標準解讀

《GB/T 35309-2017 用區熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規程》是一項國家標準，主要規定了使用區熔法與光譜分析技術對顆粒狀多晶硅進行質量評價的方法。該標準適用于光伏產業、半導體材料加工等領域中對于原材料品質控制的需求。

根據此標準，首先明確了樣品制備的要求。需要從待測批次中隨機抽取具有代表性的樣本，并確保這些樣本能夠真實反映整個批次的質量狀況。此外，還詳細描述了如何通過適當的物理方法將所取得的大塊樣品破碎成適合進一步測試的小顆粒。

接下來，標準介紹了區熔提純的過程。這是一種基于不同元素在固液界面溶解度差異而實現雜質分離的技術。通過對特定區域加熱至熔化狀態然后緩慢冷卻，可以使大部分雜質集中于某一部分或被去除，從而達到提高材料純度的目的。在此過程中，需嚴格按照設定條件操作以保證結果準確性。

之后，利用光譜分析技術測定提純后樣品中的各種元素含量。這一步驟通常涉及原子吸收光譜法（AAS）、電感耦合等離子體發射光譜法（ICP-OES）或其他類似手段，旨在精確測量出目標元素的具體濃度值。同時，也提供了數據處理及報告編制的相關指導原則。


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....

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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2017-12-29 頒布
  • 2018-07-01 實施
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GB/T 35309-2017用區熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規程_第1頁
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文檔簡介

ICS77040

H17.

中華人民共和國國家標準

GB/T35309—2017

用區熔法和光譜分析法評價

顆粒狀多晶硅的規程

Practiceforevaluationofgranularpolysiliconby

melter-zonerandspectroscopies

2017-12-29發布2018-07-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T35309—2017

前言

本標準按照給出的規則起草的

GB/T1.1—2009。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位江蘇中能硅業科技發展有限公司新特能源股份有限公司天津市環歐半導體材

:、、

料技術有限公司青海黃河上游水電開發有限責任公司新能源分公司洛陽中硅高科技有限公司

、、。

本標準主要起草人王桃霞劉曉霞耿全榮魯文鋒柳德發胡偉邱艷梅銀波由佰玲秦榕

:、、、、、、、、、、

嚴大洲

。

Ⅰ

GB/T35309—2017

用區熔法和光譜分析法評價

顆粒狀多晶硅的規程

1范圍

本標準規定了用區熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的代位碳原子濃度施主雜質濃度和受主

、

雜質濃度的方法

。

本標準適用于尺寸為的顆粒狀多晶硅其他尺寸的顆粒狀多晶硅可參照本標

600μm~3000μm,

準執行

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

化學試劑氫氟酸

GB/T620

化學試劑鹽酸

GB/T622

化學試劑硝酸

GB/T626

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區熔基磷檢驗方法

GB/T4059

氬

GB/T4842

固體化工產品采樣通則

GB/T6679

電子級水

GB/T11446.1

半導體材料術語

GB/T14264

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

潔凈室及相關受控環境第部分空氣潔凈度等級

GB/T25915.11:

用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規程

GB/T29057

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

將顆粒硅裝入高純石英管內在石英管的下方通入高純氬氣顆粒硅在氬氣作用下處于流態化調

,,,

節線圈位置和功率使顆粒硅逐漸地粘附在熔化的硅棒或籽晶上制備成多晶硅棒采用

,(),。GB/T4059,

氬氣氛圍中在單晶籽晶的作用下利用區域熔解將多晶硅棒熔煉生長成為單晶棒采用

,,。GB/T1558

和中規定的方法測定代位碳和施主雜質濃度受主雜質濃度

GB/T24581

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