IC封裝術語1、BGA(ball grid array)球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在便攜式電話等設備中被采用，今后在美國有可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在 也有 一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。 BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為 ， 由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。2、BQFP(quad flat package with bumper)帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面貼裝型PGA 的別稱(見表面貼裝型PGA)。4、C(ceramic)表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數從8 到42。在japon，此封裝表示為DIPG(G 即玻璃密封的意思)。6、Cerquad表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高35 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJG(見QFJ)。8、COB(chip on board)板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術。9、DFP(dual flat package)雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。10、DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).11、DIL(dual in-line)DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。12、DIP(dual in-line package)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標準邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下并不加 區分， 只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。13、DSO(dual small out-lint)雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家采用此名稱。14、DICP(dual tape carrier package)雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于 利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅動LSI，但多數為 定制品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處于開發階段。在japon，按照EIAJ(japon電子機 械工 業)會標準規定，將DICP 命名為DTP。15、DIP(dual tape carrier package)同上。japon電子機械工業會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。16、FP(flat package)扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采 用此名稱。17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一，在LSI 芯片的電極區制作好金屬凸點，然后把金屬凸 點 與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數與LSI 芯片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。18、FQFP(fine pitch quad flat package)小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采 用此名稱。19、CPAC(globe top pad array carrier)美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。20、CQFP(quad fiat package with guard ring)帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。21、H-(with heat sink)表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。22、pin grid array(surface mount type)表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可制作得 不 怎么大，而引腳數比插裝型多(250528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材制作封裝已經實用化。23、JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導體廠家采用的名稱。24、LCC(Leadless chip carrier)無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFNC(見QFN)。25、LGA(land grid array)觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用于高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻 抗 小，對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，現在基本上不怎么使用 。預計 今后對其需求會有所增加。26、LOC(lead on chip)芯片上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片 的 中心附近制作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面 附近的 結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度。27、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是japon電子機械工業會根據制定的新QFP 外形規格所用的名稱。28、LQUAD陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高78 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產。29、MCM(multi-chip module)多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可 分 為MCML，MCMC 和MCMD 三大類。 MCML 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低 。 MCMC 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCML。MCMD 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。30、MFP(mini flat package)小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家采用的名稱。31、MQFP(metric quad flat package)按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標準對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm2.0mm 的標準QFP(見QFP)。32、MQUAD(metal quad)美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W2.8W