1、第1章 半導體器件 第第1 1章章 半導體器件半導體器件 1.1 1.1 半導體基礎知識半導體基礎知識 1.2 1.2 半導體二極管半導體二極管 1.3 1.3 晶體三極管晶體三極管 1.4 1.4 場效應管場效應管 第1章 半導體器件 1.1 1.1 半導體基礎知識半導體基礎知識 一、本征半導體一、本征半導體 二、雜質半導體二、雜質半導體 三、三、PNPN結的形成及其單向導電性結的形成及其單向導電性 四、四、PNPN結的電容效應結的電容效應 第1章 半導體器件 一、本征半導體一、本征半導體 導電性介于導體與絕緣體之間的物質稱為半導體。導電性介于導體與絕緣體之間的物質稱為半導體。 本征半導體是

2、純凈的晶體結構的半導體。本征半導體是純凈的晶體結構的半導體。 1 1、什么是半導體？什么是本征半導體？、什么是半導體？什么是本征半導體？ 導體鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素，其最外層電子在外電場作用下很導體鐵、鋁、銅等金屬元素等低價元素，其最外層電子在外電場作用下很 容易產生定向移動，形成電流。容易產生定向移動，形成電流。 絕緣體惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強，絕緣體惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強， 只有在外電場強到一定程度時才可能導電。只有在外電場強到一定程度時才可能導電。 半導體硅（半導體硅（Si）、鍺（）、鍺（Ge），均為四價元素，它們

3、原子的最外層電子受），均為四價元素，它們原子的最外層電子受 原子核的束縛力介于導體與絕緣體之間。原子核的束縛力介于導體與絕緣體之間。 無雜質無雜質 穩(wěn)定的結構穩(wěn)定的結構 第1章 半導體器件 2 2、本征半導體的結構、本征半導體的結構 由于熱運動，具有足夠能量的價電子由于熱運動，具有足夠能量的價電子 掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子 自由電子的產生使共價鍵中留有一個自由電子的產生使共價鍵中留有一個 空位置，稱為空穴空位置，稱為空穴 自由電子與空穴相碰同時消失，稱為自由電子與空穴相碰同時消失，稱為復合復合。 共價鍵共價鍵 一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高

4、，熱運動加劇，掙一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高，熱運動加劇，掙 脫共價鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。脫共價鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。 在一定溫度下，在一定溫度下，本征激發(fā)本征激發(fā)所產生的自由電子與空穴對，與所產生的自由電子與空穴對，與復合復合的自由電子的自由電子 與空穴對數目相等，故達到與空穴對數目相等，故達到動態(tài)平衡動態(tài)平衡。 第1章 半導體器件 兩種載流子兩種載流子 外加電場時，帶負電的自由電子和帶正外加電場時，帶負電的自由電子和帶正 電的空穴均參與導電，且運動方向相反。由電的空穴均參與導電，且運動方向相反。由 于載流子數目很少，故導電性很差。

5、于載流子數目很少，故導電性很差。 為什么要將半導體變成導電性很差的本征半導體？為什么要將半導體變成導電性很差的本征半導體？ 3 3、本征半導體中的兩種載流子、本征半導體中的兩種載流子 運載電荷的粒子稱為載流子。運載電荷的粒子稱為載流子。 溫度升高，熱運動加劇，載流子濃度溫度升高，熱運動加劇，載流子濃度 增大，導電性增強。增大，導電性增強。 熱力學溫度熱力學溫度0K時不導電。時不導電。 本征半導體的導電性能很差，且與環(huán)境溫度密切相關。半導體材料性能對本征半導體的導電性能很差，且與環(huán)境溫度密切相關。半導體材料性能對 溫度的這種敏感性，既可用來制作熱敏器件，又是造成半導體器件溫度穩(wěn)定溫度的這種敏感性

6、，既可用來制作熱敏器件，又是造成半導體器件溫度穩(wěn)定 性差的原因。性差的原因。 第1章 半導體器件 二、雜質半導體二、雜質半導體 1.N1.N型半導體型半導體 5 磷（磷（P） 雜質半導體主要靠多數載流子導電。雜質半導體主要靠多數載流子導電。 摻入雜質越多，多子濃度越高，導電性摻入雜質越多，多子濃度越高，導電性 越強，實現導電性可控。越強，實現導電性可控。 多數載流子多數載流子 空穴比未加雜質時的數目多了？少了？空穴比未加雜質時的數目多了？少了？ 為什么？為什么？ 第1章 半導體器件 2.P2.P型半導體型半導體 3 硼（硼（B） 多數載流子多數載流子 P型半導體主要靠空穴導電，摻入雜質越型半導

7、體主要靠空穴導電，摻入雜質越 多，空穴濃度越高，導電性越強，多，空穴濃度越高，導電性越強， 在雜質半導體中，溫度變化時，載流子在雜質半導體中，溫度變化時，載流子 的數目變化嗎？少子與多子變化的數目相同的數目變化嗎？少子與多子變化的數目相同 嗎？少子與多子濃度的變化相同嗎？嗎？少子與多子濃度的變化相同嗎？ 第1章 半導體器件 三、三、PNPN結的形成及其單向導電性結的形成及其單向導電性 物質因濃度差而產生的運動稱為擴散運動。氣物質因濃度差而產生的運動稱為擴散運動。氣 體、液體、固體均有之。體、液體、固體均有之。 擴散運動擴散運動 P區(qū)空穴濃度區(qū)空穴濃度 遠高于遠高于N區(qū)。區(qū)。 N區(qū)自由電子濃區(qū)自

8、由電子濃 度遠高于度遠高于P區(qū)。區(qū)。 擴散運動使靠近接觸面擴散運動使靠近接觸面P區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面N區(qū)的自由電子濃區(qū)的自由電子濃 度降低，產生內電場。度降低，產生內電場。 第1章 半導體器件 PN PN 結的形成結的形成 因電場作用所產生的運因電場作用所產生的運 動稱為漂移運動。動稱為漂移運動。 在無外電場和其它激發(fā)作用下，參與擴散運動和漂移運動的載流子數目相同，在無外電場和其它激發(fā)作用下，參與擴散運動和漂移運動的載流子數目相同， 達到動態(tài)平衡，就形成了達到動態(tài)平衡，就形成了PN結。結。 絕大部分空間電荷區(qū)內自由電子和空穴都非常少，在分析絕大部分空間電荷區(qū)

9、內自由電子和空穴都非常少，在分析PN結特性時忽略載流結特性時忽略載流 子的作用，而只考慮離子區(qū)的電荷，這種方法稱為子的作用，而只考慮離子區(qū)的電荷，這種方法稱為“耗盡層近似耗盡層近似”，故也稱空間電，故也稱空間電 荷區(qū)為耗盡層。荷區(qū)為耗盡層。 漂移運動漂移運動 由于擴散運動使由于擴散運動使P區(qū)與區(qū)與N區(qū)的交界面缺少多數載流子，形成內電場，從而阻止擴區(qū)的交界面缺少多數載流子，形成內電場，從而阻止擴 散運動的進行。內電場使空穴從散運動的進行。內電場使空穴從N區(qū)向區(qū)向P區(qū)、自由電子從區(qū)、自由電子從P區(qū)向區(qū)向N 區(qū)運動。區(qū)運動。 第1章 半導體器件 PN結加正向電壓導通：結加正向電壓導通： 耗盡層變窄，

10、擴散運動加劇，由于耗盡層變窄，擴散運動加劇，由于 外電源的作用，形成擴散電流，外電源的作用，形成擴散電流，PNPN結結 處于導通狀態(tài)。處于導通狀態(tài)。 PN結加反向電壓截止：結加反向電壓截止： 耗盡層變寬，阻止擴散運動，有利于耗盡層變寬，阻止擴散運動，有利于 漂移運動，形成漂移電流。由于電流很漂移運動，形成漂移電流。由于電流很 小，故可近似認為其截止。小，故可近似認為其截止。 PN PN 結的單向導電性結的單向導電性 必要嗎？必要嗎？ 第1章 半導體器件 四、四、PN PN 結的電容效應結的電容效應 1.1.勢壘電容勢壘電容 PN結外加電壓變化時，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積結外加電壓

11、變化時，空間電荷區(qū)的寬度將發(fā)生變化，有電荷的積 累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢壘電容累和釋放的過程，與電容的充放電相同，其等效電容稱為勢壘電容Cb。 2.2.擴散電容擴散電容 PN結外加的正向電壓變化時，在擴散路程中載流子的濃度及其梯度結外加的正向電壓變化時，在擴散路程中載流子的濃度及其梯度 均有變化，也有電荷的積累和釋放的過程，其等效電容稱為擴散電容均有變化，也有電荷的積累和釋放的過程，其等效電容稱為擴散電容Cd。 dbj CCC 結電容：結電容： 結電容不是常量！若結電容不是常量！若PN結外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向導結外加電壓頻率高到一定程度，則失去單向導

12、電性！電性！ 第1章 半導體器件 問題問題 為什么將自然界導電性能中等的半導體材料制為什么將自然界導電性能中等的半導體材料制 成本征半導體，導電性能極差，又將其摻雜，成本征半導體，導電性能極差，又將其摻雜， 改善導電性能？改善導電性能？ 為什么半導體器件的溫度穩(wěn)定性差？是多子還為什么半導體器件的溫度穩(wěn)定性差？是多子還 是少子是影響溫度穩(wěn)定性的主要因素？是少子是影響溫度穩(wěn)定性的主要因素？ 為什么半導體器件有最高工作頻率？為什么半導體器件有最高工作頻率？ 第1章 半導體器件 1.2 1.2 半導體二極管半導體二極管 一、二極管的組成一、二極管的組成 二、二極管的伏安特性及電流方程二、二極管的伏安特

13、性及電流方程 三、二極管的等效電路三、二極管的等效電路 四、二極管的主要參數四、二極管的主要參數 五、穩(wěn)壓二極管五、穩(wěn)壓二極管 第1章 半導體器件 一、二極管的組成一、二極管的組成 將將PN結封裝，引出兩個電極，就構成了二極管。結封裝，引出兩個電極，就構成了二極管。 小功率小功率 二極管二極管 大功率大功率 二極管二極管 穩(wěn)壓穩(wěn)壓 二極管二極管 發(fā)光發(fā)光 二極管二極管 第1章 半導體器件 點接觸型：結面積小，點接觸型：結面積小， 結電容小，故結允許結電容小，故結允許 的電流小，最高工作的電流小，最高工作 頻率高。頻率高。 面接觸型：結面積大，面接觸型：結面積大， 結電容大，故結允許結電容大，故

14、結允許 的電流大，最高工作的電流大，最高工作 頻率低。頻率低。 平面型：結面積可小、平面型：結面積可小、 可大，小的工作頻率可大，小的工作頻率 高，大的結允許的電高，大的結允許的電 流大。流大。 第1章 半導體器件 二、二極管的伏安特性及電流方程二、二極管的伏安特性及電流方程 材料材料開啟電壓開啟電壓導通電壓導通電壓反向飽和電流反向飽和電流 硅硅Si0.5V0.50.8V1A以下 鍺鍺Ge0.1V0.10.3V幾十A )(ufi 開啟開啟 電壓電壓 反向飽和反向飽和 電流電流 擊穿電壓擊穿電壓 mV)26( ) 1e ( TS T UIi U u 常溫下 溫度的溫度的 電壓當量電壓當量 二極管

15、的電流與其端電壓的關系稱為伏安特性。二極管的電流與其端電壓的關系稱為伏安特性。 第1章 半導體器件 從二極管的伏安特性可以反映出：從二極管的伏安特性可以反映出： 1.1.單向導電性單向導電性 T e ST U u IiUu，則若正向電壓 ) 1e ( T S U u Ii 2. 伏安特性受溫度影響伏安特性受溫度影響 T（）在電流不變情況下管壓降在電流不變情況下管壓降u 反向飽和電流反向飽和電流IS，U(BR) T（）正向特性左移正向特性左移，反向特性下移，反向特性下移 正向特性為指數正向特性為指數 曲線曲線 反向特性為橫軸的平行線反向特性為橫軸的平行線 增大增大1倍倍/10 ST IiUu，則

16、若反向電壓 第1章 半導體器件 三、二極管的等效電路三、二極管的等效電路 理想理想 二極管二極管 近似分析近似分析 中最常用中最常用 理想開關理想開關 導通時導通時 UD0 截止時截止時IS0 導通時導通時UDUon 截止時截止時IS0 導通時導通時i與與u 成線性關系成線性關系 應根據不同情況選擇不同的等效電路！應根據不同情況選擇不同的等效電路！ 1. 1. 將伏安特性折線化將伏安特性折線化 ？100V？5V？1V？ 第1章 半導體器件 2. 2. 微變等效電路微變等效電路 D T D D d I U i u r 根據電流方程， Q越高，越高，rd越小。越小。 當二極管在靜態(tài)基礎上有一動態(tài)信

17、號作用時，則可將二極管等效為一個電阻，當二極管在靜態(tài)基礎上有一動態(tài)信號作用時，則可將二極管等效為一個電阻， 稱為動態(tài)電阻，也就是微變等效電路。稱為動態(tài)電阻，也就是微變等效電路。 ui=0時直流電源作用時直流電源作用 小信號作用小信號作用 靜態(tài)電流靜態(tài)電流 第1章 半導體器件 四、二極管的主要參數四、二極管的主要參數 最大整流電流最大整流電流IF：最大平均值：最大平均值 最大反向工作電壓最大反向工作電壓UR：最大瞬時值：最大瞬時值 反向電流反向電流 IR：即：即IS 最高工作頻率最高工作頻率fM：因：因PN結有電容效應結有電容效應 第1章 半導體器件 討論：解決兩個問題討論：解決兩個問題 如何判

18、斷二極管的工作狀態(tài)？如何判斷二極管的工作狀態(tài)？ 什么情況下應選用二極管的什么等效電路？什么情況下應選用二極管的什么等效電路？ uD=ViDR Q ID UD R uV i D D V與與uD可比，則需圖解：可比，則需圖解： 實測特性實測特性 對于對于V和和ui，二極管，二極管的模型有的模型有 什么不同？什么不同？ 第1章 半導體器件 五、穩(wěn)壓二極管五、穩(wěn)壓二極管 1.1.伏安特性伏安特性 進入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流進入穩(wěn)壓區(qū)的最小電流 不至于損壞的最大電流不至于損壞的最大電流 由一個由一個PN結組成，結組成， 反向擊穿后在一定的反向擊穿后在一定的 電流范圍內端電壓基電流范圍內端電壓基 本不變，為穩(wěn)定

19、電壓。本不變，為穩(wěn)定電壓。 2.2.主要參數主要參數 穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓UZ、穩(wěn)定電流、穩(wěn)定電流IZ 最大功耗最大功耗PZM IZM UZ動態(tài)電阻動態(tài)電阻rzUZ /IZ 若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓，若穩(wěn)壓管的電流太大則會因功耗過大而損壞，若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓，若穩(wěn)壓管的電流太大則會因功耗過大而損壞， 因而穩(wěn)壓管電路中必需有限制穩(wěn)壓管電流的限流電阻！因而穩(wěn)壓管電路中必需有限制穩(wěn)壓管電流的限流電阻！ 限流電阻限流電阻 斜率？斜率？ 第1章 半導體器件 1.3 1.3 晶體三極管晶體三極管 一、晶體管的結構和符號一、晶體管的結構和符號 二、晶體管的放大原理二、晶體管的放大原理 三、晶體管的共射

20、輸入特性和輸出特性三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 四、溫度對晶體管特性的影響四、溫度對晶體管特性的影響 五、主要參數五、主要參數 第1章 半導體器件 一、晶體管的結構和符號一、晶體管的結構和符號 多子濃度高多子濃度高 多子濃度很多子濃度很 低，且很薄低，且很薄 面積大面積大 晶體管有三個極、三個區(qū)、兩個晶體管有三個極、三個區(qū)、兩個PN結結 小功率管小功率管 中功率管中功率管 大功率管大功率管 第1章 半導體器件 二、晶體管的放大原理二、晶體管的放大原理 （集電結反偏），即 （發(fā)射結正偏） 放大的條件 BECECB onBE 0uuu Uu 擴散運動形成發(fā)射極電流擴散運動形成發(fā)射極電流IE，

21、復合運動形成基極電流，復合運動形成基極電流IB，漂移運動形，漂移運動形 成集電極電流成集電極電流IC。 少數載流少數載流 子的運動子的運動 因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量 電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū) 因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少 數擴散到基區(qū)的電子與空穴復合數擴散到基區(qū)的電子與空穴復合 因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大 部分擴散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)部分擴散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū) 基區(qū)空穴基區(qū)空穴 的擴散的擴散 第1章 半導體器件 電流分配：電流分配：I IE EI IB BI IC C I I

22、E E擴散運動形成的電流擴散運動形成的電流 I IB B復合運動形成的電流復合運動形成的電流 I IC C漂移運動形成的電流漂移運動形成的電流 CBOCEO B C B C )(1 II i i I I 穿透電流穿透電流 集電結反向電流集電結反向電流 直流電流放大系數直流電流放大系數 交流電流放大系數交流電流放大系數 為什么基極開路集電極回路會有穿為什么基極開路集電極回路會有穿 透電流？透電流？ 第1章 半導體器件 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 CE )( BEBU ufi 為什么為什么UCE增大曲線右移？增大曲線右移？ 對于小功率晶體管，對于小功率晶體

23、管，UCE大于大于1V的一條輸入特性曲線可以取代的一條輸入特性曲線可以取代UCE大于大于 1V的所有輸入特性曲線。的所有輸入特性曲線。 為什么像為什么像PN結的伏安特性？結的伏安特性？ 為什么為什么UCE增大到一定值曲線右移就不明增大到一定值曲線右移就不明 顯了？顯了？ 1.1.輸入特性輸入特性 第1章 半導體器件 2.2.輸出特性輸出特性 B )( CECI ufi 是常數嗎？什么是理想晶體管？什么情況下是常數嗎？什么是理想晶體管？什么情況下 ? 對應于一個對應于一個IB就有一條就有一條iC隨隨uCE變化的曲線。變化的曲線。 為什么為什么uCE較小時較小時iC隨隨uCE變變 化很大？為什么進

24、入放大狀態(tài)化很大？為什么進入放大狀態(tài) 曲線幾乎是橫軸的平行線？曲線幾乎是橫軸的平行線？ 飽和區(qū)飽和區(qū) 放大區(qū)放大區(qū) 截止區(qū)截止區(qū) B i C i 常量 CE B C U i i 第1章 半導體器件 晶體管的三個工作區(qū)域晶體管的三個工作區(qū)域 晶體管工作在放大狀態(tài)時，輸出回路的電流晶體管工作在放大狀態(tài)時，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅決定于輸入幾乎僅僅決定于輸入 回路的電流回路的電流 iB，即可將輸出回路等效為電流，即可將輸出回路等效為電流 iB 控制的電流源控制的電流源iC 。 狀態(tài)狀態(tài)uBEiCuCE 截止截止UonICEOVCC 放大放大 UoniB uBE 飽和飽和 UoniB uBE 第1

25、章 半導體器件 四、溫度對晶體管特性的影響四、溫度對晶體管特性的影響 BEBBBE CEO )( uiiu IT 不變時，即不變時 第1章 半導體器件 五、主要參數五、主要參數 直流參數直流參數： 、 、ICBO、 ICEO c-e間擊穿電壓間擊穿電壓 最大集電極最大集電極 電流電流 最大集電極耗散功率，最大集電極耗散功率， PCMiCuCE 安全工作區(qū)安全工作區(qū) 交流參數：交流參數：、fT（使1的信號頻率） 極限參數極限參數：ICM、PCM、U(BR)CEO EC II 1 E C i i 第1章 半導體器件 討論一討論一 由圖示特性求出由圖示特性求出PCM、ICM、U （ （BR）CEO

26、、 、。 CECCM uiP 2.7 CE B C U i i uCE=1V時的時的iC就是就是ICM U（ （BR）CEO 第1章 半導體器件 1.4 1.4 場效應管場效應管 一、結型場效應管一、結型場效應管 二、絕緣柵型場效應管二、絕緣柵型場效應管 三、場效應管的分類三、場效應管的分類 第1章 半導體器件 場效應管（以場效應管（以N N溝道為例）溝道為例） 場效應管有三個極：源極（場效應管有三個極：源極（s）、柵極（、柵極（g）、漏極（）、漏極（d），對應于晶體管的），對應于晶體管的e、 b、c；有；有三個工作區(qū)域：三個工作區(qū)域：夾斷夾斷區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)，對應于區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻

27、區(qū)，對應于晶體晶體管的截止區(qū)、管的截止區(qū)、 放大區(qū)、飽和區(qū)。放大區(qū)、飽和區(qū)。 一、結型場效應管一、結型場效應管 符號符號 結構示意圖結構示意圖 柵極柵極 漏極漏極 源極源極 導電溝道導電溝道 單極型管單極型管噪聲小、抗輻射能力強、低電壓工作噪聲小、抗輻射能力強、低電壓工作 第1章 半導體器件 柵柵- -源電壓對導電溝道寬度的控制作用源電壓對導電溝道寬度的控制作用 溝道最寬溝道最寬溝道變窄溝道變窄 溝道消失稱溝道消失稱 為夾斷為夾斷 uGS可以控制導電溝道的寬度。為什么可以控制導電溝道的寬度。為什么g-s必須加負電壓？必須加負電壓？ UGS（ （off） 第1章 半導體器件 漏漏- -源電壓對漏

28、極電流的影響源電壓對漏極電流的影響 uGSUGS（ （off）且不變， 且不變，VDD增大，增大，iD增大。增大。 預夾斷預夾斷 uGDUGS（ （off） VDD的增大，幾乎全部用來克服溝道的電阻，的增大，幾乎全部用來克服溝道的電阻， iD幾乎不變，進入恒流區(qū)，幾乎不變，進入恒流區(qū)，iD幾乎僅僅決定于幾乎僅僅決定于 uGS。 場效應管工作在恒流區(qū)的條件是什么？場效應管工作在恒流區(qū)的條件是什么？ uGDUGS（ （off） uGDUGS（ （off） 第1章 半導體器件 常量 DS )( GSDU ufi 夾斷夾斷 電壓電壓 漏極飽漏極飽 和電流和電流 轉移特性轉移特性 場效應管工作在恒流區(qū)，

29、因而場效應管工作在恒流區(qū)，因而uGSUGS（ （off）且 且uGDUGS（ （off）。 。 uDGUGS（ （off） GS(off)GSDS Uuu 2 GS(off) GS DSSD )1 ( U u Ii 在恒流區(qū)時 第1章 半導體器件 常量 GS )( DSDU ufi g-s電壓控制電壓控制d-s 的等效電阻的等效電阻 輸出特性輸出特性 常量 DS GS D mU u i g 預夾斷軌跡，預夾斷軌跡，uGDUGS（ （off） 可可 變變 電電 阻阻 區(qū)區(qū) 恒恒 流流 區(qū)區(qū) iD幾乎僅決幾乎僅決 定于定于uGS 擊擊 穿穿 區(qū)區(qū) 夾斷區(qū)（截止區(qū)）夾斷區(qū)（截止區(qū)） 夾斷電壓夾斷電壓 IDSS iD 不同型號的管子不同型號的管子UGS（ （off）、 、IDSS將不同將不同 低頻跨導：低頻跨導： 第1章 半導體器件 二、絕緣柵型場效應管二、絕緣柵型場效應管 uGS增大，反型層（導電溝道）將變厚變長。當反型層將兩個增大，反型層（導電溝道）將變厚變長。當反型層將兩個N 區(qū)相接時，形成導電溝道。區(qū)相接時，形成導電溝道。 SiO2絕緣層絕緣層 襯底襯