標準解讀

《GB/T 34893-2017 微機電系統(MEMS)技術 基于光學干涉的MEMS微結構面內長度測量方法》是一項國家標準，它規定了使用光學干涉技術對MEMS（微機電系統）中微結構在平面內的長度進行精確測量的方法。該標準適用于MEMS器件制造過程中或成品測試階段，對于需要高精度尺寸控制的應用場景尤為重要。

標準詳細描述了采用光學干涉法進行測量時所需設備的基本要求、環境條件以及操作流程。首先，介紹了適用于此類測量的干涉儀類型，包括但不限于白光干涉儀和激光干涉儀，并指出這些儀器應具備足夠的分辨率以滿足MEMS微結構尺寸的測量需求。接著，指定了測量過程中的關鍵參數設置，如光源波長選擇、參考鏡與樣品間距離調整等，確保能夠獲得清晰穩定的干涉條紋圖像。

此外，還討論了如何通過分析干涉圖樣來計算出待測微結構的實際長度值。這涉及到從獲取到的原始數據中提取有效信息，利用特定算法處理后得到最終結果。整個過程強調了重復性和準確性的重要性，建議實施多次測量取平均值以減少隨機誤差的影響。

該標準也涵蓋了實驗前后的準備事項及注意事項，比如清潔樣品表面防止污染影響測量精度，以及合理安排實驗室溫濕度控制避免外部因素干擾。同時，提供了關于數據記錄、報告撰寫等方面的指導性意見，幫助使用者更好地完成測量任務并保證結果的有效性和可追溯性。


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  • 現行
  • 正在執行有效
  • 2017-11-01 頒布
  • 2018-05-01 實施
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文檔簡介

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T34893—2017

微機電系統MEMS技術

()

基于光學干涉的MEMS微結構

面內長度測量方法

Micro-electromechanicalsystemtechnology—

Measuringmethodforin-planelengthmeasurementsofMEMSmicrostructures

usinganopticalinterferometer

2017-11-01發布2018-05-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T34893—2017

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

測量方法

4…………………1

影響測量不確定度的主要因素

5…………4

附錄資料性附錄光學干涉顯微鏡的典型形式和主要技術特點

A()…………………5

GB/T34893—2017

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微機電技術標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標準主要起草單位天津大學中機生產力促進中心國家儀器儀表元器件質量監督檢驗中心南

:、、、

京理工大學中國電子科技集團公司第十三研究所

。

本標準主要起草人胡曉東郭彤于振毅李海斌程紅兵裘安萍崔波朱悅

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T34893—2017

微機電系統MEMS技術

()

基于光學干涉的MEMS微結構

面內長度測量方法

1范圍

本標準規定了基于光學干涉顯微鏡獲取微結構表面形貌進行面內長度測量的方法

MEMS。

本標準適用于表面反射率不低于寬深比不低于且使用光學干涉顯微鏡能夠獲取形貌

4%,1∶10,

的微結構

MEMS。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產品幾何技術規范表面結構輪廓法術語定義及表面結構參數

GB/T3505(GPS)、

微機電系統技術術語

GB/T26111(MEMS)

微機電系統技術微幾何量評定總則

GB/T26113(MEMS)

3術語和定義

和界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T3505GB/T26111。

31

.

表面形貌surfacetopography

表面結構的宏觀和微觀幾何特性

。

注一般包括表面幾何形狀表面波紋度表面粗糙度及表面缺陷等

:、、。

32

.

面內長度in-planelength

表面有邊緣結構特征的兩點點與線或兩條線之間的距離

、。

4測量方法

41總則

.

411實施面內長度測量前提是結構具備階梯型邊緣結構兩邊緣結構端面和端面之間

..MEMS

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