ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標準

GB/T33657—2017

納米技術晶圓級納米尺度相變存儲

單元電學操作參數測試規范

Nanotechnologies—Electricaloperatingparametertest

specificationofwaferlevelnano-scalephasechangememorycells

2017-05-12發布2017-12-01實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局發布

中國國家標準化管理委員會

GB/T33657—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

測試儀器和設備

4…………………………2

測試樣本結構

5……………3

測試參數的選擇

6…………………………3

測試流程

7…………………4

測試報告

8…………………5

附錄資料性附錄相變存儲單元測試系統的構建

A()…………………6

附錄資料性附錄相變存儲單元的初始化方法

B()……………………7

Ⅰ

GB/T33657—2017

前言

本標準按照給出的規則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中國科學院提出

。

本標準由全國納米技術標準化技術委員會歸口

(SAC/TC279)。

本標準起草單位中國科學院上海微系統與信息技術研究所

:。

本標準主要起草人陳一峰陳小剛宋志棠

:、、。

Ⅲ

GB/T33657—2017

引言

相變存儲器是一種非易失性存儲器其存儲單元在外部電場的電熱學作用下可在高阻的非晶態和

,

低阻的多晶態間進行高速可逆的結構變化變化前后的電阻差別可達倍以上從而實現數據存儲的

,10,

功能

。

相變存儲單元的電學操作參數包括寫操作參數以及擦操作參數這些參數可以通過本標準的測試

。

規范準確的提取它們不僅可以有效評估由相變存儲單元構成的相變存儲器的若干性能指標還將為

。,

相變存儲器的驅動電路讀出電路以及存儲陣列的設計提供依據

、。

相變存儲單元可使用的相變材料種類繁多可實現的器件結構也不唯一本標準的測試規范可以

,。

為不同相變材料不同相變單元器件結構的性能表征以及相變存儲器量產過程中工藝穩定性的監控提

、

供有效的手段

。

由于操作電流和相變存儲單元的電極尺寸關系密切過大的電極尺寸會導致操作電流和功耗激增

,,

相應的電學操作參數測試規范也可能超出本標準規定的范圍具體到本標準我們制定適用于存儲器

。,

的電極尺度小于的相變存儲單元的相變存儲單元也可參照本標準執行

100nm,100nm~300nm。

Ⅳ

GB/T33657—2017

納米技術晶圓級納米尺度相變存儲

單元電學操作參數測試規范

1范圍

本標準規定了納米尺度相變存儲單元讀寫擦參數的晶圓測試規范其測試結果可用于表征相變存

,

儲材料或器件的電學可操作性能

。

本標準適用于以硫系化合物為主要原料基于半導體晶圓工藝加工制造的電極尺度小于

,100nm

的相變存儲單元的相變存儲單元也可參照本標準執行

,100nm~300nm。

本標準不適用于包含外圍驅動電路的存儲單元

。

2規范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測量控制和實驗室用電氣設備的安全要求第部分通用要求

GB4793.1—2007、1:(IEC61010-

1:2001,IDT)

集成電路術語

GB/T9178

電子測量儀器術語

GB/T11464

數字儀表基本參數術語

GB/T13970

數字多用表

GB/T13978

3術語和定義

和界定的以及下列術語和定義適用于本

GB/T9178、GB/T11464、GB/T13970GB/T13978

文件

。

31

.

相變存儲