4半導體材料術語本文件規定了半導體材料生長、加工過程中涉及的產品及相關的晶體缺陷、表面沾污、幾何參數、制備、測試等方面的術語和定義。本文件適用于半導體材料的研發、生產、制備及相關領域。2規范性引用文件本文件沒有規范性引用文件。3一般術語下列術語和定義適用于本文件。3.1半導體semiconductor(3.218)導電性能介于導體與絕緣體之間，室溫下電阻率約為10-3Ω·cm～109Ω·cm范圍內的固體物質。注：半導體的導電是由帶正電的空穴和帶負電的電子的定向移動實現的；半導體按其結3.2本征半導體intrinsicsemiconductor(3.133)晶格完整且不含雜質的理想半導體，在熱平衡條件下，其中參與導電的電子和空穴數目近乎相等。注：通常所說的本征半導體是指僅含極痕量雜質，導電性能與理3.3元素半導體elementalsemiconductor(3.80)由單一元素的原子組成的半導體材料。3.4化合物半導體compoundsemiconductor(3.36)由兩種或兩種以上不同元素以確定的原子配比形成的半導體材料。3.5寬禁帶半導體widebandgapsemiconductor通常指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體。53.6半絕緣砷化鎵semi-insulatingGaAs電阻率大于1×10^7Ω·cm的砷化鎵單晶，用作微電子器件的襯底材料。3.7類金剛石碳膜diamond-likecarbonfilm具有類似于金剛石正四面體鍵結構的多晶或非晶碳膜。具有負電子親和勢，高的硬度和抗腐蝕性，可用作光電陰極材料和多張器件的鈍化保護膜。3.8第三代半導體材料third-generationsemiconductor以碳化硅、氮化鎵寬禁帶半導體材料為代表，通常都具有高擊穿電場、高遷移率、高飽和電子速度、可承受大功率等特點的半導體材料。），區別，有交叉，但不完全重合，因此第三代半導體材料和第二代、第一代3.9技術代technologygeneration在集成電路中特定工藝的特征尺寸，由特定工藝決定的所能光刻或制作的最小尺寸。也被稱為技術節點或線寬。3.10金剛石結構diamondstructure由兩個面心立方點陣沿立方晶胞的體對角線偏移1/4單位嵌套而成的晶體結構。3.11閃鋅礦結構Sphaleritestructure閃鋅礦結構屬立方晶系，為面心立方點陣。由兩種元素的原子各自形成面心立方晶格，再沿對角線滑移至對角線長度的四分之一，套迭而成。3.12纖鋅礦結構structureoflead-zincore屬六方晶系，密排六角點陣。由兩種元素的原子按六角排列的原子面以AaBbAaBb次序堆垛而成。注1：以ZnS為例，其中A，B面表示Zn原子面，a，b面表示S原子面。S原子作六方密堆積，注2：纖鋅礦結構化合物半導體有：4H-SiC和63.13受主acceptor6半導體中的一種雜質，接受從價帶激發的電子形成空穴導電。3.14施主donor(3.68)半導體中的一種雜質或缺陷，向導帶提供電子形成電子導電。3.15電子electron(3.79)導電conduction半導體導帶中的一種帶電載流子，其作用像帶負電荷的自由電子，通常具有不同的質量。3.16空穴hole(3.118)半導體價帶中的一個可移動空位，其作用就像一個具有正有效質量帶正電荷的電子。3.17二維電子氣two-dimensionalelectrongas；2DEG兩個維度上可以自由移動而在第三個維度上被嚴格約束住的電子氣。能量是分立的。其具有高的遷移率以及許多量子特性，是許多場3.18二維空穴氣two-dimensionalholegas；2DHG兩個維度上可以自由移動而在第三個維度上被嚴格約束住的空穴氣.3.19總固定電荷密度totalfixedchargedensityNtf不可移動電荷密度之和：包括氧化物固定電荷密度、氧化物俘獲的電荷密度以及界面俘獲的電荷密度。3.20激子exciton在一定的條件下由于庫侖相互吸引作用會將電子和空穴在空間上束縛在一起，形成的電子-空穴對。3.21非本征extrinsic(3.86)半導體材料內由摻雜劑原子提供的電子或空穴控制的狀態。3.227極性polarity當化合物半導體晶胞內部沿著某一晶向正、負電荷中心不重合時，存在凈的電偶極矩的表現形式。3.23非極性non-polarity當化合物半導體晶胞內部沿著某一晶向正、負電荷中心完全重合時，不存在凈的電偶極矩的表現形式。3.24半極性semi-polarity化合物半導體中介于極性面和非極性面之間的晶面，與極性面具有一定的夾角，因此僅具有部分極性面的極化強度的電偶極矩的表現形式。3.25極化效應polarizationeffect由極性半導體的極化電場引發的效應，包括自發極化效應和壓電極化效應，自發極化效應是源于晶體本身對稱性導致的極化，壓電極化效應是源于外部應力導致晶格變形導致的極化3.26空間電荷區spacechargeregion在p-n結附近，由于自由電子的擴散運動和內電場導致的漂移運動達到動態平衡時，p區和n區交界面產生的一個很薄的電子、空穴都很稀少的區域。3.27復合中心recombinationcenter(3.206)半導體中對電子和空穴起復合作用的雜質或缺陷。3.28補償compensation(3.34)半導體內同時存在施主雜質和受主雜質時，施主雜質施放的電子被受主雜質俘獲，或受主雜質施放的空穴被施主雜質俘獲，導致了除主要摻雜劑雜質外，自由載流子數量的減少。3.29純度purity；intrinsic表征單質或化合物含量的參數。一般的計算方法是按照100%減去按該產品標準規定的元素或成分種類的實測值以后得到的數值。注2：通常說硅的純度是針對本征硅而言，且不應包含氧、碳。如果是摻雜單晶，也不包83.30量子阱quantumwell；QW具有量子限制效應或其厚度和電子德布羅意波長可比擬的一種半導體薄層結構，3.31遷移率mobility(3.160)載流子在單位電場強度作用下的平均漂移速度。遷移率的符號為μ,單位為cm2/（V.s）。注：在單一載流子體系中，載流子遷移率與特定條件下測3.32霍爾系數Hall-coefficient(3.110)霍爾效應產生的霍爾電場正比于磁感應強度Bz和電流密度jx，其比例系數RH稱為霍爾系數。RH=±γ/ne磁場強度有關的因子。n為載流子濃度，e為電子電荷。3.33霍爾效應Hall-effect(3.111)當電流垂直于外磁場方向通過半導體樣品時，在垂直于電流和磁場方向的樣品兩側產生電勢差的現3.34霍爾遷移率Hall-mobility(3.112)霍爾系數和電導率的乘積，用μH表示，與遷移率有相同的量綱。H=Hσ│3.35單晶singlecrystal(3.222)原子按照一定規則有序排列，不含大角晶粒間界或孿晶的晶體。3.36多晶polycrystalline(3.191)由許多不同取向的小粒單晶粒無序排列而成，包含大角度晶粒間界和孿晶的晶體。3.37非晶amorphouscrystalline原子排列不具有周期性，但在近鄰或次近鄰原子間仍具有基本相同的鍵結構和配位數，只是鍵長和鍵角相對于晶體來說有所改變，即呈現短程有序，長程無序的材料。3.38類單晶quasi-monocrystalline9通過單晶籽晶，以定向凝固法生長形成的鑄造多晶，該晶體具有明顯與籽晶同方向的大晶粒。也稱為鑄造單晶或準單晶。3.39最大晶粒面積比例percentageofthelargestsinglegrain類單晶硅塊橫截面上具有指定晶向的最大單晶的面積與類單晶硅塊橫截面總面積的比值，以百分3.40載流子carrier（3.26）半導體中導帶和價帶中的荷電粒子。3.41載流子濃度carrierconcentration；carrierdensity單位體積的載流子數目。本征半導體中等于每單位體積中多數載流子的數目。雜質半導體中在室溫無補償存在的條件下等于電離雜質的濃度。3.42多數載流子majoritycarrier(3.150)非本征半導體中占總載流子濃度一半以上的載流子類型。注1：如非本征半導體p型半導體中的空穴；n型半導體中的電子，這時可以忽略遷移率的影響。3.43少數載流子minoritycarrier(3.159)非本征半導體中占總電荷載流子濃度不到一半的一種載流子類型。3.44直接帶隙半導體directbandgapsemiconductor導帶最小值（導帶底）和價帶最大值（價帶頂）在波矢空間中處于同一波矢位置的半導體。3.45間接帶隙半導體indirectbandgapsemiconductor導帶最小值（導帶底）和價帶最大值（價帶頂）在波矢空間中處于不同波矢位置的半導體。3.46p型半導體p-typesemiconductor(3.202)多數載流子為空穴的半導體材料。3.47n型半導體n-typesemiconductor(3.171)多數載流子為電子的半導體材料。3.48p-n結p-njunction(3.186)同一塊半導體晶體內彼此相鄰接的p型和n型的界面區域。3.49垂直梯度凝固法verticalgradientfreeze；VGF通過設計特定的溫度梯度，使固液界面以一定速度從下向上端移動。單晶也從下向上生長的方法。3.50垂直布里奇曼法verticalBridgman；VB垂直放置加熱爐，在加熱爐中預先設定好溫度梯度，通過加熱爐與熔體的相對運動，使熔體逐步結晶而完成單晶生長的方法。3.51水平梯度凝固法horizontalgradientfreeze通過設計特定的溫度梯度，使固液界面以一定速度在水平面上從一端向另一端移動，單晶也從一端向另一端水平生長的方法。3.52水平布里奇曼法horizontalBridgman；HB水平放置加熱爐，在加熱爐中預先設定好溫度梯度，通過加熱爐與熔體的相對運動，使熔體逐步結晶而完成單晶生長的方法。3.53分凝segregation在液態凝固過程中，由于液態凝出的固相的化學成分和液相不同，隨著凝固的進行，液相成分不斷變化，先后凝出的固相成分不同形成分凝現象。3.54分凝系數equilibriumsegregationcoefficient在平衡狀態時，組分在固定液與流動相中的濃度之比。3.55有效分凝系數effectivesegregationcoefficient在固-液交界面處，固相雜質濃度CS與遠離界面的熔體內部的雜質濃度CLO的比值（keff即keff=CS/CLO。3.56摻雜doping(3.71)為控制半導體材料的性能，人為地、有目的地摻入一定種類、一定數量雜質的過程。3.57摻雜劑dopant(3.69)摻入半導體材料中用以確定其導電類型和電阻率的痕量元素。3.58摻雜密度dopantdensity摻雜濃度(3.55)單位體積中摻雜元素的原子數目。3.59重摻雜heavydoping(3.115)在半導體材料中摻入較高的雜質濃度。3.60共摻雜co-dopant為控制半導體材料的性能，人為地、有目的地同時摻入兩種或兩種以上雜質的過程。3.61深能級雜質deep-levelimpurity(3.54)在半導體中形成一個或多個位于禁帶中央區域能級的化學元素，以及一些能引入電活性深能級的缺陷或復合物。3.62EL2能級EL2energylevel砷化鎵單晶中，與過量砷相關的缺陷（EL2缺陷）所產生的深能級。3.63等電子摻雜isoelectronicimpurity與被替代的基體原子具有相同價電子結構的替代原子的摻雜。3.64調制摻雜modulationdoping；MD在具有量子效應的半導體異質結構中，選擇特定空間上的材料中摻入n型或p型雜質原子，其它區域不摻雜的方法。3.65中子嬗變摻雜neutrontransmutationdoping；NTD(3.167)用中子流輻照硅單晶錠，使晶體中的Si30嬗變成磷原子，達到在硅單晶中摻雜的方法。3.66自摻雜(外延層)autodoping（ofanepitaxiallayer）self-doping（3.12）外延生長工藝中來自襯底的背面、正面以及邊緣、反應器中的其它襯片、基座或沉積系統的其他部分的雜質元素摻入到外延層中的過程。3.67補償摻雜compensationdoping(3.35)為調控材料和器件的性能，人為實現載流子補償的工藝。3.68導電類型conductivitytype(3.39)半導體材料中多數載流子的性質所決定的導電特性，分為n型和p型。3.69電導率conductivity(3.38)載流子在材料中流動程度的一種量度。符號為σ,單位為(Ω·cm）-1或(Ω·m）-1。注：一般摻雜半導體在常溫范圍內導電性能主要由摻雜決定，其數3.70電阻率resistivity(3.209)ρ荷電載體通過材料受阻程度的一種量度。電阻率是電導率的倒數，單位為Ω.cm。3.71電阻率允許偏差allowableresistivitytolerance（3.2）晶片中心點或晶錠斷面中心點的電阻率與標稱電阻率的最大允許差值，也可以用標稱值的百分數來表示。3.72徑向電阻率變化radialresistivitytolerance(3.204)徑向電阻率梯度radialresistivitygradient；RRG（3.108）晶片中心點與偏離晶片中心的某一點或若干對稱分布的設置點（典型設置點是晶片半徑的1/2處或靠近晶片邊緣處）的電阻率之間的差值，這種電阻率的差值可以不是為測量差值除以中心值，以百分數表示。3.73表面電阻sheetresistance(3.221)方塊電阻squareresistance半導體或金屬薄膜中，平行于電流的電位梯度(電場)與電流密度和厚度的乘積之比。符號為Rs，單位為Ω/sq或Ω/□。注：數值上等于體電阻率除以材料的厚度，取厚度趨于零時的極3.74擴展電阻spreadingresistance微小導電金屬探針和晶片上一參考點之間的電勢差與通過探針的電流之比。注：該比值測量了金屬與半導體的接觸電阻，以及在探針附近沒有電邊界的均勻試樣的經典擴展電阻。對于具有3.75晶體crystal(3.47)由原子、離子或分子以一定的周期性規律排列組成的固體。3.76晶面crystallographicplane(3.51)通過空間點陣中不在同一直線上的三個結點的平面。3.77晶片wafer；slice(3.223)從半導體晶體切取的具有一定幾何形狀和厚度的平行平面的薄片。包括單晶片、類單晶片、鑄造多晶硅片，晶片可以是圓形、方形或準方形。3.78晶胞unitcell組成空間點陣最基本的單元，其具有整個晶體的性質。3.79晶粒grain原子按照一定的規則排列形成的具有一定外觀邊界的集合體，每個晶粒就是一個小單晶體。3.80晶粒間界grainboundary（3.106）固體內，一晶粒與另一晶粒相接觸的界面。該界面上的任一點至少構成兩個晶向差大于1°的晶格3.81密勒指數Millerindices（3.158）晶體指數crystalindices晶面在三個單位長度晶軸上截距倒數的最小整數比。3.82結晶學表示法crystallographicnotation(3.50)用于標示晶體中晶面和晶向的密勒指數的一種符號體系。晶面如（111）3.83晶向偏離off-orientation(3.172)晶片表面法線與晶體結晶學方向偏離的角度。3.84晶向orientation(3.174)單晶的表面方向，當表面與之理想表面重合時，用密勒指數描述的晶體學平面方向。3.85正交晶向偏離orthogonalmisorientation(3.175)在晶體被有意偏離晶向切割時，正交晶向偏離的描述如圖1及圖2所示。注1：例如，硅晶片表面的法向矢量在{111}晶面上的投影與最鄰近的<110>晶向在{111}（見圖1）。砷化鎵晶片的表面的法向矢量在{100}晶面上的投影與最鄰近的<110>晶向在{世界范圍內確定偏離定向角的習慣是不一樣的，因此有必要準確地建3.86勞埃法Lauemethod(3.138)用連續能譜的X射線投射到固定的單晶體上，滿足布拉格定律的X射線得到的反射，對反射出的X射線進行晶體學分析，以確定晶體宏觀對稱性的一種X射線衍射方法。3.87多型polytype由同種化學成分所構成的晶體，當其晶體結構中的結構單位層相同，但結構單位層之間的堆垛順序或重復方式不同時，而形成的結構上不同的變體。注：最常見的多型是根據拉姆斯代爾的建議命名的:如6H給出了一個周期性疊加序列的層數(2,3,4，…)和生成的晶體的對稱性(H=六角形，R=菱形)。如SiC多型有6H、3.88各向異性anisotropic（3.4）在不同的結晶學方向具有不同的物理特性，也可稱為非各向同性，非均質性。3.89各向異性腐蝕anisotropicetch（3.5）沿著不同的結晶學方向，呈現腐蝕速率差異的一種選擇性腐蝕。3.90各向同性腐蝕isotropicetch(3.135)在不同的結晶學平面呈現出相同腐蝕速率的腐蝕。3.91夾層lamella(3.136)一種多重孿晶，極薄且比較長，可能與一個以上的平面相交。3.92晶格失配latticemismatch在由兩種晶體材料構成的界面附近，由于兩種材料的晶格常數不完全相同，使晶格連續性受到破壞的現象。3.93Ga面和As面Gafacet&Asfacet在GaAs單晶中，通常把由Ga原子形成的{111}面稱為（111）Ga面或A面，由As原子形成的{111}面稱為（111）As面或B面。3.94界面態densityofstates；DOS半導體異質結、金屬-半導體、電介質-半導體等結構中層間邊界處存在的能級或能帶中的電子態。3.95界面態密度interfacetrapdensity；interfacestatedensity單位面積、單位能量間隔內的界面態數目，單位為cm-2eV-1。3.96離子注入ionimplantation(3.134)將雜質離子在真空中加速到一定能量后，以高速度穿過晶體表面進入體內，經過與晶體原子的不斷碰撞而速度減慢，最后在晶體的一定深度處終止的摻雜工藝。3.97異質結heterojunction兩種不同的半導體晶體相接觸所形成的界面區域。按照兩種材料的導電類型不同，又分為同型異質結(p-p結或n-n結)和異型異質(P-n或p-N)結。3.98擴散層diffusedlayer(3.60)采用固態擴散工藝，將雜質引入晶體，使單晶近表面層形成相同或相反導電類型的區域。3.99擴散長度diffusionlengthLD由外界引起的非平衡少數載流子從產生到被復合的時間里，從樣品表面向體內擴散的平均深度稱為擴散長度。注：理想的擴散長度僅是樣品體內復合的函數，與表面復合無關。非平衡少數載流子壽擴散長度的平方除擴散系數所得商，而擴散系數是設定的或由載流子3.100有效擴散長度effectivediffusionlengthLO由于各種原因造成測試結果偏離理想的擴散長度（LD）時，實際測試得到的擴散長度被稱為有效擴散長度LD。注：例如很薄的樣品或外延層，樣品的背表面有結存在，或者是對砷化鎵等的其他半導3.101晶體缺陷crystaldefect(3.48)偏離理想晶格點陣中原子的有規則排列。），3.102點缺陷pointdefect(3.187)在晶體中一個或幾個晶格常數范圍內的晶體缺陷，包括空位、間隙原子和雜質原子等。3.103微缺陷microdefect(3.156)晶體中缺陷尺寸通常在微米或亞微米數量級范圍內的缺陷。3.104滑移slip(3.224)晶體一部分相對另一部分發生切變位移，在形式上仍保留材料的結晶性的一種塑性形變過程。3.105滑移線slipline(3.225)在滑移平面與晶面相交處形成的一個臺階。表面，線的族彼此成60傾斜。在(100)表面，它們彼此成90傾斜。3.106滑移面slipplane(3.226)晶體中位錯發生滑移運動的一結晶學平面。3.107位錯腐蝕坑dislocationetchpit(3.66)在晶體表面的位錯應力區域，由擇優腐蝕而產生的一種界限清晰、形狀規則的腐蝕坑。3.108位錯密度dislocationdensity(3.65)單位體積內位錯線的總長度。注2：砷化鎵晶片表面由于位錯而產生的擇優腐蝕形成的凹坑密度也稱為腐3.109無位錯單晶dislocationfreesinglecrystal；zeroDsinglecrystal(3.272)；位錯密度小于某一規定值的單晶，也稱為零位錯單晶。3.110表面缺陷surfacedefect(3.236)晶片表面上能觀察到的損傷、殘留塵埃和其他的不完整性。注：例如，晶片表面的凹坑、小坑、顆粒、3.111腐蝕etch(3.83)用一種溶液、混合液或混合氣體侵蝕薄膜或襯底表面，有選擇地或非選擇地去除表面物質的過程。3.112腐蝕坑etchpit(3.84)晶片表面上由于腐蝕形成的凹坑，局限于晶體缺陷或應力區。3.113解理面cleavageplane(3.33)一種結晶學上優先斷裂的晶面。3.114擇優腐蝕preferentialetch(3.195)沿晶體內特定的結晶學晶面呈現出腐蝕速率明顯增大的現象。3.115擇優腐蝕坑preferentialetchpits采用擇優腐蝕方法在半導體表面顯示出的微觀形態，其形態與晶面、缺陷類型、腐蝕液等密切相關。3.116表面腐蝕晶胞surfaceetchedunitecell由于單晶片的不同晶面腐蝕速率不同，腐蝕過程中晶胞的三維形貌發生變化后在表面形成的圖形。3.117損傷damage(3.53)晶體的一種不可逆轉的形變缺陷。注:對于表面機械加工如切割，磨削，滾圓，噴砂，以及撞擊等造成的形變，如后續沒有熱處理，可能導致晶格不3.118損傷層damagelayer晶片在機械加工過程中，表面形成一定深度的損傷薄層。3.119損傷深度damagedepth(Tz)損傷區域的最大厚度，或稱為損傷層深度。3.120殘留機械損傷residualmechanicaldamage(3.208)晶片經過切、磨、拋加工之后，表面殘留下來的沒有完全去除的機械損傷。3.121親水性hydrophilic(3.122)晶片表面對水有很強的親和力，可濕潤的現象。3.122疏水性hydrophobic(3.123)晶片表面對水完全不具親和力，不可濕潤的現象。3.123陷光結構lighttrappingstructure在光伏用晶片表面形成突起或凹坑的結構，通過對太陽光的反射、折射和散射等，將入射太陽光線重新分散到電池表面或體內，從而增加光在太陽電池中的光程或吸收量。3.124邊皮edgecrystalsilicon在光伏用硅晶錠開方過程中切除的，位于晶錠周邊靠近坩堝位置的一層硅晶體材料。3.125外延epitaxy(3.82)用氣相、液相、分子束等方法在襯底上生長單晶薄層的工藝。3.126在襯底上生長的、晶向由襯底決定的半導體單晶薄層。注：外延層可在導電類型、晶體結構等方面與襯底相同或不同，還可3.127外延層厚度thicknessofanepitaxiallayer(3.251)從外延層正表面到外延層-襯底界面的距離。3.128外延片epitaxialwafer通過外延工藝在襯底的正表面、邊緣以及近邊緣區域生長了外延層的晶片。3.129外延層的有效層厚度effectivelayerthicknessofanepitaxiallayer(3.78)凈載流子濃度在規定范圍內的外延層的厚度。3.130外延剖面斜度profileslopeofanepitaxiallayer(3.200)外延層厚度的0.75處與0.25處的凈載流子濃度的差值除以外延層厚度的1/2的值：單位為μm。外延剖面斜度=(N0.75t－N0.25t)/0.5t式中：N----凈載流子濃度，cm-3；t-----外延層厚度，μm。3.131同質外延homoepitaxy(3.119)在襯底上生長與襯底材料組份相同的單晶薄層的外延工藝。3.132異質外延heteroepitaxy(3.116)在襯底上生長與襯底材料組份不同的單晶薄層的外延工藝。注：通常硅單晶中雜質濃度大于10cm，3.133側向外延epitaxiallateralover-growth；ELO橫向外延lateralepitaxial半導體在選區外延時，通過控制生長條件，使得橫向生長速度快于縱向生長速度，導致選擇窗口區的外延薄膜生長擴展到窗口外并連接相鄰窗口區擴展過來的外延薄膜，最終形成連續外延層。3.134在摻雜襯底上沉積相同導電類型的外延層過渡區寬度transitionwidthofanepitaxiallayerdepositedondopedsubstrateofthesameconductivitytype(3.257)基于相同測試手段下的，外延層厚度層厚外延層平坦區間的厚度之差。3.135外延層的平坦區flatzoneofanepitaxiallayer(3.94)從正表面到凈載流子濃度大于或小于外延厚度的0.25-0.75區域內平均凈載流子濃度的20%的點的深度。3.136漸變區gradedregion(3.105)用于起始生長的GaAs（1－x）Px外延層，在生長過程中外延層的組分由GaAs逐漸變為GaAs（1－x）Px。目的是盡可能減少GaAs襯底與GaAs（1－x）Px外延層間的晶格失配。3.137邊緣凸起edgecrown(3.73)距晶片邊緣（3.2mm1/8英寸）處的表面高度與晶片邊緣處高度之間的差值。單位為μm。3.138緩沖層bufferlayer過渡層transitionlayer在半導體外延生長中，為其后生長外延層所準備的前期鋪墊層。3.139圖形畸變率（埋層外延技術）patterndistortionratio埋層襯底上的圖形寬度和外延層表面圖形寬度之差的絕對值與外延層厚度的商。3.140圖形漂移率patternshiftratio埋層襯底表面圖形中心點和外延層表面對應的圖形中心點之間的橫向距離與外延層厚度的商。3.141圖形臺階高度（埋層外延技術）patternstepheightin（buriedepitaxialwafertechnology）去除氧化物后，擴散(埋層)表面與原始基體表面垂直位置的差異。3.142鍵合界面bondedinterface（3.18）兩種晶片之間的鍵合面。3.145鍵合硅片bondedSOIwafer（3.19）兩個硅片鍵合在一起，中間是典型的熱生長的二氧化硅絕緣層。3.146非SOI邊緣區non-SOIedgearea表面硅層(3.229)表面硅層的標稱半徑和基底硅片標稱半徑之間的環形區域（即鍵合SOI片）。注：在尺寸上以寬度來確立，為表面硅層標稱半3.147由絕緣層分離的單晶硅薄膜，絕緣層不局限于二氧化硅。注：氧化硅片上的多晶或非晶硅薄膜不被認為屬于SOI層。一般稱其3.148硅外延層是由電介質材料支撐的多層結構。一種是由比較厚的電介質材料直接做襯底；另一種是由氧化物和硅組成的多層結構，氧化層上有一層硅薄膜，也被稱為BOX.SOI片。3.149SIMOX層SIMOXlayer(3.240)絕緣層為埋層氧化層的SOI材料，其絕緣層上的一層薄硅，也稱頂部硅或表面硅。3.150埋層buriedlayer（3.22）外延層覆蓋的擴散區，又稱副擴散層或膜下擴散層。3.151埋層氧化物（硅））buriedoxide（3.23）由氧注入形成的氧化物（氧化硅）3.152埋層氧化buriedoxidelayer；BOXSOI層和基底硅襯底之間的二氧化硅絕緣層。3.153頂層硅薄膜厚度thicknessoftopsiliconfilm(3.253)頂層硅薄膜表面與頂層硅薄膜-埋層氧化物界面之間的距離。3.154壽命lifetime（3.140）非平衡載流子從產生到復合存在的平均時間間隔。所以實際測量的壽命也可以稱為有效壽命。通常，壽命的測量是從脈沖注入結束到衰減3.154.1載流子復合壽命carrierrecombinationlifetime在均勻半導體內非平衡空穴-電子對由產生到復合的平均時間間隔。3.154.2少數載流子壽命minoritycarrierlifetime(3.140)均勻半導體中非平衡少數載流子由產生到復合存在的平均時間間隔。注：在滿足小注入條件下，其數值等于非平衡少數載流子濃度衰減到起始值的1/e（e=23.154.3基本模式壽命primarymodelifetime非平衡載流子復合衰減曲線上滿足指數衰減部分的時間常數。注2：基本模式壽命開始的起點是由計算機系統確認衰3.154.4體復合壽命bulkrecombinationlifetime在空穴-電子對的表面復合可以忽略不計的情況下，只是通過晶體內雜質和缺陷的復合作用所決定的壽命。注：體復合壽命可以是少數載流子壽命也可以是載流子復合壽命，區別以表面復合為主的表面壽命。通常壽命3.154.5表面壽命surfacelifetime由樣品表面復合所產生的壽命。3.154.6燈絲壽命filamentlifetime注：衰減曲線的初始部分在本質上通常不是指數級的，因此從衰減曲線的初始部分確定少數載流子壽命，少數載流子壽命必須從衰減后一段時間出現的曲3.154.7注入水平injectionlevelη在非本征半導體晶體或晶片內，由光子或其他手段產生的過剩載流子濃度與多數載流子的平衡濃度之比。注入水平與激發脈沖停止后立即產生的初始過剩載流子濃度有關。3.154.8產生壽命generationlifetime在反向偏置的空間電荷區中產生電子-空穴對的平均時間。3.154.9產生速率generationvelocity表面電子-空穴對載流子的產生速度，它與耗盡區寬度無關，是由表面的電子-空穴對和類似中性體組成的。3.155襯底substrate(3.242)在半導體器件和電路制造中作為后續工藝加工操作的基底材料。其具有特定晶向和電學等特性參數，可直接在上制作器件，或在上生長、沉積的同一種或另一種材料的薄膜中制造器件或電路。注1：襯底可以是半導體材料，也可以是非半導體材料；也包括用于同質外延的襯底和用3.156藍寶石襯底sapphiresubstrate用于外延生長半導體薄膜的藍寶石單晶拋光片。3.157正表面frontsurface(3.101)正面frontside（3.100）已經或將要在其上制造半導體有源器件的外露表面。3.158背表面backsurface（3.15）背面backside（3.14）相對于正表面的外露表面3.159拋光面polishedsurface(3.188)晶片拋光后獲得的如鏡面狀近乎完美的表面。3.160直徑diameter(3.59)在晶圓片表面通過圓片中心點且不與參考面或圓周上任何基準區相交的直線長度。3.161標稱直徑nominaldiameter圓形晶片的規定目標直徑。注：例如，直徑150mm、200mm或300mm一般都3.162（定位）基準fiducial(3.88)晶片上提供結晶軸基準位置的平面或切口。3.163基準面偏差referenceplanedeviation；RPD(3.207)晶片表面任一指定點，沿垂直于基準面方向與基準面之間的距離。3.164晶片切口notchonasemiconductorwafer在晶片邊緣具有規定形狀和尺寸的凹槽，其定向為通過切口中心的直徑平行于規定的低指數晶向。3.165主取向參考面primaryorientationflat晶片上長度最長的參考面,用與弦平行規定的低指數晶面來定向。3.166晶片的參考面flatonsemiconductorwafer(3.93)晶片圓周的一部分被割去，成為弦。3.167副參考面secondaryflat(3.217)長度比主參考面短，用其相對于主參考面的位置來標記晶片的導電電類型和晶向。3.168參考面直徑flatdiameter(3.92)半導體晶圓表面上沿著垂直于晶圓參考平面的直徑，由晶圓主參考面平面中心到晶圓對邊圓周的線性尺寸。型晶片，參考面直徑的概念不能使用，因為直徑垂直參3.169重建的邊緣輪廓reconstructededgeprofile用從邊緣輪廓實際測量中獲取的參數構造的邊緣輪廓模型。3.170邊緣輪廓的基準線referencelineofanedgeprofile位于上表面和下表面之間的線，表示晶片邊緣橫截面視圖上的中位面；是橫截面視圖q-z參考坐標系的q軸。3.171晶圓片邊緣的z軸剖視圖z-axisofacross-sectionalviewoftheedgeofawafer穿過晶片外圍圓線，直于通過晶圓外圍的參考線，原點在晶圓外圍與參考線的交點處，且指向晶圓正面的正方向。3.172邊緣輪廓模型modeledgeprofile由橫截面視圖中的直線（頂端和斜面）和圓弧（肩部）組成晶片邊緣輪廓。3.173邊緣輪廓部分segmentofanedgeprofile晶圓片上邊緣輪廓的確定區域。3.174晶片邊緣edgeofwafer晶圓片的環形區域，從外圍向內，經過有意的化學或機械加工形成的邊緣輪廓。3.175頂端apex晶片邊緣輪廓的表征，其位于正面和背面肩部之間的區域，近似垂直于基準線。3.176晶片邊緣輪廓的表征參數，Z軸與前頂端或后頂端的夾角，如果q坐標沿著|z|軸增大而增加，則頂角的符號是正的。3.177頂端長度apexlength,晶片邊緣輪廓的表征參數，在邊緣輪廓的前肩和后肩之間沿Z軸的距離，通常由從基準線到前肩和后肩兩個距離組成。3.178目標輪廓targetprofile使用指定的或預先選擇的邊緣輪廓參數構造的典型的邊緣輪廓。3.179邊緣輪廓edgeprofile(3.76)在邊緣倒角的晶片上，其邊緣經化學或機械加工整形，是對連結晶片正面與表面邊界輪廓的一種描述。3.180邊緣寬度edgewidth從晶片表面圓周到邊緣輪廓線末端之間的距離。3.181邊緣去除區域edgeexclusionarea(3.74)晶片的合格質量區與晶片物理周邊之間的區域。3.182邊緣去除edgeexclusionnominal；EE(3.75)從合格質量區邊界到晶片物理周邊的距離3.183邊緣輪廓測量measurededgeprofile由測量系統獲得的，由一系列q、z點組成的晶片邊緣輪廓的橫截面視圖。3.184邊緣參考edge-referenced以晶圓片外圍為原點而建立用于測量、計算的坐標系統。3.185近邊緣幾何學nearedgegeometry大直徑晶片近邊緣區域的表面幾何形態。3.185.1近邊緣區域near-edgeregion圓片位于邊緣的內邊界(邊緣輪廓的內端)和合格質量區（FQA）的外邊界之間的圓環形區域，也可以根據研究范圍向合格質量區延伸一小段距離。3.185.2卷曲edgerolloff；ERO大直徑硅片在近邊緣附近的表面偏差，但不包括由于硅片邊緣輪廓和表面粗糙度造成的影響。3.185.3卷曲度edgerolloffamount；ROA在無夾持狀態下，硅片的近邊緣區域從基準線到測量點的位移。3.185.4線性基準線的卷曲度linearreferencedROA；L-ROA當一段直線被作為基準時，硅片邊緣的卷曲度值。3.185.5近邊緣曲率near-edgecurvatureZDD（radialdoublederivativeofz（height使用晶片高度的陣列數據獲得垂直于硅片中位面一系列Z坐標的徑向二階導數所描述的參數。3.185.6近邊緣扇形區域平整度near-edgewafersectorflatnessESFQR/ESFQD/ESBIR將晶片近邊緣環形區域分割成N個扇形區域，其若干個扇形區域中總指示讀數（TIR）或焦平面偏差（FPD）的最大值。注1：由于選擇的基準面不同，可以用ESFQR、ESFQD或ESBIR來分別注2：近邊緣扇形區域平整度是晶片近邊緣幾何形3.185.7邊緣不完整區域的局部平整度partialwafersiteflatnessPSFQR/PSFQD將晶片分割成N個矩形區域，其近邊緣若干個不完整局部區域相對于基準面的總指示讀數（TIR）或焦平面偏差（FPD）的最大值。注1：由于選擇的基準面不同，可以用PSFQR或PSFQD來分別3.185.8立方曲線基準的卷曲度polynomialreferencedROA；P-ROA當一個立方曲線被作為基準時，硅片邊緣的卷曲度。3.185.9邊緣卷曲確定的基準線referencelineofanedgeroll-offdetermination對不包括卷曲在內的理想表面進行擬合后推算得到的直線或立體曲線。3.185.10合格質量區的扇形區域sectoroftheFQA合格質量區外環界定徑向長度和角度的區域部分，其中角度范圍為360°/N，N為環內扇區的數量。3.186邊緣輪廓部分參數parameterofanedgeprofilesegment邊緣輪廓部分的參數（長度、角度或半徑）。3.187合格質量區fixedqualityarea；FQA優質固定區邊緣去除后所限定的晶片表面中心區域，該區域內各參數值均應符合規定的要求。注：合格質量區的邊界是距標稱尺寸的晶片邊緣的所有點。合格質為規定去除區域，對有切口、激光標志、或處理/夾片裝置接觸晶片的區域，規3.188厚度thickness(3.249)通過晶片上一給定點垂直于表面方向穿過晶片的距離。注：光伏用方形硅片中也可以硅片上規定測試的多點厚度3.189標稱厚度nominalthickness晶片的規定目標厚度。3.190厚度允許偏差allowablethicknesstolerance（3.3）晶片的中心厚度與標稱值間的最大允許差。3.191總厚度變化totalthicknessvariation；TTV(3.255)晶片厚度的最大值和最小值間的差。質量區域內以相對較小的間隔對晶圓進行采樣，并將總厚度變化3.192線性厚度變化linearthicknessvariation；LTV(3.142)晶片的正表面和背表面能用兩個非平行平面表示的晶片厚度變化。3.193非線性厚度變化nonlinearthicknessvariation；NTV(3.168)晶片的宏觀非均勻厚度變化，其剖面近似于凸透鏡或凹透鏡。3.194錐度taper(3.245)平行度parallelism晶片沿某一直徑上的最大厚度變化。3.195平整度flatness(3.95)晶片背表面為理想平面時，晶片正表面相對于一規定的基準面的偏差，以總指示讀數（TIR）或焦平面偏差（FPD）的最大值表示。晶片的平整度可描述為下面任何一種：a)總平整度b)在所有局部區域測量的局部平整度的最大值。c)局部平整度等于或小于規定值的局部區域所占的百分數。注：由真空吸盤將晶片背表面吸附在一個理想、平坦的吸3.195.1焦平面focalplane(3.95.1)與成像系統的光軸垂直且包含成像系統焦點的平面。3.195.2焦平面偏差focalplanedeviation；FPD晶片表面的一點平行于光軸到焦平面的距離。3.195.3總平整度globalflatness(3.95.3)在合格質量區內，相對于規定基準面的總指示讀數（TIR）或焦平面偏差（FPD）的最大值。3.195.4最大的焦平面偏差maximumFPD(3.95.4)焦平面偏差中絕對值最大的值。3.195.5百分可用區域percentusablearea(3.95.5)在合格質量區內符合規定要求的面積比，以百分數表示。注：PUA通常是指符合要求的局部平整度區域（包括完整的3.195.6基準面referenceplane(3.95.6)基準平面由以下的一種方式確定的平面：1.晶片正表面上指定位置的三個點；2.用合格質量區內的所有點對晶片正表面進行最小二乘法擬合；3.用局部區域內的所有的點對晶片正表面進行最小二乘法擬合；4.理想的背面（相當于與晶片接觸的理想平坦的吸盤表面）。3.195.7掃描方向scandirection(3.95.7)在掃描局部平整度計算中順序掃描次局部區域的方向。注：局部平整度的掃描方向可能會影響局部平整度的區域3.195.8總指示讀數totalindicatorreading(3.95.13)總指示器偏移totalindicatorrunout；TIR與基準面平行的兩個平面之間的最小垂直距離。該兩平面包含了晶片正表面合格質量區內或規定的局部區域內的所有的點。3.195.9局部平整度siteflatness(3.95.11)在合格質量區內，一個局部區域的總指示讀數（TIR）或焦平面偏差（FPD）的最大值。3.195.10完整局部區域fullsite整個區域均位于合格質量區之內。3.195.11不完整局部區域partialsite局部區域的一部分位于合格質量區以外，但其中心在合格質量區內。3.195.12掃描局部平整度scannersiteflatness(3.95.8)一個局部區域內的次局部區域的TIR或焦平面偏差（FPD）的最大值。注1：一個次局部區域的總指示讀數（TIR）是在合格質量區內和局部區域內的這個次局部區域的總指示讀數（TIR）。一個次局部區域的最大焦平面偏差（FPD）是在合格質量區內和局部區大焦平面偏差（FPD）。基準面的計算用到了合格質量區3.195.13局部區域site(3.95.9)晶片正表面上平行或垂直于主定位邊方向的區域。3.195.14局部區域陣列sitearray(3.95.10)一組鄰接的局部區域。3.195.15局部區域內的次局部區域subsiteofasite(3.95.12)晶片正表面上的一個矩形區域邊長（Lss×Wss），與一個特定局部區域有關，次局部區域的中心必須在此局部區域內且矩形的某一部分都在合格質量區內或落在合格質量區的邊界上。3.196中位面mediansurface（3.155)與晶片的正表面和背表面等距離點的軌跡。3.197彎曲度bow（3.20）自由無夾持晶片中位面的中心點與中位面基準面間的偏離。注：中位面基準面是由指定的小于晶片標稱直徑的直徑圓周上的三3.198翹曲度warp(3.268)在質量合格區內，一個自由的，無夾持的晶片中位面相對參照平面的最大和最小距離之差。3.199峰-谷差sori(3.231)晶片在無吸盤吸附的狀態下，正表面與基準面的最大正偏差和最小負偏差之間的差值。基準面是對正面進行最小二乘法擬合得到的。3.200形狀shape(3.220)當晶片處于無夾持狀態時，該晶片表面相對于特定基準面的偏差。表示為在規定的合格質量區內的總指示讀數（TIR）范圍或最大的基準面偏差（RPD）。3.201偏移(晶圓片上平面的端面區域)offset(oftheendregionofaflatonasiliconwafer)用于定義平面邊界的平面兩端與水平基準線的垂直偏差。3.202顆粒particle(3.179)不連續地附著到晶片上的微小的、分立的外來物質。3.202.1掃描表面檢查系統scanningsurfaceinspectionsystemSSIS（3.28.1）用于快速檢測晶片表面合格質量區內表面缺陷的設備。注1：掃描表面檢查系統可以檢測如：局部光散射體（顆粒）、劃傷、橘皮、波紋、霧及晶注2：掃描表面檢查系統也稱為顆粒計數器particlecounter或激光表面掃描儀lasersurfac3.202.2俘獲率capturerate；CR掃描表面檢查系統（SSIS）在確定的設置下運行時，其檢測到的局部光散射體（LLS）的乳膠球當量（LSE）信號的概率。3.202.3累計虛假計數率.cumulativefalsecountrate；CFCR在掃描表面檢查系統設置運行時，由掃描表面檢查系統報告的乳膠球當量直徑尺寸等于或大于局部光散射體尺寸（Si）的虛假計數在多次（Z次）掃描中的總數平均值。3.202.4用于SSIS校準的沉積物depositionforcalibratinganSSIS在參考晶片表面已知位置上沉積的具有已知尺寸分布及已知數量的參考球，也稱為聚苯乙烯乳膠球。3.202.5用于SSIS校準的沉積物的沉積工藝depositionprocessforcalibratinganSSIS將參考球放置在用于校準SSIS的參考晶片上的程序。3.202.6動態方法dynamicmethod在2級變化率的條件下進行測試的方法。注：連續掃描期間，被測晶片每次都需要重新裝載到掃描表面檢查系3.202.7動態范圍dynamicrange在測試條件設定的情況下，掃描表面檢查系統可收集信號的覆蓋范圍。3.202.8等效尺寸準確度equivalentsizingaccuracy在拋光片上沉積具有特定標稱尺寸的單個分散的聚苯乙烯乳膠球（PLS測量乳膠球直徑尺寸的分布變化系數與由供應商所提供的乳膠球的標稱尺寸分布的變化系數之比。3.202.9延伸光散射體extendedlightscattererXLS（0）在晶片表面或內部一種大于檢查設備空間分辨率的特征，其導致了相對于周圍晶片表面光散射強度的增加，通常在高強度光照射下目視可見。3.202.10虛假計數falsecount；FC由設備原因引起的，而不是來自晶片表面或近表面的激光光散射現象的發生。也稱為正向虛假計數或正向誤報計數。3.202.11虛假計數率falsecountrate；FCR在掃描表面檢查系統(SSIS)設置運行時，由掃描表面檢查系統(SSIS)報告每個晶片上的總虛假計數的平均值。3.202.12激光光散射現象laserlight-scatteringevent（3.28.2）超出預置閾值的一個信號脈沖，該信號是由探測器接收到的激光束與晶片表面局部光散射體相互作用產生的。3.202.13局部光散射體localizedlight-scatterer；LLS（3.28.3）晶片表面上的一種孤立的離散特征，如顆粒或凹坑等，將導致相對于周圍晶圓片表面的光散射強度增加。3.202.14乳膠球當量latexsphereequivalence；LSE（3.28.5）用一個乳膠球的直徑來表示一個局部光散射體（LLS）的尺寸單位，該乳膠球與局部光散射體（LLS）具有相同光散射量。3.202.15漏掉的計數missingcount在掃描表面檢查系統（SSIS）中，LLS不能產生激光散射事件的情況。3.202.17變化率級別levelvariability提供程序對掃描表面檢查系統進行校準和調節，用不同等級的變化率來描述其性能水平:1級變化率：也稱為可重復性，在n次測試期間，測試晶片不被從測試系統上取下，其對應的標準偏差為σ1；2級變化率：校準一次后，在同樣的測試條件下，在盡可能短的時間內對晶片重復測試n次，且每次都需要裝載和取出晶片,其對應的標準偏差為σ2；3級變化率：在1級和2級變化率規定的條件下，每天進行n次測量，共進行5天，其對應的標準偏差為σ3。3.202.18匹配公差matchingtolerance在3級變化率的條件下，應用測量系統分析（MSA）分別確定兩個同一種類測試系統的偏倚差值。注：如果對每個系統給出一個穩定、確定的偏倚，并且如果每個系統有可接受的線性，則兩個偏倚相減可獲得設備的3.202.19乳膠球的標稱尺寸分布nominalspheresizedistribution用于校準掃描表面檢查系統(SSIS)的一種特定標稱尺寸的聚苯乙烯乳膠球（PLS）的直徑在懸浮液中的分布狀況。3.202.20討厭的計數nuisancecount；SSIS在掃描表面檢查系統（SSIS）中，由被研究的局域光散射體以外的離散或面積表面或近表面特征產生的信號脈沖。注：不是真實的計數，取決于閾值和增益設置，也可能是SSIS的光學結構、晶圓表3.202.21聚苯乙烯乳膠球polystyrenelatexsphere；PLS校準掃描表面檢查系統(SSIS)所用的參考樣片上沉積的單個分散的聚苯乙烯材料乳膠球,常記為PLS。3.202.22定位準確度positionalaccuracy由掃描表面檢查系統(SSIS)報告的來自于晶片上的局部光散射體（LLS）與其在晶片表面上真實位置的偏差。3.202.23參考球referencespheresforcalibratinganSSIS用于校準SSIS的參考片上沉積的具有已知直徑、直徑分布和折射率的球形顆粒。3.202.24參考片（校準SSIS用）referencewafer（forcalibratinganSSIS）其表面與經校正的SSIS檢驗的晶圓相同，一個或多個參考球沉積其上，且具有指定的材料和直徑分布，并已被證明具有指定峰值直徑不確定性的無圖形晶片。3.202.25重復計數repeatcountsofanSSIS在掃描儀XY不確定距離內的后續掃描中發現的LLSs，其位置與在早期掃描中發現的相同。3.202.26掃描表面檢查系統的X-Y不確定度scannerXYuncertainty,ofanSSIS在可重復性條件下確定的由SSIS在檢測中報告的X和Y位置的1。標準差的平方和的平方根。3.202.27靜態方法staticmethod在1級變化率的條件下進行測試的方法。注：掃描期間，被測晶片不被從掃描表面檢查系統（SS3.202.28閾值threshold掃描表面檢查系統中設置的最小檢測信號的起始水平。3.202.29由表面形貌（微粗糙度）及表面或近表面高濃度的不完整性引起的非定向光散射現象。注：霧是由一群不完整性的存在引起的群體效果；引起霧的個別的這種類型的不完整性學檢測系統很容易的辨別。對于SSIS，霧可引起本底信號及激光光散射現象，它和來自兩者共同組成信號，霧是由光學系統收集的、由入射通量歸一化的總散射光通量3.203潔凈包裝cleanpackage用專用的運輸片盒進行拋光片、外延片、SOI等晶片的包裝，使其在運輸、存儲過程中避免顆粒、金屬及有機物對片盒中晶片的沾污。3.204潔凈區denudedzone(3.56)位于硅片正表面的一個特定區域，其中的氧濃度下降到一個比較低的水平，導致體微缺陷密度（氧沉淀）的減少。3.205標準機械接口系統standardmechanicalInterface；SMIF自動化機械裝置，是自動物料搬運系統的三個組成部分（存儲系統、搬運系統和整體系統控制軟件）中的一部分。[來源：GB/T19921]3.206激光刻字lasermarking利用激光把供方代碼和其他信息刻于晶片某一位置的標記。3.207相鄰字符未對準度adjacentcharactermisalignmentRadj同一行兩個相鄰字符的字符基線之間的垂直距離。3.208字符間距characterspacing晶片表面激光刻字中相鄰字符的字符中心線之間的水平距離。3.209字符窗口characterwindow晶片表面激光刻字中將所有字符都包含在內的矩形窗口。3.210行字符未對準度linespacingmisalignment晶片表面激光刻字中同一行最高和最低字符的基線之間的垂直距離。3.211鍺精礦germaniumconcentrate指鍺礦或含鍺的鉛鋅礦經過火法或濕法提取富集鍺后的鍺富集物，按來源不同分為兩大類9個品級，因生產工藝不同，鍺含量范圍一般在1.0%-60.0%，是生產粗四氯化鍺的主要原料。3.212水解（鍺）hydrolysis（germanium）將高純四氯化鍺置于水解反應釜內，加入7等份左右體積的去離子水，控制反應條件經水解反應后生成二氧化鍺的過程，再經過濾烘干后得到高純二氧化鍺。3.213粗四氯化鍺lowpuritygermaniumchloride采用鍺精礦為原料，經過鹽酸浸出，氧化蒸餾分離后得到的初級四氯化鍺產品，其純度一般在95-99%，是生產高純四氯化鍺的原料。3.214高純四氯化鍺highpuritygermaniumtetrachloride粗四氯化鍺經提純后得到的高純鍺的氯化物。注：用于生產高純二氧化鍺，有機鍺，以及作為生產光3.215高純二氧化鍺highpuritygermaniumdioxide高純四氯化鍺經過水解反應后得到的產物，是鍺的一個重要化合物。注：可用于化學催化劑，生產金屬鍺，有機鍺，3.216還原鍺錠reductionofIngotGermanium將高純二氧化鍺通過氫氣還原得到的高純金屬鍺錠。3.217區熔鍺錠germaniumingotmeltedinzone以純度為4-5N的還原鍺錠為原料，通過區熔提純后得到的高純鍺金屬，23。C的電阻率為47Ω.cm。3.218退火annealing（3.6）改變晶片或晶棒特性的熱過程。注：根據需要有不同的退火工藝。如：硅單晶和砷化鎵的消除氧施主退3.219硅退火片annealedsiliconwafer（3.7）在惰性氣氛或減壓氣氛下，通過高溫退火致使近表面形成一個潔凈區（無COP缺陷)的硅片。注：根據退火工藝不同，常用的有氬氣退火硅片（argonannealedwafer3.11）、氫氣退火硅片（hydrogenannealedwafer3.121）3.220熱過程監控片furnaceandthermalprocesseswafer(3.103)用于評估熱過程工藝中金屬沾污的晶片。3.221黑硅硅片blacksiliconwafer采用金屬輔助刻蝕或反應離子刻蝕等技術，在光伏用硅片表面形成亞微米或納米尺寸的絨面結構，用以增強硅片表面的陷光性能，使得表面在宏觀上呈現黑色或暗黑色外觀的硅片。3.222直接硅片directsiliconwafer通過控制熔化的硅熔體表層溫度梯度，使硅熔體在表層結晶，用模具形成特定厚度的多晶硅薄片后，采用激光切割等技術裁切成特定尺寸而形成的光伏用硅片。3.223擋片dummywafer假片為了穩定氣流和平衡爐管溫度而在爐管中放置擋片，或者在機臺啟動以及恢復過程中為了暖機使用擋片。注：假片是為區別于正式正片（primew3.224粒子計數片particlecountingwafer（3.181改）用于評估由工藝引起顆粒增加的晶片。3.225監控片monitorwafer測試片testwafer(3.199)應用于半導體器件生產過程中進行參數監控、評估或監控機臺穩定性和重復性的片子。針對不同的監控或測試目的又可分為工藝測試片、機械測試片、原始測試片、顆粒監控片等。3.226回收片reclaimedwafer(3.205)為了繼續利用被重新處理的晶片。注：回收片僅在一定條件下被使用，重新處理不一定能3.227參考片referencewafer經過定值確認的，用于測量設備的日常校準或控制的樣品或樣片。3.228典型片representativewafer為測量晶片幾何參數時利用翻轉的方法進行重力校正的代表性晶片。典型片應與被測晶片具有完全相同的標稱直徑、標稱厚度、基準結構和結晶取向。3.229制絨硅片texturedsiliconwafer經過絨面加工處理的光伏用硅片。3.230工業硅siliconmetal；metallurgicalsilicon金屬硅冶金硅由石英石和炭在電爐內冶煉而成，主成分硅元素的含量在98%以上，主要用作多晶硅、冶煉及有機硅合金生產的原料。3.231致密多晶硅densepolysilicon晶粒結合均勻、致密、無孔洞的多晶硅，也稱為致密料。3.232硅多晶控制棒controlrod棒。從具有均勻沉積層的多晶硅棒上鉆取多個沉積層樣芯，定期對樣芯加以腐蝕、區熔和分析，以監測樣品制備、腐蝕和區熔工藝的潔凈度。3.233顆粒硅granularsilicon用硅烷流化床法（FBR）生產出來的一種顆粒狀多晶硅。3.234硅多晶沉積層growthlayerofpolysiliconrod在硅芯上沉積生長的硅。3.235菜花狀多晶硅popcornpolysilicon珊瑚狀多晶硅多晶硅宏觀表面顆粒致密程度的描述。可分為致密料、菜花料、珊瑚料；也稱為米花狀多晶硅。3.236多孔硅poroussilicon具有納米或亞微米級別孔型結構表面的硅片，可通過在HF溶液中對硅片進行電化學陽極腐蝕等方法制備。3.237硅芯seedrod用以提供多晶沉積的基體小直徑硅棒。3.238籽晶seedcrystal具有與所生長目標晶體相同晶向的小晶體。注：用不同晶向的籽晶做晶種，將會獲得不同晶向的單晶，在單晶生長中3.239低溫成核層nucleationlayer通過低溫沉積和高溫退火再結晶形成晶核，從而獲得利于后續晶體外延生長的單晶薄層。3.240自然氧化層nativeoxide(3.166)在空氣或清潔溶液中，拋光片或外延片上形成的氧化層。3.241熱生長的氧化物thermallygrownoxide(3.250)在含氧氣氛的熱工藝中沉積或生長的氧化物。3.242鈍化passivation通過熱氧化或氣相沉積的方法，在晶片表面形成一層氧化層或氮化層，使其表面懸掛鍵達到飽和狀態，以降低少數載流子在表面快速復合目的工藝。3.243永久反轉層permanentinversionlayerC-V曲線上最小傾角的區域，由界面電荷或表面條件引起的異常情況，它的存在阻礙了電容最小值的正確確定。3.244粗糙度roughness(3.211.0)間距更小的表面織構的分量。與波紋(waviness)比較，表面結構是那種彼此更窄間距的組織構成。這些分量被認為是在空間波長（或頻率）限定的范圍內。3.244.1平均粗糙度averageroughness(3.211.1)Ra在求值長度內相對于中間線來說，表面輪廓高度偏差Z(x)的平均值。3.244.2峭度（分布曲線中的高峰程度）kurtosis(3.211.2)Rku在求值長度內，相對于中間線的表面輪廓高度偏差Z(x)的直方圖，其銳度的測量。一個完整的隨機表面將有一個高斯分布的直方圖和Rku=3。3.244.3表面織構主方向lay(3.211.3)表面織構起主要作用的方向。注：雖然硅拋光片的織構通常是各向同性的，但用原子力顯微鏡檢驗時，某些外延片表3.244.4微粗糙度microroughness(3.211.4)在不規則物（空間波長）之間的間隔小于100μm時的表面粗糙度分量。3.244.5峰到谷差peaktovalleyRt(3.211.5)在一個求值長度L內，相對于中間線表面輪廓最高點至最低點的高度偏差Z(x)值。3.244.6均方根區域微粗糙度rmsareamicroroughnessRqA(3.211.6)在求值區域內，相對于中間面的表面形貌偏差Z(x)的均方根值。3.244.7均方根微粗糙度rmsmicroroughness(3.211.7)Rq在取值長度L內，相對中間線的表面剖面(輪廓)高度偏差Z(x)的均方根。3.244.8均方根斜率rmsslopemq(3.211.8)在求值長度L內，輪廓偏差變化速率的均方根值。3.244.9非對稱性(分布不均)skewness(3.211.9)Rsk對于中心線,一個表面Z(x，y)的表面形貌偏差的一種不對稱性的測量。一個完美的隨機表面應有Rsm=0。3.244.10表面織構surfacetexture(3.211.10)真實表面與基準表面的形貌偏差。表面織構包括粗糙度、波紋和織構主方向（lay）。3.244.11十點粗糙度高度tenpointroughnessheightRz(3.211.11)在求值長度（根據ISO4271/1）內，相對中間線，5個最高輪廓峰高度的絕對值和5個最低輪廓谷深度的絕對值的平均值。3.244.12納米形貌nanotopography硅片表面的納米形貌nanotopographyofawafersurface(3.164)硅片表面的納米拓撲結構nanotopologyofawafersurface（3.165）在近似0.2mm～20mm空間波長范圍內一個表面不平整的偏差。3.244.13表面波紋度surfacewaviness由間距比粗糙度大得多的、隨機的或接近周期形式的成分構成的表面不平度。3.244.14波紋取樣長度wavinesssamplinglenghw用于判別波紋度輪廓的不規則特征的X軸方向上的長度。它等于長波截止波長λi在這段長度上確定波紋度參數。3.244.15波紋評定長度wavinessevaluationlengtha用于評定波紋度輪廓的X軸方向上的長度，包括一個或幾個取樣長度。3.244.16波紋度輪廓偏距wavinessprofiledepartureZ（x）波紋度輪廓上的點與波紋度中線之間的距離。3.244.17波紋waves(3.269)在大面積漫散射照明下，目視可見的晶片表面的不平坦輪廓。3.244.18波動度waviness(3.270)由于機器或工件的偏離、振動和顫動產生的較寬間隔的表面織構分量。3.245表面光澤度surfaceglossiness在規定的光源和接收器張角的條件下，樣品在鏡面反射方向的反射光光通量與標準陶瓷板樣品在該鏡面反射方向的反射光通量之比。單位是Gs（光澤單位）。注：光澤度通常以數值表示，也有可用百分數表示的：即以正面為100%，其背面為正面3.246絨面texturesurface為增強光伏用硅片表面陷光性能，通過刻蝕等工藝手段形成的具有微小起伏結構的硅片表面。3.247正金字塔絨面pyramidtexturesurface光伏用（100）晶向的硅片在堿腐蝕過程中，由于在（100）面上腐蝕速度高于（111）面，形成四周為（111）面，底面為（100）面的塔結構絨面。3.248倒金字塔絨面Invertedpyramidtexturesurface通過擇優腐蝕或金屬離子誘導刻蝕的技