1、電子器件（半導(dǎo)體芯片）制造業(yè)清潔生產(chǎn)評價指標體系編制說明（征求意見稿）1 指標體系制定的主要產(chǎn)業(yè)政策介紹90 年代初，我國從發(fā)達國家引進清潔生產(chǎn)的概念， 并與多個國家開展了多種 形式的合作。 1997 年 4 月，國家環(huán)境保護局制定并發(fā)布了關(guān)于推行清潔生產(chǎn) 的若干意見，要求地方環(huán)境保護主管部門將清潔生產(chǎn)納入已有的環(huán)境管理政策 中，以便更深入地促進清潔生產(chǎn)。 1995和 2000年兩次修訂頒布的中華人民共 和國大氣污染防治法 中均明確規(guī)定 “企業(yè)應(yīng)當優(yōu)先采用能源利用效率高、 污染 物排放量少的清潔生產(chǎn)工藝，減少大氣污染物的產(chǎn)生。 ”2002年 6月 29日，第 九屆全國人大常委會第二十八次會議通

2、過中華人民共和國清潔生產(chǎn)促進法 ， 該法于 2003年1月 1日起實施。從此，清潔生產(chǎn)有了專門的法律保障。為貫徹落實清潔生產(chǎn)促進法 ，引導(dǎo)企業(yè)采用先進的清潔生產(chǎn)工藝和技術(shù)， 全面推行清潔生產(chǎn)， 國家經(jīng)濟貿(mào)易委員會、 國家環(huán)境保護總局分別于 2000，2004， 2006年先后發(fā)布了 3 批國家重點行業(yè)清潔生產(chǎn)技術(shù)導(dǎo)向目錄 。該目錄涉及冶 金、石化、化工、輕工、紡織、機械、有色金屬、建材、電力、煤炭，半導(dǎo)體等 行業(yè)，共 141項清潔生產(chǎn)技術(shù)， 是行業(yè)主管部門在對本行業(yè)清潔生產(chǎn)技術(shù)進行認 真篩選、審核的基礎(chǔ)上， 組織有關(guān)專家進行評審后確定的。 這些技術(shù)經(jīng)過生產(chǎn)實 踐證明，具有明顯的經(jīng)濟和環(huán)境效益，

3、 同時對于推進清潔生產(chǎn)技術(shù)、 工藝、設(shè)備、 產(chǎn)品的升級換代， 節(jié)約資源能源， 促進經(jīng)濟增長方式轉(zhuǎn)變， 實現(xiàn)資源優(yōu)化配置具 有重要的現(xiàn)實意義。在當今全球倡導(dǎo) “綠色制造” 的大環(huán)境下， 各國均相繼出臺了與電子電氣產(chǎn) 品污染控制與資源綜合利用等相關(guān)的指令及法規(guī)， 企業(yè)也通過不斷改進技術(shù)方案 做到合規(guī)。根據(jù)中華人民共和國清潔生產(chǎn)促進法，企業(yè)應(yīng)開展清潔生產(chǎn)技術(shù) 研究，通過改進設(shè)計、使用清潔的能源和原料、采用先進的工藝技術(shù)與設(shè)備、改 善管理、綜合利用等措施，從源頭削減污染，提高資源利用效率，減少或者避免 生產(chǎn)、服務(wù)和產(chǎn)品使用過程中污染物的產(chǎn)生和排放， 以減輕或者消除對人類健康 和環(huán)境的危害。另外，在我國

4、電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法中也提出要通 過設(shè)計、生產(chǎn)過程中，改變研究設(shè)計方案、調(diào)整工藝流程、更換使用材料、革新 制造方式等技術(shù)措施， 減少產(chǎn)品中有害物質(zhì)的使用。 同時， 相關(guān)部門也在組織制 定支撐上述法規(guī)的國家標準和行業(yè)標準。 目前，工業(yè)和信息化部組織制定了有關(guān) 清潔生產(chǎn)水平評價及審核的國家標準， 明確了清潔生產(chǎn)水平評價指標體系； 環(huán)境 保護部也已經(jīng)或正在組織制定一系列清潔生產(chǎn)標準，其中一些雖涉及到電子行 業(yè)，但標準數(shù)量很少，而且其內(nèi)容側(cè)重點主要是排放指標的要求。此外，李毅中 部長在加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整 推進工業(yè)節(jié)能減排 署名文章中明確指出： “要 加快推行清潔生產(chǎn)，積極推行資源綜合利用，切實加

5、強工業(yè)“三廢”污染防治。 加強工業(yè)清潔生產(chǎn)審核工作， 編制工業(yè)先進適用清潔生產(chǎn)技術(shù)指南， 制定清潔生 產(chǎn)水平評價標準編制通則。 抓緊重點行業(yè)、 重點企業(yè)的工業(yè)治污， 把減排和治污 緊密結(jié)合，標本兼治。控制污染源，實現(xiàn)少減排、零排放”。因此，作為信息產(chǎn) 業(yè)中上游半導(dǎo)體行業(yè)，希望從產(chǎn)品生命周期的角度，從源頭的有害物質(zhì)減量化， 生態(tài)設(shè)計， 特別是工藝制造過程指導(dǎo)企業(yè)， 制定相關(guān)產(chǎn)品清潔生產(chǎn)指導(dǎo)性技術(shù)文 件，使企業(yè)采用優(yōu)化技術(shù)，滿足清潔生產(chǎn)審核要求，并達到排放要求。半導(dǎo)體芯片制造業(yè)作為高新產(chǎn)業(yè)往往被人誤解為也是 “清潔” 的產(chǎn)業(yè)，但事 實上，電子器件生產(chǎn)過程中使用了大量繁多的各種有機和無機物， 并有許

6、多有毒 有害物，對環(huán)境危害較為嚴重，如不加以控制，將會產(chǎn)生較大的環(huán)境污染。我國 在大力發(fā)展電子器件產(chǎn)業(yè)的同時， 如果忽視其對環(huán)境產(chǎn)生的重大影響， 勢必將破 壞我國的環(huán)境現(xiàn)狀。 電子器件是電子電氣產(chǎn)品中使用量較多， 且其生產(chǎn)過程會使 用一些有毒有害物質(zhì)，如清洗劑，如不加以管控，容易污染環(huán)境，因此需要盡快 研究、制定電子器件行業(yè)的清潔生產(chǎn)評價指標體系。2 半導(dǎo)體行業(yè)概況中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會表示， “十二五”期間，我國半導(dǎo)體行業(yè)的投資有望超過 2700億元，較“十一五”增加 1 倍。報道稱我國將繼續(xù)通過“極大規(guī)模集成電 路制造裝備及成套工藝” 支持集成電路產(chǎn)業(yè)， 且支持力度還將加大。 在政府的全 方位

7、扶持下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來一個“黃金時期” ，龍頭上市公司有望被培 育成具有國際競爭力的企業(yè)。工信部此前也已明確，將努力打破資金、技術(shù)、市場、人才和政策瓶頸，在 對集成電路產(chǎn)業(yè)加大投入的同時，“十二五”期間將大力推進企業(yè)兼并重組，“培 育形成具有國際競爭力的企業(yè)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)群體性躍升發(fā)展”。2013年國家發(fā)展和改革委員會第 21號令發(fā)布了產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄 （2011年本）（2013年修正）第28條明確提出信息產(chǎn)業(yè)中的半導(dǎo)體制造業(yè)是國 家鼓勵發(fā)展的優(yōu)先產(chǎn)業(yè)。2.1我國半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)概況目前我國大陸及臺灣地區(qū)8英寸及12英寸半導(dǎo)體廠商及生產(chǎn)能力見表1和表2。表18英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商及產(chǎn)能公司名

8、稱生產(chǎn)地點月產(chǎn)能力（萬片/月）1海華虹NEC電子有限公司上海3中芯國際集成電路制造有限公司北京3和艦科技（蘇州）有限公司蘇州6上海貝嶺股份有限公可張江基地項目上海2上海先進半導(dǎo)體制造有猥公司上海3上海宏力半導(dǎo)體制造有琨公司上海3臺積電（上海）有限公司匕海4美國漢科公司上海2柏瑪微電子（常州）有限公司常州2漬福超能半導(dǎo)體（北京1肓限公司北京6成芯半導(dǎo)體制造有限公司成都2泰隆半導(dǎo)體（上海）有限公司上海0.5海力士意法無揚5華邦臺灣4力晶臺灣4茂德厶沁口，弓4.4南科臺灣73表112英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商及產(chǎn)能公司名稱生產(chǎn)地點月產(chǎn)能力（萬片/月）海力土意法無錫1.8臺塑臺灣5.4力晶臺灣4.5茂德臺灣2

9、南科臺灣2.42.2我國半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)發(fā)展推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)因素總體上說有兩個： 一是芯片尺寸的縮小，已 經(jīng)實現(xiàn) 1-0.5-0.35-0.25-0.18-0.13-0.11-0.09um 的 過渡，目 前正向 65-45-32-22 nm 挺進；二是晶圓尺寸不斷擴大，已從 100-125-150-200-300mm得以實現(xiàn)，計劃向 400mm過渡。據(jù)我們收集到的資料來看，目前全球已建、在建和擬建的300mm晶圓廠約為40座，基本上分布在美國，中國臺灣，歐洲、日本、韓國、新加坡各地。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由西向東從美國-歐洲/日本-韓國/臺灣-中國大陸轉(zhuǎn)移，國 內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)得到了較好發(fā)展

10、，信息化程度得以提高。但和發(fā)達國家相比， 存在較大差距。目前，我國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍以加工為主，基本上半導(dǎo)體產(chǎn)品是發(fā)達國家如美 國將要淘汰或者已經(jīng)淘汰的產(chǎn)品。激烈的競爭使利潤率很低，投資收益率很低， 但是由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，而知識經(jīng)濟又建立在信息產(chǎn)業(yè)之上，因此半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又是我國必須發(fā)展的產(chǎn)業(yè)，必須進行投資。美國之所以處于世界經(jīng)濟的領(lǐng)先地位，其最根本的原因是在高技術(shù)領(lǐng)域始終處于 領(lǐng)先地位，在基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究和技術(shù)開發(fā)的各個環(huán)節(jié)做到了人力和資金的合 理分配，使其科學(xué)研究產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟效益。我國包括半導(dǎo)體研究在內(nèi)的研究現(xiàn)狀， 最大的問題就是不能在基礎(chǔ)研究、 應(yīng) 用研究和技術(shù)開發(fā)的各個環(huán)節(jié)

11、中做到人力和資金的合理分配， 應(yīng)用性基礎(chǔ)研究與 技術(shù)開發(fā)處于一種脫節(jié)狀態(tài)，基本上各自為政，各自在自己的領(lǐng)域內(nèi)發(fā)展。這樣 應(yīng)用研究就難以走向市場轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實的生產(chǎn)力； 技術(shù)開發(fā)由于基礎(chǔ)的薄弱， 也難 以有重大的成果。3 我國半導(dǎo)體制造業(yè)清潔生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展趨勢3.1 提高產(chǎn)品設(shè)計水平 在電子產(chǎn)品批量上市以前，首先必須保證可以生產(chǎn)并有適當?shù)某善仿省ＴO(shè) 計人員擁有更大的機會對制造的成品和成功產(chǎn)生影響。 力求在設(shè)計中解決制造問 題。在設(shè)計和制造中暴露出來的早期缺陷， 主要是來自系統(tǒng)方面的障礙。 對半導(dǎo) 體器件的設(shè)計，布局要求走線分離得更遠，但同時又不影響整體面積。例如，熱 循環(huán)現(xiàn)象會導(dǎo)致銅互連線中產(chǎn)生拉應(yīng)力

12、。這些空隙最有可能在通孔的底部形成， 從而使通孔成為引發(fā)良率和可靠性問題的首要因素。 在設(shè)計時應(yīng)盡可能在同一層 面走線，以避免不必要盼通孔。 當必須放置通孔時， 優(yōu)化布局和布線工具能夠插 入一些冗余的通孔。 這樣即使在某一通孔出現(xiàn)空隙時， 也能夠保持接觸， 從而提 高成功接觸的概率3.2 改進原料和能源 首先，應(yīng)嚴格材料的純度和粒子，減少雜質(zhì)和粒子的引入。如半導(dǎo)體器件生 產(chǎn)，硅單晶中存在著各種雜質(zhì)， 當一些雜質(zhì)的含量超過它的摻雜濃度時， 在制造 中的各種溫度下， 它們的狀態(tài)和完整性會不斷發(fā)生變化， 各種點缺陷會進入或離 開點陣，呈選擇性分布或聚集成團， 在外應(yīng)力作用下形成新的缺陷或發(fā)生缺陷增

13、值。應(yīng)控制對器件影響大的堿金屬及重金屬等金屬雜質(zhì)元素含量及C、O 等非金屬雜質(zhì)元素的濃度。其次，對進廠元器件或半成品投入生產(chǎn)前進行各種溫度、檢漏、振動、高壓 電沖擊等試驗。 產(chǎn)品或中間生產(chǎn)過程的半成品要按規(guī)定及時送檢和計量， 如利用 測試結(jié)構(gòu)對影響成品率的缺陷進行檢測和查找， 可準確判定影響成品率的有效缺 陷，及時采取措施從而提高成品率。 再者，嚴格輔助材料的純度。 如超純水水質(zhì)、 超純氣體、化學(xué)試劑等純度的及時監(jiān)測。3.3 優(yōu)化生產(chǎn)工藝工藝貫穿于產(chǎn)品生產(chǎn)的全過程。 企業(yè)應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)產(chǎn)品的復(fù)雜程度、 加工、裝 配、檢驗、技術(shù)裝備等制定相應(yīng)的生產(chǎn)工藝。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)工藝中，產(chǎn)品的可 靠性和成品率關(guān)

14、鍵在于線路板的清洗， 清洗時應(yīng)選擇合適的清洗方式， 嚴格控制 水質(zhì)。選擇合適的清洗方式。 超聲清洗對于清除不溶性或難溶性焊劑殘渣最有效； 噴淋清洗適用耐壓 30 伏以上的元器件；免清洗技術(shù)適用于生產(chǎn)批量大且元器件 相同的產(chǎn)品； 回收清洗法采用多級浸洗或多級逆流清洗， 多用于電鍍， 多級浸洗 方式是采用靜止的水槽，定期將第一級回收槽的水全部拿去回收或補充鍍槽液， 第二、第三級槽的水分別依次放入第一、第二級槽中，第三級加入新的水；多級 逆流清洗法是水與鍍件逆向依次流過第一、 二、三級清洗槽， 由第一級清洗槽排 出。水質(zhì)的控制。產(chǎn)品生產(chǎn)過程中多數(shù)需用超純水清洗工序，而且清洗次數(shù)多， 被加工件與水直接

15、頻繁接觸， 純水對器件的成品率極其重要， 并隨集成度的提高 和清洗次數(shù)的增多而更加重要。 據(jù)美國提出的水質(zhì)指標說明， 集成度每提高一代， 雜質(zhì)都要減少I/2I/10。水質(zhì)中，在水質(zhì)的要求中，粒子、COD（化學(xué)需氧量） 等，降低 COD 是當前和今后的最大難點。另外，還必須提高工序能力，盡可能 加大允許的工藝參數(shù)規(guī)范范圍，盡量減少工藝參數(shù)分布偏差。如重點解決壓焊、 粘片等工序的工藝規(guī)范，提高其工序能力指數(shù)，從而提高成品率。3.4 嚴格過程控制半導(dǎo)體產(chǎn)品精度高， 對生產(chǎn)過程和生產(chǎn)環(huán)境要求高。 企業(yè)應(yīng)可能對過程嚴格 控制，并保持車間超凈環(huán)境。 過程控制方面的提高成品率的措施主要有以下幾方 面：實現(xiàn)制

16、造工藝自動化， 以人工操作為主的操作模式會造成企業(yè)在物流操作 方面的高出錯率。 多數(shù)電子產(chǎn)品都具有復(fù)雜的性能， 精度要求高， 實現(xiàn)自動化可 實現(xiàn)精確加工和批量生產(chǎn)， 避免人為因素的影響。 超凈工藝環(huán)境因素， 大概有 5以下的成品率損失是由人和環(huán)境造成的。超凈工藝環(huán)境因素主要包括空氣潔 凈度、高純水、壓縮空氣、C02、N2、溫度、濕度等。潔凈廠房的潔凈級別常以 單位體積的空氣中最大允許的顆粒數(shù)即粒子計數(shù)濃度來衡量。 加強檢測， 在生 產(chǎn)過程中廢品產(chǎn)生量大的工位選擇適當?shù)年P(guān)鍵點進行檢測，及時采取 4半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工藝及污染控制技術(shù)調(diào)查分析4.1半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝4.1.1分立器件制造工藝最常見的雙極管

17、（Bipolar）之一的NPN三極管流程如上圖主要工藝有：氧 化、光刻、埋層擴散、N型外延、隔離擴散、基區(qū)擴散、發(fā)射區(qū)擴散、Al金屬化、CVD鈍化層等步驟。4.1.2半導(dǎo)體芯片制造工藝集成電路制造可大致分為各獨立的“單元”，如晶片制造、氧化、參雜、顯 影、刻蝕、薄膜等。各單元中又可再分為不同的“操作步驟”，如清洗、光阻涂布、曝光、顯影、離子植入、光阻去除、濺鍍、化學(xué)氣相沉積等。上述單元將依 功能設(shè)計不同，視需要重復(fù)操作。圖1半導(dǎo)體芯片制造工藝基本流程4.1.3封裝工藝晶片在制造工藝后進入封裝工藝，封裝指從晶片上切割單個芯片到最后包裝 的一系列步驟。在沖切中，用激光或金剛石鋸將單個芯片（或模片）

18、從晶片上分 離。然后通過錫焊或使用環(huán)氧樹脂將金屬結(jié)構(gòu)（如鉛）裱到芯片上。用混合溶劑 或萜烴進行清洗。下一步是引線接合（插腳），使芯片的金屬化部分與封裝或框 架連接起來。在封裝階段，用塑料或環(huán)氧樹脂做的密封包裝。 在一些應(yīng)用中也使 用陶瓷蓋。鉛框是一個與金屬條或鉛相連的矩形金屬框。 鉛連接晶片與電子設(shè)備。 塑料封裝鉛框用一片金屬，銅或合金制成，通過沖壓或蝕刻。鉛框和鉛提供與電 子部件的連外來研磨后的晶片清洗氧化均膠光刻顯影濕法/干法刻蝕擴散、離子注入化學(xué)氣相沉淀（CVD）化學(xué)機械拋光（CMP）金屬化等。圖2半導(dǎo)體封裝工藝基本流程4.2產(chǎn)污分析半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中會產(chǎn)生各種污染物，其中對環(huán)境和人員健康

19、影響較大的是 廢液污染和廢氣污染，下面列出一般工藝過程中可能產(chǎn)生的廢液、廢氣及其污染 特征。421廢液污染來源與污染特性廢水污染源分為半導(dǎo)體芯片制造廠及半導(dǎo)體芯片封裝廠，各有不同。半導(dǎo)體芯片制造廠廢水來源多且產(chǎn)生的污染化學(xué)物質(zhì)相當繁雜，廢水主要為超純水清洗 芯片、去光刻較及蝕刻等程序所排出的廢液，如圖 1所示。各股廢液來源及其所 包含的污染化學(xué)物說明如表3所示。半導(dǎo)體封裝過程主要污染源為切割、電鍍、浸錫、清洗等廢水，其中其電鍍 工藝產(chǎn)生的污染物依產(chǎn)品差異而有不同，包括鍍錫鉛、鍍鎳、鍍銀等，封裝工藝 各節(jié)點廢液污染物可能來源見圖2。各股廢液來源及其所包含的污染化學(xué)物說明 如表4所示。符號說明:-

20、:連續(xù)性排放廢液-:定期性排放廢液圖1半導(dǎo)體芯片制造過程中廢液污染物可能來源圖2半導(dǎo)體封裝過程中廢液污染物可能來源符號說明：:連續(xù)性排放廢液表3半導(dǎo)體芯片制造過程中產(chǎn)生的廢液及其有毒有害物質(zhì)廢液種類有毒有害物質(zhì)晶片清洗廢液硫酸、雙氧水、氫氟酸、氫氧化銨、鹽酸去光阻廢液二甲苯、乙酸丁酯、甲苯濕式蝕刻廢液氫氟酸、氟化銨、硝酸、雙氧水、鹽酸、硫酸、醋酸、磷 酸、氫溴酸、鋁、硅洗爐管廢液氫氟酸純水設(shè)備再生廢液氫氧化鈉、鹽酸、硫酸表4半導(dǎo)體圭寸裝過程中產(chǎn)生的廢液及其有毒有害物質(zhì)廢液種類有毒有害物質(zhì)切割/研磨廢液含矽晶粉末，污染物質(zhì)為 SS電鍍廢液電鍍前脫脂過程用到的有機物（油脂，SS, COD和螯合齊9

21、），Cu2+，Ni2+,Zn2+,Pb2+,Ag2+，氰化物，氟化物等浸錫廢液助焊劑清洗廢液硫酸，硝酸，雙氧水，醋酸，磷酸純水設(shè)備再生廢液氫氧化鈉、鹽酸、硫酸422廢氣污染來源與污染特性半導(dǎo)體生產(chǎn)不管在硅晶圓、半導(dǎo)體芯片制造，或是半導(dǎo)體芯片圭寸裝，其生產(chǎn) 制程都相當繁雜，制程中所使用的化學(xué)物質(zhì)種類也相當多，而這些化學(xué)物質(zhì)或溶 劑的使用是半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中主要的空氣污染源， 也因此使得半導(dǎo)體生產(chǎn)過程空 氣污染呈現(xiàn)量少但種類繁多的特性。晶圓及半導(dǎo)體芯片制造過程中幾乎每個步驟都分別使用各式各樣的酸堿物 質(zhì)、有機溶劑及毒性氣體，而各種物質(zhì)經(jīng)過反應(yīng)后又會生成種類更為復(fù)雜的產(chǎn)物， 各制程使用的化學(xué)物質(zhì)也 不

22、相同，故所有制程幾乎都可能是空氣污染源，且都為 連續(xù)排放。圖3中說明晶圓及半導(dǎo)體芯片制程中可能的污染源及其排放污染物。在半導(dǎo)體芯片封裝過程中，可能的空氣污染源包括：電鍍區(qū)產(chǎn)生之酸堿廢氣、 浸錫區(qū)產(chǎn)生之錫熏煙，以及清洗過程產(chǎn)生之酸氣與有機溶劑蒸氣等三大類，圖4中標示半導(dǎo)體芯片封裝過程可能產(chǎn)生的空氣污染源及其排放的污染物。清洗圓晶初成品氯化爐初步氧化氧化爐，閘區(qū)氧化V酸酸堿堿廢廢VOCs氣氣VOCsT毒性氣體r毒性氣體1i1I11酸毒酸酸堿性堿堿廢voc廢廢VOCs氣體氣氣毒性氣體酸堿廢 VOCs氣圓晶成品連續(xù)性排放廢氣 定期性排放廢氣 揮發(fā)性有機物符號說明:VOCs圖3半導(dǎo)體芯片制造過程中廢氣污

23、染物可能來源晶圓切割晶片粘附打厝封膠印 碼去筋打彎導(dǎo)線電鍍錫酸煙氣VOCs成品測試包 裝電子產(chǎn)品符號說明：:連續(xù)性排放廢液VOCs :揮發(fā)性有機物 圖4半導(dǎo)體芯片封裝過程中廢氣污染物可能來源半導(dǎo)體生產(chǎn)隨著其制程使用 不同的化學(xué)物質(zhì)，所產(chǎn)生的空氣污染物種類與特 性亦不相同，可歸納為酸堿廢氣、有機溶劑 逸散蒸氣、特殊毒性及燃燒性氣體， 表5為半導(dǎo)體生產(chǎn)過程所產(chǎn)生的空氣污染物種類與成份。針對有毒氣體處理需因應(yīng)各單元所排放的毒氣特性，結(jié)合多種不同型式毒氣處理方法及設(shè)備，階段性地處 理各種不同特性毒性氣體物質(zhì)，以確保處 理效率, 包裝生產(chǎn)線員工的身體健康及生命安全。表5半導(dǎo)體生產(chǎn)過程所產(chǎn)生的空氣污染物種

24、類與成份廢氣種類污染物成份污染源（工 藝）酸堿廢氣酸氣：HF、HCI、HNO3、H2SO4、CH3COOH、H3PO4、H2Cr2O7堿氣：NH3、NaOH氧化、光 刻、蝕刻、 反應(yīng)爐（氧 化爐、擴散 爐）后的清 洗、CVD揮發(fā)性有機物（VOCs）二氯甲烷（CH2CI2）、氯仿（CHCI3）、丁酮、甲苯、 乙本、丙酮、苯、二甲苯、乙酸丁酯、二氯乙烷、異丙 醇、四甲基胺、氯醛、四氯乙烯、乙基苯、亞甲基二氨、 丁基苯 4-甲基-2 戊酮（CH3） 2CHCH2COCH3、Tran s-D 半導(dǎo)體芯片horoethene光阻液清 洗、顯影液 清除、蝕刻 液清除、晶 圓清洗毒性氣體AsH3 PH3、S

25、iH4、B2H6、B4H10、P2O5、 SiF4、CC14HBr、BF3、A1C13、B2O5、AS2O3、BCI3、POC13、CI2、HCN、SiH2Cl2氧化、光 刻、蝕刻、 擴散、CVD、離子 注入燃燒氣體SiH4、AsH3、PH3、BF3、H2、SiH2Cl2離子注入、CVD、擴散5 指標體系情況簡介5.1 電子器件清潔生產(chǎn)評價指標體系專業(yè)類別劃分情況由于電子器件制造業(yè)各產(chǎn)品生產(chǎn)工藝差異較大，生產(chǎn)過程環(huán)境污染程度也不 盡相同，因此根據(jù)專家建議， 電子器件制造業(yè)清潔生產(chǎn)評價指標體系應(yīng)按產(chǎn)品生 產(chǎn)工藝特點制定成系列技術(shù)規(guī)范。 根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝特點， 進一步細分成電子真 空器件制造業(yè)，半

26、導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體芯片制造業(yè)，半導(dǎo)體封裝業(yè)，光電子器件制 造業(yè)五個行業(yè)。由于半導(dǎo)體芯片制造業(yè)相對于其它四個行業(yè)環(huán)境污染程度較大， 故優(yōu)先制定電子器件(半導(dǎo)體芯片)制造業(yè)清潔生產(chǎn)評價指標體系 。 5.2 范圍：本指標體系適用于半導(dǎo)體芯片制造業(yè)清潔生產(chǎn)水平評價、清潔生產(chǎn)審核；新 擴改建項目環(huán)境影響評價、新建項目審批核準；企業(yè)環(huán)保核查、節(jié)能評估等。本指標體系適應(yīng)的半導(dǎo)體芯片制造包括集成電路芯片制造，分立器件芯片制造和薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD制造。5.3 指標體系制定原則本指標體系要符合產(chǎn)品生命周期分析理論的要求， 充分體現(xiàn)全過程污染預(yù) 防思想，以幫助電子器件生產(chǎn)企業(yè)進行污染源核查， 生產(chǎn)工

27、藝中清潔生產(chǎn)潛力與 機會判斷，指標體系的建立，消減方案的建立等工作，實現(xiàn)清潔生產(chǎn)。其具體原 則體現(xiàn)在如下幾個方面：(1) 符合清潔生產(chǎn)標準編制要求的原則。清潔生產(chǎn)標準按照國家現(xiàn)行通用 的清潔生產(chǎn)指標， 按照清潔生產(chǎn)標準的 “六類”指標要求(生產(chǎn)工藝裝備及技術(shù)、 資源能源消耗指標、 資源綜合利用指標、 污染物產(chǎn)生指標、 產(chǎn)品特征指標和清潔 生產(chǎn)管理指標)，綜合考慮電子器件產(chǎn)品生產(chǎn)實際，指標采用定性、定量相結(jié)合 的方式。(2) 符合清潔生產(chǎn)的思路，體現(xiàn)生產(chǎn)全過程以預(yù)防為主的原則。符合產(chǎn)品 生命周期分析理論的要求， 充分體現(xiàn)全過程污染預(yù)防思想， 并覆蓋從原材料的選 取到生產(chǎn)過程和產(chǎn)品的處理處置的各個

28、環(huán)節(jié)。(3) 考慮清潔生產(chǎn)水平，因地制宜，分階段實施原則。根據(jù)生產(chǎn)特點，特 別是生產(chǎn)設(shè)備和原材料來源不同， 技術(shù)經(jīng)濟指標不同。 考慮到要調(diào)動大多數(shù)企業(yè) 的積極性，以及今后進行清潔生產(chǎn)企業(yè)的績效評定和公告制度的需要制定清潔生產(chǎn)標準。并確定了相應(yīng)的清潔生產(chǎn)分級（4）符合產(chǎn)業(yè)政策、資源綜合利用以及節(jié)能減排趨勢的要求的原則。根據(jù) 生產(chǎn)特點， 特別是資源綜合利用工藝不同， 技術(shù)經(jīng)濟指標不同， 各個企業(yè)的指標 均相差較大。 因此，考慮到大多數(shù)電子器件生產(chǎn)企業(yè)的積極性， 以及今后進行清 潔生產(chǎn)企業(yè)的績效評定和企業(yè)清潔生產(chǎn)績效公告制度的需要。（5）與現(xiàn)行管理制度相結(jié)合的原則。充分考慮電子器件產(chǎn)品生產(chǎn)工藝特 點

29、，與國內(nèi)現(xiàn)行環(huán)境管理制度 （環(huán)境影響評價、 限期治理、排污許可證） 相結(jié)合， 以環(huán)境保護為重點，作為污染預(yù)防戰(zhàn)略的技術(shù)支持。5.4 指標體系參考資料（ 1） 我國清潔生產(chǎn)技術(shù)規(guī)范整合研究報告 （國家環(huán)科院清潔生產(chǎn)與循 環(huán)經(jīng)濟研究中心， 2012 年4 月）。（ 2） 工業(yè)和信息化部關(guān)于進一步加強工業(yè)節(jié)水工作的意見 （中華人民 共和國工業(yè)和信息化部，工信部節(jié) 2010218 號）；（ 3） 清潔生產(chǎn)評價指標體系編制通則 （試行稿），（中華人民共和國國 家發(fā)展和改革委員會， 中華人民共和國環(huán)境保護部， 中華人民共和國工業(yè) 和信息化部公告， 2013年第 33號）（ 4） 產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（ 2

30、011年本）（2013年修正），國家發(fā)展和改革委員 會令 第 21 號（ 5） 電子電氣產(chǎn)品清潔生產(chǎn)技術(shù)指南 半導(dǎo)體器件 SJ/ZXXXX-XXXX6）清潔生產(chǎn)標準集成電路芯片制造業(yè)HJ/T XXXX-XXXX7）清潔生產(chǎn)標準光電子器件制造業(yè)HJ/T XXXX-XXXX8）清潔生產(chǎn)標準TFT-LCD件制造業(yè)HJ/T XXXX-XXXX9）電子工業(yè)污染物排放標準 GB/T XXXX-XXXX6 指標體系編制指導(dǎo)思想 本指標體系遵循“科學(xué)、合理、易操作”的原則進行編制。指標體系的編制 體現(xiàn)了生產(chǎn)全過程預(yù)防控制和源頭削減的思想。 本指標體系框架及定量、 定性指 標內(nèi)容的確定， 充分依據(jù)現(xiàn)行的 產(chǎn)業(yè)結(jié)

31、構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄 、工業(yè)和信息化部關(guān) 于鋼鐵工業(yè)節(jié)能減排的指導(dǎo)意見 、和電子器件（半導(dǎo)體芯片）行業(yè)清潔生產(chǎn)標 準化工作現(xiàn)狀、并充分考慮了國內(nèi)外已有的清潔生產(chǎn)技術(shù)成果和成功的清潔生產(chǎn) 管理經(jīng)驗、電子器件（半導(dǎo)體芯片）行業(yè)未來的發(fā)展趨勢等信息內(nèi)容。指標體系 中指標的選取考慮了半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)特點和指標的典型性、 代表性、統(tǒng)計指標數(shù) 據(jù)容易獲得等因素，使編制的指標體系具有可操作性。7 指標體系框架的確立 本指標體系評價指標體系框架的確立，主要依據(jù)我國清潔生產(chǎn)技術(shù)規(guī)范整 合研究報告和清潔生產(chǎn)評價指標體系編制通則（試行稿兩個文件，并結(jié)合 鋼鐵行業(yè)生產(chǎn)特點， 吸收采納了已頒布或已編制完成而未頒布清潔生產(chǎn)標準的

32、研 究成果予以確定。8 指標選取（1）指標分類上述六大類清潔生產(chǎn)一級指標當中， 生產(chǎn)工藝與裝備指標是通過調(diào)查國內(nèi)外 同行業(yè)的先進生產(chǎn)工藝與裝備水平， 在滿足國家半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)政策要求及工藝 特點的基礎(chǔ)上，采用清洗工藝，VOC和ODS物質(zhì)處理設(shè)備及技術(shù)先進性等。資源能源消耗指標為行業(yè)常用的經(jīng)濟指標。該指標目的是促進企業(yè)采用節(jié) 能、節(jié)水、節(jié)材工藝參數(shù)，最大限度降低資源、能源的消耗，提高資源能源利用 效率。具體指標包括： 單位產(chǎn)品新鮮水用量、 單位產(chǎn)品電耗和單位產(chǎn)品氫氟酸使 用量等指標。資源綜合利用指標的目的是促進半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)企業(yè)水資源綜合利用率指標。污染物產(chǎn)生指標是根據(jù)半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工藝特點，選

33、擇廢水，鉛，砷，烷基汞，氰化物，氨氮，COD和ODS物質(zhì)等工藝控制指標參數(shù)。產(chǎn)品特征指標的目的是促使企業(yè)采用先進的企業(yè)質(zhì)量管理規(guī)程， 嚴格控制產(chǎn) 品中限用有害物質(zhì)含量和產(chǎn)品包裝材料相關(guān)指標參數(shù)。清潔生產(chǎn)管理水平是影響各行業(yè)清潔生產(chǎn)績效的重要因素。 清潔生產(chǎn)管理指 標要求企業(yè)從清潔生產(chǎn)審核制度執(zhí)行、 清潔生產(chǎn)部門設(shè)置和人員配備、 清潔生產(chǎn) 管理制度、環(huán)評制度、 “三同時”制度執(zhí)行情況等管理環(huán)境中對環(huán)境影響大的方 面，根據(jù)各行業(yè)的具體情況提出規(guī)范性要求。 具體指標包括法律法規(guī)、 產(chǎn)業(yè)政策 執(zhí)行情況、清潔生產(chǎn)審核制度的執(zhí)行情況、生產(chǎn)過程控制、環(huán)境應(yīng)急預(yù)案有效、環(huán)境信息公開等對于半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)，根據(jù)生

34、產(chǎn)工藝特點分為：1） 6英寸及以下芯片產(chǎn)品的 平均光刻層20層以下；2）8英寸芯片芯片產(chǎn)品的平均光刻層30層以下；3）12英 寸芯片芯片產(chǎn)品的平均光刻層50層以下。（2）指標基準值的確定考核基準值的選取，既要考慮政策要求，也要考慮當前的行業(yè)實際情況。因 此，在選取考核基準值時，在符合國家現(xiàn)行產(chǎn)業(yè)發(fā)展、環(huán)境保護政策和行業(yè)發(fā)展 規(guī)劃要求的前提下，充分考慮水泥行業(yè)的現(xiàn)有水平，將國際領(lǐng)先水平劃分為一級 基準值，將行業(yè)準入要求劃分二級基準值， 將現(xiàn)有水泥企業(yè)的平均水平劃分為三 級基準值。此外，清潔生產(chǎn)是一個相對概念，它將隨著經(jīng)濟發(fā)展和技術(shù)更新而不斷完善， 達到新的更高、更先進的水平。因此清潔生產(chǎn)評價指標

35、的考核基準值，也應(yīng)視行 業(yè)技術(shù)進步趨勢和國內(nèi)企業(yè)情況進行不定期調(diào)整， 不能一成不變，其調(diào)整周期最 長不應(yīng)超過5年。（3）權(quán)重分值的確定清潔生產(chǎn)評價指標的權(quán)重值反映了該指標在整個清潔生產(chǎn)評價指標體系中 所占的比重。它原則上是根據(jù)該項指標對水泥企業(yè)清潔生產(chǎn)實際效益和水平的影 響程度大小及其實施的難易程度來確定的。一級指標的權(quán)重集，川二仙,，指標的權(quán)重集小：。其中，丫。也就是一級指標的權(quán)重之和為1，每個一級指標下的二級指標權(quán)重之和為1。（4）關(guān)于最佳可行技術(shù)（BAT）的說明“最佳可行技術(shù)”實踐代表針對各種生產(chǎn)活動、工藝過程產(chǎn)生的各種環(huán)境污 染問題，在經(jīng)濟和技術(shù)可行的條件下，采用在公共基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)部門得到應(yīng)用 的最有效、先進、可行的污染防治工藝和技術(shù)減少污染物的排放，特別是通過生 產(chǎn)過程的清潔生產(chǎn)管理措施預(yù)防、減少污染物的跑、冒、滴、漏造成的污染，從 整體上減少對環(huán)境的影響。最佳可行技術(shù)為制定排放限值提供了基礎(chǔ)，代表了污染防治技術(shù)、工藝和相 關(guān)運行、維護管理等發(fā)展的最新階段，它表明了某種特定技術(shù)在滿足排放法規(guī)、 限值基礎(chǔ)上的適用性， 或者當無