 使電力使電力MOSFET開通的柵源極間驅動電開通的柵源極間驅動電壓一般取壓一般取1015V，使，使IGBT開通的柵射極間驅開通的柵射極間驅動電壓一般取動電壓一般取15 20V。 關斷時施加一定幅值的負驅動電壓一般關斷時施加一定幅值的負驅動電壓一般取取 -5 -15V有利于減小關斷時間和關斷損有利于減小關斷時間和關斷損耗。耗。 在柵極串入一只低值電阻數十歐左右在柵極串入一只低值電阻數十歐左右可以減小寄生振蕩，該電阻阻值應隨被驅動器可以減小寄生振蕩，該電阻阻值應隨被驅動器件電流額定值的增大而減小。件電流額定值的增大

16、而減小。 電力電力MOSFET 包括電氣隔離和晶體管放大電路兩部分；包括電氣隔離和晶體管放大電路兩部分；當無輸入信號時高速放大器當無輸入信號時高速放大器A輸出負電平，輸出負電平，V3導通輸出負驅動電壓，當有輸入信號時導通輸出負驅動電壓，當有輸入信號時A輸出輸出正電平，正電平，V2導通輸出正驅動電壓。導通輸出正驅動電壓。 9.1.3 典型全控型器件的驅動電路典型全控型器件的驅動電路圖圖9-9 M57962L型型IGBT驅動器的原理和接線圖驅動器的原理和接線圖 專為驅動電力專為驅動電力MOSFET而設計的混合集成電路有三菱公司的而設計的混合集成電路有三菱公司的M57918L，其輸入信號電流幅值為其

17、輸入信號電流幅值為16mA，輸出最大脈沖電流為，輸出最大脈沖電流為+2A和和-3A，輸出驅動電，輸出驅動電壓壓+15V和和-10V。 IGBT 多采用專用的混合集成驅動器，常用的有三菱公司的多采用專用的混合集成驅動器，常用的有三菱公司的M579系列如系列如M57962L和和M57959L和富士公司的和富士公司的EXB系列如系列如EXB840、EXB841、EXB850和和EXB851）。）。9.2 電力電子器件的保護電力電子器件的保護 9.2.1 過電壓的產生及過電壓保護過電壓的產生及過電壓保護 9.2.2 過電流保護過電流保護 9.2.3 緩沖電路緩沖電路9.2.1 過電壓的產生及過電壓保護

18、過電壓的產生及過電壓保護過電壓分為外因過電壓和內因過電壓兩類。過電壓分為外因過電壓和內因過電壓兩類。 外因過電壓主要來自雷擊和系統中的操作過程等外部原外因過電壓主要來自雷擊和系統中的操作過程等外部原 因，包括因，包括 操作過電壓：由分閘、合閘等開關操作引起的過電壓。操作過電壓：由分閘、合閘等開關操作引起的過電壓。 雷擊過電壓：由雷擊引起的過電壓。雷擊過電壓：由雷擊引起的過電壓。內因過電壓主要來自電力電子裝置內部器件的開關過內因過電壓主要來自電力電子裝置內部器件的開關過 程，包括程，包括 換相過電壓：晶閘管或與全控型器件反并聯的二極管換相過電壓：晶閘管或與全控型器件反并聯的二極管在換相結束后，反

19、向電流急劇減小，會由線路電感在在換相結束后，反向電流急劇減小，會由線路電感在器件兩端感應出過電壓。器件兩端感應出過電壓。 關斷過電壓：全控型器件在較高頻率下工作，當器件關斷過電壓：全控型器件在較高頻率下工作，當器件關斷時，因正向電流的迅速降低而由線路電感在器件關斷時，因正向電流的迅速降低而由線路電感在器件兩端感應出的過電壓。兩端感應出的過電壓。 9.2.1 過電壓的產生及過電壓保護過電壓的產生及過電壓保護圖圖9-10過電壓抑制措施及配置位置過電壓抑制措施及配置位置F避雷器避雷器D變壓器靜電屏蔽層變壓器靜電屏蔽層C靜電感應過電壓抑制電容靜電感應過電壓抑制電容RC1閥側浪涌過電壓抑制用閥側浪涌過電

20、壓抑制用RC電路電路RC2閥側浪涌過電壓抑制用反向阻斷式閥側浪涌過電壓抑制用反向阻斷式RC電路電路RV壓敏電阻過電壓抑制器壓敏電阻過電壓抑制器RC3閥器件換相過電壓抑制用閥器件換相過電壓抑制用RC電路電路RC4直流側直流側RC抑制電路抑制電路RCD閥器件關斷過電壓抑制用閥器件關斷過電壓抑制用RCD電路電路過電壓抑制措施及配置位置過電壓抑制措施及配置位置 各電力電子裝置可視具體情況只采用其中的幾種。各電力電子裝置可視具體情況只采用其中的幾種。 RC3和和RCD為抑制內因過電壓的措施。為抑制內因過電壓的措施。 9.2.1 過電壓的產生及過電壓保護過電壓的產生及過電壓保護圖圖9-11 RC過電壓抑制

21、電路聯結方式過電壓抑制電路聯結方式a)單相單相b)三相三相圖圖9-12反向阻斷式過電壓抑制用反向阻斷式過電壓抑制用RC電路電路抑制外因過電壓來采用抑制外因過電壓來采用RC過電壓抑制電路。過電壓抑制電路。對大容量的電力電子裝置，可采用圖對大容量的電力電子裝置，可采用圖9-12所示的反向阻斷式所示的反向阻斷式RC電路。電路。采用雪崩二極管、金屬氧化物壓敏電阻、硒堆和轉折二極管采用雪崩二極管、金屬氧化物壓敏電阻、硒堆和轉折二極管BOD等非等非線性元器件來限制或吸收過電壓也是較常用的措施。線性元器件來限制或吸收過電壓也是較常用的措施。 9.2.2 過電流保護過電流保護圖圖9-13 過電流保護措施及配置

22、位置過電流保護措施及配置位置過電流分過載和短路兩種情況。過電流分過載和短路兩種情況。 過電流保護措施及其配置位置過電流保護措施及其配置位置 快速熔斷器、直流快速斷路器和過電流繼電器是較為常用的措施，一般快速熔斷器、直流快速斷路器和過電流繼電器是較為常用的措施，一般電力電子裝置均同時采用幾種過電流保護措施，以提高保護的可靠性和合理電力電子裝置均同時采用幾種過電流保護措施，以提高保護的可靠性和合理性。性。 通常，電子電路作為第一保護措施，快熔僅作為短路時的部分區段的保通常，電子電路作為第一保護措施，快熔僅作為短路時的部分區段的保護，直流快速斷路器整定在電子電路動作之后實現保護，過電流繼電器整定護，

23、直流快速斷路器整定在電子電路動作之后實現保護，過電流繼電器整定在過載時動作。在過載時動作。 9.2.2 過電流保護過電流保護快速熔斷器簡稱快熔）快速熔斷器簡稱快熔） 是電力電子裝置中最有效、應用最廣的一種過電流保護措施。是電力電子裝置中最有效、應用最廣的一種過電流保護措施。 選擇快熔時應考慮選擇快熔時應考慮 電壓等級應根據熔斷后快熔實際承受的電壓來確定。電壓等級應根據熔斷后快熔實際承受的電壓來確定。 電流容量應按其在主電路中的接入方式和主電路聯結形式確定。電流容量應按其在主電路中的接入方式和主電路聯結形式確定。 快熔的快熔的 t值應小于被保護器件的允許值應小于被保護器件的允許 t值。值。 為保

24、證熔體在正常過載情況下不熔化，應考慮其時間為保證熔體在正常過載情況下不熔化，應考慮其時間電流特性。電流特性。 快熔對器件的保護方式可分為全保護和短路保護兩種。快熔對器件的保護方式可分為全保護和短路保護兩種。 全保護：過載、短路均由快熔進行保護，適用于小功率裝置或器件裕度全保護：過載、短路均由快熔進行保護，適用于小功率裝置或器件裕度較大的場合。較大的場合。 短路保護：快熔只在短路電流較大的區域起保護作用。短路保護：快熔只在短路電流較大的區域起保護作用。對重要的且易發生短路的晶閘管設備，或全控型器件，需采用電子對重要的且易發生短路的晶閘管設備，或全控型器件，需采用電子電路進行過電流保護。電路進行過

25、電流保護。常在全控型器件的驅動電路中設置過電流保護環節，器件對電流的常在全控型器件的驅動電路中設置過電流保護環節，器件對電流的響應是最快的。響應是最快的。I2I29.2.3 緩沖電路緩沖電路緩沖電路緩沖電路Snubber Circuit又稱為吸收電路，其作用是抑制電力又稱為吸收電路，其作用是抑制電力電子器件的內因過電壓、電子器件的內因過電壓、du/dt或者過電流和或者過電流和di/dt，減小器件的開關，減小器件的開關損耗。損耗。分類分類 分為關斷緩沖電路和開通緩沖電路分為關斷緩沖電路和開通緩沖電路 關斷緩沖電路：又稱為關斷緩沖電路：又稱為du/dt抑制電路，用于吸收器件的關斷過抑制電路，用于吸

26、收器件的關斷過電壓和換相過電壓，抑制電壓和換相過電壓，抑制du/dt，減小關斷損耗。，減小關斷損耗。 開通緩沖電路：又稱為開通緩沖電路：又稱為di/dt抑制電路，用于抑制器件開通時的抑制電路，用于抑制器件開通時的電流過沖和電流過沖和di/dt，減小器件的開通損耗。，減小器件的開通損耗。 復合緩沖電路：關斷緩沖電路和開通緩沖電路結合在一起。復合緩沖電路：關斷緩沖電路和開通緩沖電路結合在一起。 還可分為耗能式緩沖電路和饋能式緩沖電路還可分為耗能式緩沖電路和饋能式緩沖電路 耗能式緩沖電路耗能式緩沖電路 ：緩沖電路中儲能元件的能量消耗在其吸收電：緩沖電路中儲能元件的能量消耗在其吸收電阻上。阻上。 饋能

27、式緩沖電路饋能式緩沖電路 ：緩沖電路能將其儲能元件的能量回饋給負載：緩沖電路能將其儲能元件的能量回饋給負載或電源，也稱無損吸收電路。或電源，也稱無損吸收電路。 通常將緩沖電路專指關斷緩沖電路，而將開通緩沖電路區別叫做通常將緩沖電路專指關斷緩沖電路，而將開通緩沖電路區別叫做di/dt抑制電路。抑制電路。 9.2.3 緩沖電路緩沖電路b)tuCEiCOd idt抑制電路時無didt抑制電路時有有緩沖電路時無緩沖電路時uCEiC圖圖9-14di/dt抑制電路和充放電型抑制電路和充放電型RCD緩沖電路及波形緩沖電路及波形a) 電路電路 b) 波形波形緩沖電路緩沖電路 圖圖9-14a給出的是一種緩沖給出

28、的是一種緩沖電路和電路和di/dt抑制電路的電路圖。抑制電路的電路圖。 在無緩沖電路的情況下，在無緩沖電路的情況下，di/dt很大，關斷時很大，關斷時du/dt很大，很大，并出現很高的過電壓，如圖并出現很高的過電壓，如圖9-14b。 在有緩沖電路的情況下在有緩沖電路的情況下 V開通時，開通時，Cs先通過先通過Rs向向V放電，使放電，使iC先上一個臺階，先上一個臺階，以后因為以后因為Li的作用，的作用，iC的上升的上升速度減慢。速度減慢。 V關斷時，負載電流通過關斷時，負載電流通過VDs向向Cs分流，減輕了分流，減輕了V的負的負擔，抑制了擔，抑制了du/dt和過電壓。和過電壓。 因為關斷時電路中

29、含因為關斷時電路中含布線電感的能量要釋放，所布線電感的能量要釋放，所以還會出現一定的過電壓。以還會出現一定的過電壓。 9.2.3 緩沖電路緩沖電路ADCB無緩沖電路有緩沖電路uCEiCO圖圖9-15 關斷時的負載線關斷時的負載線圖圖9-16 另外兩種常用的緩沖電路另外兩種常用的緩沖電路a)RC吸收電路吸收電路b)放電阻止型放電阻止型RCD吸收電路吸收電路 關斷過程關斷過程 無緩沖電路時，無緩沖電路時，uCE迅速上升，負迅速上升，負載線從載線從A移動到移動到B，之后，之后iC才下降到漏才下降到漏電流的大小，負載線隨之移動到電流的大小，負載線隨之移動到C。 有緩沖電路時，由于有緩沖電路時，由于Cs

30、的分流使的分流使iC在在uCE開始上升的同時就下降，因此負開始上升的同時就下降，因此負載線經過載線經過D到達到達C。 負載線在到達負載線在到達B時很可能超出安全時很可能超出安全區，使區，使V受到損壞，而負載線受到損壞，而負載線ADC是很是很安全的，且損耗小。安全的，且損耗小。另外兩種常用的緩沖電路形式另外兩種常用的緩沖電路形式 RC緩沖電路主要用于小容量器件，緩沖電路主要用于小容量器件，而放電阻止型而放電阻止型RCD緩沖電路用于中或大緩沖電路用于中或大容量器件。容量器件。 晶閘管在實際應用中一般只承受換晶閘管在實際應用中一般只承受換相過電壓，沒有關斷過電壓問題，關斷相過電壓，沒有關斷過電壓問題

31、，關斷時也沒有較大的時也沒有較大的du/dt，因此一般采用，因此一般采用RC吸收電路即可。吸收電路即可。 9.3 電力電子器件的串聯使用和并聯使用電力電子器件的串聯使用和并聯使用 9.3.1 晶閘管的串聯晶閘管的串聯 9.3.2 晶閘管的并聯晶閘管的并聯 9.3.3 電力電力MOSFET的并聯和的并聯和IGBT的并聯的并聯9.3.1 晶閘管的串聯晶閘管的串聯圖圖9-17 晶閘管的串聯晶閘管的串聯a)伏安特性差異伏安特性差異b)串聯均壓措施串聯均壓措施對較大型的電力電子裝置，當單個電力電子器對較大型的電力電子裝置，當單個電力電子器件的電壓或電流定額不能滿足要求時，往往需要件的電壓或電流定額不能滿

32、足要求時，往往需要將電力電子器件串聯或并聯起來工作，或者將電將電力電子器件串聯或并聯起來工作，或者將電力電子裝置串聯或并聯起來工作。力電子裝置串聯或并聯起來工作。 晶閘管的串聯晶閘管的串聯 當晶閘管的額定電壓小于實際要求時，可以當晶閘管的額定電壓小于實際要求時，可以用兩個以上同型號器件相串聯。用兩個以上同型號器件相串聯。 靜態不均壓問題靜態不均壓問題 由于器件靜態特性不同而造成的均壓問題。由于器件靜態特性不同而造成的均壓問題。 為達到靜態均壓，首先應選用參數和特性為達到靜態均壓，首先應選用參數和特性盡量一致的器件，此外可以采用電阻均壓。盡量一致的器件，此外可以采用電阻均壓。 動態不均壓問題動態

33、不均壓問題 由于器件動態參數和特性的差異造成的不由于器件動態參數和特性的差異造成的不均壓問題。均壓問題。 為達到動態均壓，同樣首先應選擇動態參為達到動態均壓，同樣首先應選擇動態參數和特性盡量一致的器件，另外還可以用數和特性盡量一致的器件，另外還可以用RC并聯并聯支路作動態均壓；對于晶閘管來講，采用門極強支路作動態均壓；對于晶閘管來講，采用門極強脈沖觸發可以顯著減小器件開通時間上的差異。脈沖觸發可以顯著減小器件開通時間上的差異。 Rp的阻值應比任的阻值應比任何一個器件阻斷何一個器件阻斷時的正、反向電時的正、反向電阻小得多阻小得多9.3.2 晶閘管的并聯晶閘管的并聯晶閘管的并聯晶閘管的并聯 大功率晶閘管裝置中，常用多個器件并聯來承大功率晶閘管裝置中，常用多個器件并聯來承擔較大的電流。擔較大的電流。 晶閘管并聯就會分別因靜態和動態特性參數的晶閘管并聯就會分別因靜態和動態特性參